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[发明专利]半导体化合物-CN201280024702.2有效
发明人：贝弗莉·安妮·布朗;西蒙·多米尼克·奥吉尔;马可·帕伦博;克里·劳拉·梅可;雷蒙德·费希尔;迈克尔·詹姆斯·西姆斯;尼尔·大卫·佛利斯特;亚伦·詹姆斯·佩吉;斯图尔特·埃德蒙·威利茨;朱莉·戴安·埃利斯·琼斯 -专利权人：普罗赛斯创新中心有限公司;皮克达尔分子有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：发明包含一种半导体聚合物，其在1000Hz下的电容率大于3.4且在纯态下的电荷迁移率大于10-7cm2V-1s-1且更优选地大于10-6cm2V-1s-1。优选的聚合物包括具有特定氰基和/或烷氧基取代的三芳基胺的重复单元。它们适用于诸如有机薄膜晶体管的电子元件中。
半导体化合物

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310570939.7无效
发明人：西森理人;今田忠纮;多木俊裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙；形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层；形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极；形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层，并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙；以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层，并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN201080068051.8有效
发明人：今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明中设有与化合物半导体层（102）绝缘且与电极（101）和化合物半导体层（103）相接的电极（109）。化合物半导体层（103）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（104）的晶格常数，化合物半导体层（107）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（107）的晶格常数。另外，化合物半导体层（103）的传导带的能量高于化合物半导体层（104）的传导带的能量。
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路-CN201210385127.0无效
发明人：西森理人;多木俊裕;吉川俊英 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路。化合物半导体器件包括：其中形成有载流子的第一化合物半导体层；设置在第一化合物半导体层上方的供给载流子的第二化合物半导体层；以及设置在第二化合物半导体层上方的第三化合物半导体层，其中第三化合物半导体层包括载流子浓度高于第二化合物半导体层的载流子浓度的区域
化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201480053831.3在审
发明人：富田英幹;兼近将一;桑原诚;上田博之 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-08 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：半导体装置具备：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其与第一化合物半导体层相比带隙较大；p型的第三化合物半导体层，其被设置在第二化合物半导体层上的一部分处；p型的第四化合物半导体层，其被设置在第三化合物半导体层上，并且与第三化合物半导体层相比为高电阻；栅电极，其被设置在第四化合物半导体层上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有掩埋式场板的化合物半导体器件-CN201210557724.7有效
发明人： G.库拉托拉;O.赫贝尔伦 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及具有掩埋式场板的化合物半导体器件。一种半导体器件包括第一化合物半导体材料和在第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料。第二化合物半导体材料包括与第一化合物半导体材料不同的材料，使得第一化合物半导体材料具有二维电子气（2DEG）。该半导体器件还包括设置在第一化合物半导体材料中并被电连接至半导体器件的端子的掩埋式场板。2DEG被插入掩埋式场板与第二化合物半导体材料之间。
具有掩埋式场板化合物半导体器件

[发明专利]化合物半导体集成电路的抗湿气结构-CN201610339047.X在审
发明人：花长煌;邵耀亭 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物半导体集成电路的抗湿气结构，包括一化合物半导体基板、一化合物半导体磊晶结构、一化合物半导体集成电路以及一湿气阻隔层。其中化合物半导体磊晶结构形成于化合物半导体基板之上。化合物半导体集成电路形成该化合物半导体磊晶结构之上。湿气阻隔层形成于化合物半导体集成电路之上。其中湿气阻隔层由氧化铝所构成，湿气阻隔层的厚度大于或等于且小于或等于藉此提高化合物半导体集成电路的抗湿气能力。
化合物半导体集成电路湿气结构

[发明专利]半导体装置-CN201010202798.X有效
发明人：伊藤伸之;约翰·K·特怀南 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置。在一个实施方式中，本发明的半导体装置具备：基板、层积在该基板上且构成基底的基底化合物半导体层、层积在该基底化合物半导体层上且划定沟道的划定沟道化合物半导体层，且具备在所述基底化合物半导体层的层积范围内层积并控制冲击离子化现象发生的位置的冲击离子控制层，所述基底化合物半导体层由第一化合物半导体形成，所述划定沟道化合物半导体层由第二化合物半导体形成，所述冲击离子控制层由禁带宽度比所述第一化合物半导体的禁带宽度小的第三化合物半导体形成。
半导体装置

[发明专利]半导体纳米颗粒及包含半导体纳米颗粒的电子装置-CN202080103220.0在审
发明人：权善英;裵完基;李学俊;权永洙;吴根灿;李赫珍;张峻赫 -专利权人：三星显示有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请提供了半导体纳米颗粒、包含所述半导体纳米颗粒的薄膜以及包括所述薄膜的电子装置，所述半导体纳米颗粒包括：由第一半导体化合物组成的团簇；覆盖所述团簇的表面的至少一部分并且包含第二半导体化合物的核；以及覆盖所述核的表面的至少一部分并且包含第三半导体化合物的壳，其中所述第一半导体化合物和所述第三半导体化合物各自包含锌(Zn)，所述第二半导体化合物包含Zn、碲(Te)和硒(Se)，所述第一半导体化合物和所述第二半导体化合物彼此不同，以及所述第二半导体化合物和所述第三半导体化合物彼此不同
半导体纳米颗粒包含电子装置

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电源-CN201510178598.8有效
发明人：冈本直哉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源。一种化合物半导体器件，包括衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气
化合物半导体器件及其制造方法以及电源

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电源-CN201210044499.7有效
发明人：冈本直哉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。
化合物半导体器件及其制造方法以及电源

[发明专利]化合物半导体衬底的制造方法-CN200810170558.9无效
发明人：宫孝夫;富谷茂隆;碓井彰 -专利权人：索尼株式会社;日本电气株式会社
申请日： 2002-04-05 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
化合物半导体衬底制造方法

[发明专利]化合物半导体衬底的制造方法-CN02105475.4无效
发明人：宫嶋孝夫;富谷茂隆;碓井彰 -专利权人：索尼公司;日本电气株式会社
申请日： 2002-04-05 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层,并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤,制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤通过晶体生长,在单晶衬底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层),使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔;以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束,从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层,而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
化合物半导体衬底制造方法

[发明专利]发光器件-CN201210353540.9无效
发明人：幸田伦太郎;渡边秀辉;仓本大;河野俊介;宫嶋孝夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：提供了一种发光器件，其包括：（a）通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及第二导电类型的第二化合物半导体层来获得的层结构；（b）形成于第二化合物半导体层上的第二电极；以及（c）电连接于第一化合物半导体层的第一电极。该层结构由第二化合物半导体层的在第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成。第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度。第一化合物半导体层中形成有高折射率层，该高折射率层由具有比第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。
发光器件

[发明专利]半导体器件和方法-CN201510010132.7有效
发明人： G·库拉托拉 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一化合物半导体材料和位于第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料，第一化合物半导体材料包括第一掺杂浓度，第二化合物半导体材料包括与第一化合物半导体材料不同的材料。该半导体器件进一步包括控制电极和至少一个掩埋半导体材料区域，该至少一个掩埋半导体材料区域包括不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。该至少一个掩埋半导体材料区域被设置在第一化合物半导体材料中的除了第一化合物半导体材料被控制电极覆盖的区域之外的区域中。
半导体器件方法

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