专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]快速热退火的方法-CN03123664.2有效
  • 张耀元;周世良;李若玺;林宗德;曾国佑;练文政 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2003-05-12 - 2004-11-24 - C30B33/02
  • 本发明是关于一种快速热退火的方法,其制程是在快速热退火装置中对一晶圆进行第一快速热退火步骤,并监测一制程参数,判断该制程参数的实测值是否超出一第一制程参数范围,其中第一制程参数范围是为第一快速热退火制程正常进行时的制程参数加减一第一预定数值,接着进行一第二快速热退火步骤,并监测该制程参数,判断制程参数的实测值是否超出一第二制程参数范围,其中该第二制程参数范围是为此制程参数加减一第二预定数值,且第一制程参数范围大于第二制程参数范围。本发明制程能够在快速热退火步骤的初期检测出该快速热退火制程的制程稳定性;并能够在热退火制程不稳定时,在快速热退火步骤的初期就停止快速热退火制程,而可避免晶圆报废。
  • 快速退火方法
  • [发明专利]浅沟渠隔离结构的制造方法-CN03101848.3有效
  • 林宗德;王啸刚;洪天爵;周世良;练文政 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2003-01-22 - 2004-08-11 - H01L21/76
  • 一种浅沟渠隔离结构的制造方法,此方法提供一基底,并于基底上已依序形成有垫氧化层、罩幕层与第一沟渠,接着于第一沟渠内与基底上形成绝缘层以填满第一沟渠,且在第一沟渠上方的绝缘层具有第二沟渠。然后,于绝缘层上形成共形的帽盖层,且在第二沟渠上方的帽盖层具有第三沟渠,再于帽盖层上形成反转罩幕以覆盖第三沟渠,接着移除反转罩幕之外的帽盖层与绝缘层至暴露出罩幕层表面,再移除反转罩幕。其后移除残留的帽盖层与沟渠外的残留的绝缘层至暴露出罩幕层表面,再移除罩幕层及垫氧化层。
  • 沟渠隔离结构制造方法

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