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[发明专利]一种ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜的制备方法-CN201410823802.2在审
发明人：王显威;苏留辉;胡艳春;王小二;侯新亚 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜的制备方法，属于复合功能薄膜材料技术领域。本发明的技术方案要点为：一种ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜的制备方法，在基底上先利用溶胶旋涂法制备掺杂ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备Ag薄膜，再在Ag薄膜上制备掺杂ZnO薄膜，低温烧结后得到ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜。本发明采用溶胶-凝胶技术制备掺杂ZnO薄膜和Ag薄膜的方法制得的ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜具有较好的透过率和导电性能，并且成本低廉，适于工业化生产。
一种 zno ag 复合透明导电薄膜制备方法

[发明专利]利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法-CN202011453729.6有效
发明人：李国强;黄改革;尉乔南 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-12-12 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法，包括以下步骤：a、安装靶材，b、预处理衬底材料，c、制备ITO中间层薄膜，d、制备外延单晶BVO薄膜。本发明通过改变制备薄膜时对靶材施加功率以及氧压的大小首次获得了BVO的外延单晶薄膜，制备方法简单，制备出的薄膜表面平整致密，可进一步用于制备覆盖面积大的外延单晶薄膜；该方法也为用化学计量比靶材通过磁控技术制备出与靶材元素比例相同的金属氧化物提供了可能
利用磁控溅射技术制备 bvo 外延薄膜方法

[发明专利]一种聚氟乙烯薄膜边角料回收技术-CN201010539432.1有效
发明人：张艳中;张昱喆;张羽标;陈伟;马培良 -专利权人：中化蓝天集团有限公司;浙江蓝天环保高科技股份有限公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： B29B17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种PVF薄膜边角料回收技术，按照如下步骤进行：（1）将聚氟乙烯薄膜边角料粉碎成碎片；（2）将所述碎片与潜溶剂搅拌成混合均匀浆料；（3）将浆料直接流延制备聚氟乙烯薄膜或者返回至聚氟乙烯薄膜生产过程，与聚氟乙烯树脂混合均匀后经双向拉伸制备聚氟乙烯薄膜。本发明所述回收技术克服了常规热塑性塑料薄膜边角料回收技术上的不足，不但回收工艺简单易操作，而且消除污染，降低了生产成本。经本发明回收技术制备的PVF薄膜边角料完全可以用于PVF薄膜生产，制备的PVF薄膜与双向拉伸法制备的PVF薄膜性能一致。
一种乙烯薄膜边角料回收技术

[发明专利]一种三氟醋酸盐溶液制备稀土金属氟化物REF₃薄膜的方法-CN201310044492.X无效
发明人：孙喁喁;郭巧琴;白万民;赵莉 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明涉及光学薄膜材料、显示器材料，太阳能器件材料的制备技术，具体的说是涉及一种三氟醋酸盐溶液制备稀土金属氟化物REF3薄膜的方法。目前，制备上转换氟化物薄膜有多种方法，如离子束辅助沉积、激光脉冲沉积、磁控溅射技术、电子束蒸发技术、溶胶-凝胶技术等。在薄膜制备方面，上述技术在制备氧化物上转换薄膜方面已有大量研究报道，技术达到了较成熟的地步，但利用上述的各种镀膜技术制备氟化物的上转换薄膜的方面，受到很大的局限性。本发明通过对溶液的改性，减少溶液中水的含量来控制薄膜成形过程，通过旋涂法或提拉法可获得表面光亮的胶体薄膜，并通过无氧气氛保护下进行热处理，避免了杂相的形成，最终获得发光性能良好的薄膜。
一种醋酸盐溶制备稀土金属氟化物 ref sub 薄膜方法

[发明专利]具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法-CN200810304728.8无效
发明人：蒋书文;李言荣 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01P1/217 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜电路产品，特别涉及一种介电薄膜电极结构及其制备方法。本发明针对现有技术介电薄膜使用中损耗大，漏电流大的缺点，公开了一种具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法，可以降低介电损耗和漏电流。本发明的技术方案是，具有复合电极结构的介电薄膜，包括基片、电极和介电薄膜，其特征在于，所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成，所述金属电极制备在所述基片上，所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上，所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上本发明还提供了具有复合电极结构的介电薄膜制备方法。本发明的介电薄膜，主要用于制造薄膜元器件等电路产品。
具有复合电极结构薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法-CN201110205508.1无效
发明人：胡平安;张甲;王振龙;王晓娜;李晓超 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法，它涉及石墨烯导电薄膜的制备领域。本发明要解决现有制备石墨烯导电薄膜技术存在成本高，且制备的石墨烯导电薄膜厚度不能达到纳米级、形状和尺寸难以控制和不利于微纳米级半导体器件集成的问题。本发明的操作步骤如下：一、制备氧化石墨烯；二、制备氧化石墨烯薄膜；三、还原改性。本发明主要用于制备石墨烯导电薄膜。
一种基于纳米印刷技术制备石墨导电薄膜方法

[发明专利]氮化钛薄膜的制备方法-CN201510377308.2在审
发明人：樊慧庆;董广志;朱养妮;江新标 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钛薄膜的制备方法，用于解决现有方法制备的氮化钛薄膜电阻率高的技术问题。技术方案是利用含钛的有机前驱体溶胶，在常温下浸渍衬底，干燥后进行热处理得到氧化钛薄膜，随后在氨气气氛下对氧化钛薄膜进行高温氮化处理，获得氮化钛薄膜。得到的氮化钛薄膜导电性良好，改善了背景技术方法制备氮化钛薄膜电阻率高导电性差的问题。经测试，本发明方法所制备氮化钛薄膜的电阻率由背景技术的1.4×10⁴μΩ·cm降低为3×10²～5.3×10²μΩ·cm。此外，采用本发明方法制备的氮化钛薄膜不仅导电性好，而且突破了背景技术对衬底形状和镀膜环境真空度的要求，可以常压下在异形衬底上制备氮化钛薄膜。
氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种制备薄膜的方法-CN201710269837.X有效
发明人：宋斌斌;郭凯;于涛;张传升;左宁;李新连;赵树利 -专利权人：国家能源投资集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究院
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系的确定方法，用于解决现有技术中不能定量地确定各层薄膜的致密度等性质的问题，包括：在多个预定制备工艺参数下分别制备薄膜；确定所述多个预定制备工艺参数下制备的各薄膜的光学参数，得到所述薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系，以便根据所述对应关系制备满足制备需求的薄膜。本申请还公开了一种制备薄膜的方法。
一种制备薄膜方法

[发明专利]一种高质量柔性n型Cu掺杂锑化铋热电薄膜及其制备方法-CN202210821662.X在审
发明人：郑壮豪;杨文裕;彭宇敏;姚嘉敏 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开一种高质量柔性n型Cu掺杂Bi2Te3热电薄膜及其制备方法。该制备方法包括：首先，采用Bi和Cu靶材，采用磁控共溅射技术，在柔性衬底上制备Bi/Cu混合薄膜，通过调节单质金属Bi和单质金属Cu靶材的溅射功率和溅射时间，调节Bi和Cu的含量；随后，采用Te单质靶材，采用磁控溅射技术制备Te单质薄膜；最后，将所制备的Bi/Cu混合薄膜与Te单质薄膜进行贴合，并在底部进行加热，最终制备了一种具有高择优取向的柔性n型Cu掺杂Bi2Te3热电薄膜。该方法制备薄膜简单方便，极大简化了薄膜制备流程，制备成本低，可实现产业化生产。该方法所制备的薄膜质量高，重复性好，易于控制薄膜成分和薄膜生长取向。
一种质量柔性 cu 掺杂锑化铋热电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法-CN201910412251.3有效
发明人：李铁;何云乾;刘延祥;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法，包括步骤：提供半导体单晶衬底，在衬底表面制备薄膜掩膜，并刻蚀窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，在该表面形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备出薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出微纳结构薄膜；采用金属沉积技术和金属薄膜图形化技术在微纳结构薄膜表面制备出微加热器电阻丝和电极；对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域；以及采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放微纳结构薄膜本发明采用微加工技术，通过薄膜的微纳结构改变其热传导特性，可以显著降低热量损耗，增强光辐射，为获得低功耗、热稳定性强的微加热器和强辐射的光源开辟了新道路。
一种具有结构增强加热器及其制备方法

[发明专利]一种低损耗超高透过率激光减反射薄膜的制备方法-CN201410720810.4有效
发明人：季一勤;刘华松;宗杰;王利栓;姜玉刚;刘丹丹;姜承慧;赵馨 -专利权人：中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明涉及激光光学薄膜技术领域，具体涉及一种低损耗超高透过率激光减反射薄膜的制备方法。本发明通过基片化学清洗、离子束溅射薄膜制备、制备误差的修正来实现低损耗超高透过率激光减反射薄膜的制备，为四频差动激光陀螺提供关键的谐振腔内元件。通过实施上述技术方案，通过基片化学清洗、离子束溅射薄膜制备、制备误差的修正实现了低损耗超高透过率激光减反射薄膜的制备，能够满足四频差动激光陀螺谐振腔低损耗控制的要求。
一种损耗超高透过激光反射薄膜制备方法

[发明专利]一种超低表面粗糙度的高压电响应PVDF超薄膜及其制备方法-CN202110073498.4在审
发明人：沈洋;何珊;郭梦帆;但振康 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L41/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低表面粗糙度的高压电响应PVDF超薄膜及其制备方法，属于有机聚合物类超薄膜的制备技术领域。本发明提供的PVDF超薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)采用Langmuir–Blodgett单分子沉积技术制备PVDF薄膜；(2)采用水平Langmuir–Blodgett方法将所述PVDF薄膜转移至表面镀金属的硅基片上；(3)将纯硅基片覆盖在步骤(2)得到的薄膜上，进行热压退火处理，即得到PVDF超薄膜。本发明的制备方法简便高效，可制备出具有原子级平整表面的超薄有机铁电薄膜，同时实现薄膜厚度的精准调控和压电性能的提高。
一种表面粗糙高压电响应 pvdf 薄膜及其制备方法

[发明专利]在柔性基体上制备硬质薄膜的方法及相关产品-CN201911004499.2有效
发明人：欧伊翔;王浩琦;张旭;罗军;陈琳;庞盼;廖斌 -专利权人：北京市辐射中心;北京师范大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及膜材料技术领域，公开了一种在柔性基体上制备硬质薄膜的方法及相关产品，所述在柔性基体上制备硬质薄膜的方法为：在利用气体离子源对柔性基体进行清洗处理后，采用磁过滤技术在柔性基体上沉积依次制备金属膜层、有机‑金属异质结和金属过渡层，然后利用高功率脉冲磁控溅射技术制备梯度过渡层以及硬质薄膜，从而完成了柔性基体上硬质薄膜的制备。本发明实施例提供的制备方法使制备的硬质薄膜的结构更加稳固，能够大大提高硬质薄膜中各涂层界面间的结合强度，进一步提高了使用该硬质薄膜的工件的使役性能。
柔性基体制备硬质薄膜方法相关产品

[发明专利]一种三氟醋酸盐溶液制备碱土金属MF₂（M=Ba，Ca）薄膜的方法-CN201310033369.8无效
发明人：孙喁喁;郭巧琴;王长元 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C01F11/22 文献下载
摘要：本发明涉及光致发光器件材料、显示器材料的制备技术，具体地说是一种三氟醋酸盐溶液制备碱土金属MF2（M=Ba，Ca）薄膜的方法。目前，制备上转换氟化物薄膜有多种方法，如离子束辅助沉积、激光脉冲沉积、磁控溅射技术、电子束蒸发技术、溶胶-凝胶技术等，在薄膜制备方面，上述技术在制备氧化物上转换薄膜方面已有大量研究报道，技术达到了较成熟的地步但利用上述的各种镀膜技术制备氟化物的上转换薄膜的方面，受到很大的局限性。本发明通过对溶液的提纯，获得了具有成膜性好的凝胶薄膜，并通过气氛保护下的热处理程序控制，获得良好性能的MF2（M=Ba，Ca）薄膜。
一种醋酸盐溶制备碱土金属 mf sub ba ca 薄膜方法

[发明专利]一种用于提高光学薄膜光学性能的制备方法-CN202010422924.6在审
发明人：郭春;孔明东 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高光学薄膜光学性能的制备方法，属于真空镀膜技术领域，主要针对光学薄膜制备过程中，光学薄膜表面粗糙度随膜层增加而增加，影响光学薄膜的反射率以及透过率光谱；以及光学薄膜膜层材料的化学计量比失衡，引起光学薄膜吸收损耗增加。基于高能离子束刻蚀技术，通过优化光学薄膜制备工艺参数，并在每层薄膜材料制备后，采用优化的离子束刻蚀参数对刚制备的光学薄膜进行在线处理，实现对光学薄膜结构致密性、表面粗糙度和化学计量比的优化，最终实现高性能光学薄膜的制备目的
一种用于提高光学薄膜光学性能制备方法

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