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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种单晶焊点及其制备方法、电子组件-CN201910219240.3有效
发明人：张青科;宋振纶;胡方勤;郑必长;姜建军 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶焊点及其制备方法、电子组件，其中，单晶焊点的制备方法包括以下步骤：提供焊盘，所述焊盘表面形成有焊料层；提供单晶焊柱，将所述单晶焊柱置于上下两个焊盘之间，加热使所述焊料层熔化并与所述单晶焊柱之间发生溶解与扩散形成反应层，所述单晶焊柱通过所述反应层固定于所述焊盘上，得到单晶焊点。采用本发明提供的一种单晶焊点制备方法，通过单晶焊柱取向的选择使焊点具有屈服强度高、抗热疲劳和抗电迁移性能好等优点，综合可靠性高。
一种单晶焊点及其制备方法电子组件

[发明专利]单晶或寡晶焊点试样制备方法及其失效机制试验方法-CN202310072422.9在审
发明人：安晨玮;虞澜 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶或寡晶焊点试样制备方法及其失效机制试验方法，涉及电子封装技术领域，其中制备方法提供了菊花链构型的单晶或寡晶焊点试样的详细制备方法步骤，其失效机制试验方法提供了包括焊点初始形貌观察和晶粒取向EBSD表征、焊点热应力和电流分布模拟分析、焊点热疲劳和通电试验、焊点热疲劳‑电迁移耦合损伤形貌原位观察与组织表征的详细试验方法步骤。本发明以单晶和寡晶焊点为研究对象，通过热‑电单载荷与耦合载荷横向对比、焊点损伤全过程原位分析，研究焊点失效机制，为优化焊点组织、评估焊点可靠性提供依据，为焊点寿命预测模型优化提供了基础。
寡晶焊点试样制备方法及其失效机制试验

[发明专利]复合柱状软焊材料及其制备方法与应用-CN202210650643.5在审
发明人：张青科;宋振纶;许赪;郑必长;姜建军 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B23K35/00 文献下载
摘要：所述复合柱状软焊材料包括单晶焊柱以及覆设于所述单晶焊柱相背两端面的焊料薄层；所述单晶焊柱与焊料薄层的接触面为特定取向面，且所述焊料薄层的熔点低于所述单晶焊柱的熔点。本发明提供的软焊材料的焊接温度低，应用于电子器件的焊接时，可以获得屈服强度高、抗电迁移性能好的单晶焊点；通过对焊点取向的选择，使单晶焊点同时具备良好的抗电迁移和抗塑性变形性能，进而显著提高电子设备的整体寿命与可靠性
复合柱状材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法-CN201510409778.2有效
发明人：李明雨;张志昊;操慧珺 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，提供了一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法，包括1)Cu6Sn5基单晶块体制备；2)Cu6Sn5基单晶块体切割；3)Cu基焊盘表面预处理；4)Cu6Sn5基单晶焊块互连该方法制备的Cu6Sn5基单晶无铅互连焊点弹性模量是常规Sn基钎料的235％，而电导率和热导率分别达到Sn基钎料的52.4％和57.8％，具有成本低、耐高温、与Cu基焊盘互连可靠性高、抗蠕变能力强、可在恶劣条件下长期服役的优点该方法具有工作原理简单、成本低、单晶制备快速且品质高的优点。
一种高温封装 cu sub sn 基单晶无铅焊点定向互连方法

[发明专利]一种三维封装互连焊点下Cu6-CN201510390429.0在审
发明人：张志昊;李明雨;操慧珺 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层的合成方法，包括：1)Cu6Sn5相单晶薄层制备；2)铜焊盘表面蒸镀锡层；3)Cu6Sn5相单晶薄层转移；4)Cu6Sn5相单晶薄层与铜基焊盘冶金互连。所得Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层结构的元素扩散阻挡能力是传统镍基元素扩散阻挡层结构的72倍以上，是Cu焊点下元素扩散阻挡层结构的潜力，有极高的工业应用价值。
一种三维封装互连焊点下 cu base sub

[发明专利]一种HJT电池丝网及其印刷方法-CN202111238278.9有效
发明人：任法渊;杨立友;黄金;王继磊;鲍少娟;白炎辉;杨骥;杨文亮;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： B41F15/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种HJT电池丝网，包括两行平行排布的若干条主栅线；每条主栅线上均设置有两个端点焊点、若干个中间焊点和若干个焊点连接线。印刷方法：（1）对N型单晶硅片进行制绒处理，形成金字塔绒面，去除杂质离子，进行表面清洁；（2）在N型单晶硅片的正背面分别制备双本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，并沉积ITO薄膜；（3）通过分步丝网印刷形成正、
一种 hjt 电池丝网及其印刷方法

[发明专利]一种测热式微型流量传感器-CN200510062113.5无效
发明人：傅新;谢海波;杨华勇;段萱苡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G01F1/68 文献下载
摘要：在单晶硅衬底上，自下至上依次设有二氧化硅绝热膜、含有加热元件和热电堆半导体电极构成的单晶硅膜、二氧化硅隔离层，热电堆金属电极、金属连线和焊点，氮化硅膜；或在单晶硅衬底中间填充有硅胶填充物；或在中间填充有硅胶填充物的单晶硅衬底上面设有热电堆半导体电极和加热元件，热电堆半导体电极从自下至上依次设有二氧化硅隔离层，热电堆金属电极、金属连线和焊点，氮化硅膜。
一种式微流量传感器

[实用新型]测热式微型流量传感器-CN200520117385.6无效
发明人：傅新;谢海波;杨华勇;段萱苡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： G01F1/68 文献下载
摘要：在单晶硅衬底上，自下至上依次设有二氧化硅绝热膜、含有加热元件和热电堆半导体电极构成的单晶硅膜、二氧化硅隔离层，热电堆金属电极、金属连线和焊点，氮化硅膜；或在单晶硅衬底中间填充有硅胶填充物；或在中间填充有硅胶填充物的单晶硅衬底上面设有热电堆半导体电极和加热元件，热电堆半导体电极从自下至上依次设有二氧化硅隔离层，热电堆金属电极、金属连线和焊点，氮化硅膜。
式微流量传感器

[发明专利]一种晶粒取向一致的对接接头电迁移测试方法-CN201710313851.5有效
发明人：汉晶;郭福;刘建萍 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：将两个焊盘之间采用钎料焊膏重熔焊接成钎料接头，钎料对接接头采用环氧树脂粘附于基板上，钎料接头至少有一个侧面表面作为钎料对接接头截面，选取在PLM下呈现单一晶粒取向的钎焊对接接头；对接单晶接头进行线切割，在单晶焊点晶粒c轴与电流方向夹角一致的前提下获得具备可比性的焊点可靠性评价。
一种晶粒取向一致对接接头迁移测试方法

[实用新型]半导体晶圆铝压焊点键合结构-CN201620348433.0有效
发明人：朱勇 -专利权人：上海纪元微科电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆铝压焊点键合结构，至少包括键合于所述半导体晶圆上的铝层以及设置于所述铝层外的金属介质层，所述金属介质层从内向外依次包括镍层和钯层；所述镍层的厚度为3‑5μm，所述钯层的厚度为本实用新型易于在半导体单晶圆铝压焊点上形成金属间化合物且不易形成柯肯德尔空洞。
半导体晶圆铝压焊点键合结构

[实用新型]一种二次加料装置便携式辅助装置-CN201721471643.X有效
发明人：辛玉龙;董皓;杨旭彪;吕涛;罗晓斌;廉佳林 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅生产领域。该便携式辅助装置为一个内部中空的法兰盘，该法兰盘的外缘上有三个均匀分布在以法兰盘为中心的一个圆周上的通孔，该法兰盘的内缘的内沿上有三个均匀分布在以法兰盘为中心的一个圆周上的卡片，在需要二次加料时，该法兰盘通过通孔螺栓连接固定在单晶炉的上炉筒的底部本实用新型的有益效果是：有效避免了焊点压缩晶棒四周生产空间的问题，安全便捷，完全消除了焊点卡死晶棒、拉断籽晶绳的安全质量隐患。
法兰盘便携式辅助装置二次加料装置焊点本实用新型晶棒通孔卡片单晶硅安全便捷二次加料螺栓连接内部中空生产空间质量隐患单晶炉加料器上炉筒籽晶绳卡环卡死拉断内缘压缩安全

[发明专利]键合铜丝及其制备方法-CN200610154487.4有效
发明人：房跃波;郑志法;郑康定 -专利权人：宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：0.001％，锌或锡0.0003％～0.0008％，余量为铜，铜的纯度≥99.996％；本发明还公开了该键合铜丝的制备方法，它包括：用纯度为99.99wt％的铜电解提纯出纯度为99.999wt％的铜；经金属单晶水平连铸方法制作出纯度为99.9999wt％的单晶铜；制作中间合金；按材料配方将纯度为99.9999wt％的单晶铜与中间合金经金属单晶水平连铸方法制作出本键合铜丝的坯料；拉伸；退火；分卷；真空包装。该键合铜丝能替代键合金丝且其材料本身具有能避免第二焊点逃丝及可去掉危险保护气体——氢气的性质。
铜丝及其制备方法

[发明专利]用于制造埋栅太阳能电池的方法以及埋栅太阳能电池-CN202211087653.9在审
发明人：马哲国 -专利权人：理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：所述埋栅太阳能电池包括单晶硅片，所述单晶硅片正面上依次形成有第一本征非晶硅层以及第一氮化硅减反层，所述单晶硅片反面上开设有多个凹槽，所述多个凹槽中设置有电镀电极，所述单晶硅片反面上依次形成有第二本征非晶硅层以及第二氮化硅减反层，连接导线通过由激光焊接工艺形成的焊点与硅片两端的电镀电极焊接连接，所述多个凹槽的槽壁为N型重掺层或P型重掺层，相邻凹槽槽壁的重掺杂类型相反。
用于制造太阳能电池方法以及

[发明专利]一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法-CN201210211211.0无效
发明人：李亮亮;卢年端;蔡坚;王谦 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：该方法通过选取掩膜图案，在单晶硅片基板上刻蚀出相对应的结构形貌；然后在刻蚀区沉积一层Ti膜或Cr膜，接着再沉积一层Cu膜；利用电镀或者化学镀方法在Cu膜表面镀上一层Co基膜或者Ni基膜；接着放入回流焊炉本发明与传统焊球凸点技术相比，大大降低焊球所占的空间、减小电子元器件的体积以及增加半导体器件的集成度；增加了焊点与底部金属层的接触面积，从而增强了焊点与底部金属层的粘接强度以及焊球与基体的剪切强度，大大增加焊点的稳定性与可靠性
一种基于刻蚀方式焊球凸点封装技术方法

[发明专利]一种气敏传感器-CN200710117612.9有效
发明人：黄钦文;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种气敏传感器，包括单晶硅衬底，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层，加热测温电极、叉指电极，加热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点、加热测温电极引出线压焊点和气体敏感层
一种传感器

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