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[发明专利]制造化合物半导体霍尔元件的方法-CN202110559624.7在审
发明人：胡双元;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种制造化合物半导体霍尔元件的方法。所述方法包括在半导体单晶衬底上外延生长化合物半导体材料膜，作为所述化合物半导体霍尔元件的磁感应功能层；在化合物半导体材料膜和基板的至少一个的表面上涂覆粘结层，并通过粘结层将化合物半导体材料膜与基板面对面键合在一起；选择性移除半导体单晶衬底和化合物半导体材料膜的一部分，并且通过图形化工艺来形成磁感应部；在磁感应部的周边形成电极部；在磁感应部和电极部的至少一部分上形成一保护层并且暴露出电极部的金属接触区域。该磁感应部的迁移率高和方块电阻高，从而该化合物半导体霍尔元件的灵敏度高和功耗低。
制造化合物半导体霍尔元件方法

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN201210266766.5有效
发明人：小谷淳二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置的一个实施例包括：衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上方形成的栅极电极、源极电极和漏极电极。所述化合物半导体堆叠结构包括：电子沟道层；以及氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括在所述电子沟道层上方形成的电子供给层。在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率低于在所述栅极电极下方的区域中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造钻石半导体复合基板的方法-CN201680027914.4有效
发明人：丹尼尔·法兰西斯 -专利权人： RFHIC公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制造钻石半导体复合基板的方法，方法包括以下步骤：(i)从原生半导体晶圆开始，包括化合物半导体设置在其上的原生碳化硅生长基板；(ii)将碳化硅载体基板贴合至化合物半导体；(iii)移除原生碳化硅生长基板；(iv)形成化合物半导体上的成核层；(v)在成核层上生长多晶化学气相沉积(CVD)钻石以形成复合钻石‑化合物半导体‑碳化硅晶圆；以及(vi)通过激光剥离移除碳化硅载体基板以实现层状结构，包括经由成核层贴合至多晶化学气相沉积钻石的化合物半导体其中在步骤(ii)中，碳化硅载体基板是经由激光吸收材料贴合至化合物半导体，激光吸收材料吸收在相干长度短于碳化硅载体基板的厚度的激光。
制造钻石半导体复合方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201410098707.0有效
发明人：石黑哲郎;中村哲一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种化合物半导体器件，包括衬底；和形成在衬底之上的化合物半导体层叠结构，该化合物半导体层叠结构包括含杂质的缓冲层，和形成在缓冲层之上的有源层。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210083484.5在审
发明人：卓鸿钧;廖思豪;胡毓祥;郭宏瑞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：半导体管芯，包括半导体材料；通孔，邻近半导体管芯，通孔包括金属；密封剂，位于通孔和半导体管芯周围，密封剂包括聚合物树脂；以及粘合层，位于密封剂和通孔之间，粘合层包括具有芳香族化合物和氨基的粘合剂化合物，氨基结合至密封剂的聚合物树脂，芳香族化合物结合至通孔的金属，芳香族化合物对半导体管芯的半导体材料是化学惰性的。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]发光器件的制造方法-CN201210086655.6有效
发明人：白好善;金学焕;吴承璟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：该发光器件包括具有第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构；位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层；位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁
发光器件制造方法

[发明专利]氮化镓基Ⅲ－V族化合物半导体发光器件及其制造方法-CN200410098373.3无效
发明人：郭准燮;成泰连;宋俊午;林东皙 -专利权人：三星电子株式会社;光州科学技术院
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种GaN基III－V族化合物半导体发光器件和制作GaN基III－V族化合物半导体发光器件的方法。GaN基III－V族化合物半导体发光器件包括：至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层，它们位于n型电极和p型电极之间。P型电极包括：位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层；和位于第一电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第二电极层
氮化化合物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体的活性化方法及装置-CN200680052137.5有效
发明人：河口纪仁 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：将化合物半导体放入到反应容器(12)内；用在化合物半导体熔点下的平衡蒸气压为1大气压以下的低蒸气压气体(2)对反应容器内进行置换；一边将反应容器内保持在前述平衡蒸气压以上的压力，一边使低蒸气压气体沿着化合物半导体表面流过；对化合物半导体表面照射光子能量大于前述化合物半导体带隙的脉冲激光(3)。由此，一边将低蒸气压气体的气氛温度保持在室温或分解温度以下，一边仅对脉冲激光照射位置的化合物半导体进行瞬间加热并使其熔融。
化合物半导体活性方法装置

[发明专利]用于制备化合物半导体衬底的方法-CN200810211494.2有效
发明人：李浩准;金容进;李东键;金杜洙;金知勋 -专利权人：硅得荣株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是有关一种用于制备化合物半导体衬底的方法。所述方法包含：在衬底上涂覆多个球体；在涂覆有球体的衬底上生长化合物半导体外延层，同时使得在球体下方形成孔隙；以及冷却上面生长化合物半导体外延层的衬底，使得衬底和化合物半导体外延层沿着孔隙自动分离。另外，因为通过自动分离来分离衬底和化合物半导体外延层，所以不需要激光剥离过程。
用于制备化合物半导体衬底方法

[发明专利]半导体元件、半导体基底及其形成方法-CN201710201928.X有效
发明人：薛芳昌;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件、半导体基底及其形成方法。半导体基底包括第一含硅层、单晶态III‑V族化合物半导体层以及非晶态III‑V族化合物半导体层。第一含硅层具有第一区以及第二区。单晶态III‑V族化合物半导体层配置于第一区的第一含硅层上。非晶态III‑V族化合物半导体层配置于第二区的第一含硅层上。
半导体元件基底及其形成方法

[发明专利]氮化物系化合物半导体和化合物半导体的清洗方法、这些半导体的制造方法及基板-CN200610081873.5无效
发明人：八乡昭广;西浦隆幸 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-05-17 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供一种抑制杂质或微粒等异物附着在化合物半导体表面的清洗方法和制造方法。本发明的氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体的工序(基板准备工序(S10))、和清洗工序(S20)。在清洗工序(S20)中，基于pH值为7.1以上的清洗液对氮化物系化合物半导体进行清洗。
氮化物化合物半导体清洗方法这些制造

[发明专利]含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体-CN200680007702.6有效
发明人：克里斯托弗·P·格拉赫;戴维·A·恩代尔;丹尼斯·E·沃格尔 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明描述了半导体器件，其包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω－双－全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体层。此外，描述了制造半导体器件的方法，包括沉积包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω－双(2－全氟醚酰基)低聚噻吩化合物的半导体层。
含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物半导体

[发明专利]磷化硼基化合物半导体器件、其制造方法以及发光二极管-CN200380104447.3无效
发明人：宇田川隆 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2003-12-01 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件性能优异的磷化硼基化合物半导体器件，其包括具有宽带隙的磷化硼基化合物半导体层。所述磷化硼基化合物半导体层包括非晶层和与非晶层结合的多晶层，并且所述磷化硼基化合物半导体层的室温带隙为3.0eV至小于4.2eV。
磷化化合物半导体器件制造方法以及发光二极管

[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法及电子装置-CN200980105610.5无效
发明人：秦雅彦;高田朋幸 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度等性能。半导体基板包括：硅基板；形成于硅基板上且具有抵达硅基板的开口部的绝缘膜；形成于开口部的Ge结晶；以Ge结晶为核进行成长而成、且形成为比绝缘膜的表面更凸出的化合物半导体结晶；以及以化合物半导体结晶为晶种面，在绝缘膜上进行横向成长而成的横向成长化合物半导体层。
半导体制造方法电子装置

[发明专利]氮化镓单晶基板及其制造方法-CN200480006280.1无效
发明人：平松和政;三宅秀人;坊山晋也;前田尚良;小野善伸 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-03-04 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板的制造方法，其特征在于，在制造具有作为由通式In_xGa_yAl_zN(式中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示的III－V族化合物半导体单晶，降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板时，具有第一工序和第二工序，其中所述第一工序，使用具有多个突起状形状的该III－V族化合物半导体单晶，用由与该III－V族化合物半导体异种材料制成的掩模覆盖得仅使该结晶端部附近形成开口部分；所述第二工序，以该开口部分的III－V族化合物半导体单晶作为种晶，使该III－V族化合物半导体单晶沿着横向生长；能够制造位错密度小、弯曲少的氮化物系III－V族化合物半导体单晶的自立基板。
氮化镓单晶基板及其制造方法

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