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[发明专利]功率半导体器件-CN201811621100.0有效
发明人：周锌;赵凯;王睿迪;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种功率半导体器件，包括第二导电类型衬底、第一导电类型下漂移区、第一导电类型漏极接触区、漏极金属电极、第二导电类型下体区、第一导电类型下源极区、第二导电类型下体接触区、下源电极、下栅介质层、下栅电极、埋氧化层、第一导电类型上漂移区、第二导电类型上体区、第一导电类型上源极区、第二导电类型上体接触区、上源电极、第一导电类型上漏极接触区、上栅介质层、上栅电极，本发明降低了LDMOS器件的导通电阻，同时不影响器件的关态击穿电压特性，在维持击穿电压不变的基础上，采用本发明提出的双层LDMOS器件结构，相比传统LDMOS器件导通电阻降低超过50％，因此有效降低了器件的器件的导通功耗。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201680078059.X有效
发明人： L.董策尔;J.舒德雷尔;J.多布青斯卡;J.沃贝基 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件，该功率半导体器件包含衬底（12），该衬底具有第一侧（14）和第二侧（16），第一侧（14）和第二侧（16）定位成与彼此相对，其中，第一侧（14）包含阴极（18），且其中，第二侧如上所述的器件（10）因而解决结端的钝化的问题，且因而防止或至少降低重大缺陷（诸如，由膜性质的变化、不稳定性、渗水性、可移动的离子（诸如，钠）的渗透性、针孔和裂纹以及由于退化和应力而导致的铝金属断开或腐蚀所引起的不稳定的器件运行
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN202110526994.0有效
发明人：陈超;张海泉;麻长胜;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件，包括：覆金属绝缘陶瓷衬底，上层和下层分别为第一导电金属层和第二导电金属层，中间层为陶瓷层，第一导电金属层上设置有上桥臂单元和下桥臂单元；多个SiC MOSFET芯片，焊接在第一导电金属层，其中，上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的数量与下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的数量相同；第一功率金属箔片，内部设置有第一信号金属箔片，下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的栅极信号的第一金属线均汇集在第一信号金属箔片内，并且紧密排布；第二功率金属箔片，内部设置有第二信号金属箔片，上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的栅极信号的第二金属线均汇集在第二信号金属箔片内，并且紧密排布。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201910666400.9有效
发明人：埃迪·黄;尼古拉斯·A·M·科佩尔;马特加兹·罗兹曼;斯蒂芬·D·伍德;章剑峰 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件，包括：具有单极传导结构和双极传导结构的半导体衬底、第一端子和第二端子。第一传导路径在功率半导体器件的导通状态期间，以第一频率接通和断开，并且第二传导路径在第一传导路径的断开阶段期间，以高传导率模式操作，和在第一传导路径的导通阶段期间，以低传导率模式操作。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN202080054574.0有效
发明人： Z·普塔科娃;M·蒂尔瑟 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件(10)，包括：盘状第一电极(12a)和盘状第二电极(12b)；晶片(16)，晶片夹在第一电极(12a)和第二电极(12b)之间；附接到第一电极(12a)和第二电极(12b)的外绝缘环
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201210241675.6无效
发明人：许承培;金基世 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了功率半导体器件以及其制造方法。该功率半导体器件包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极的外部处的绝缘层，该阳极电极包括阳极电极焊垫、电极汇流线、以及多个第一阳极电极指和多个第二阳极电极指，该电极汇流线连接到阳极电极焊垫上的第一侧和第二侧
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201210265563.4无效
发明人：许承培;李宪福;金基世 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括设置在器件有源区并在朝向第一侧的方向上变宽的源电极、与源电极交替布置在器件有源区并在朝向面对第一侧的第二侧的方向上变宽的漏电极、设置在源电极和漏电极上并被配置为包括接触源电极和漏电极的多个通路接触的绝缘层
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201110105565.2无效
发明人：斋藤涉;小野升太郎;薮崎宗久;谷内俊治;渡边美穗 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，具备：第一导电类型的第一半导体层；上述第一导电类型的第二半导体层和第二导电类型的第三半导体层，横向上周期性地设置在第一半导体层之上；上述第二导电类型的第四半导体层，设置在上述第三半导体层之上；上述第一导电类型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面；第一主电极，与上述第一半导体层连接；第二主电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；第一绝缘膜，设置在从上述第五半导体层的表面直至上述第二半导体层的沟槽的侧壁
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN96113081.4无效
发明人：石川胜美;齐藤克明;佐藤裕;渡边笃雄;加藤修治;门马直弘 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1996-10-03 - 公布日： 1997-05-21 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：在一种如二极管和可控硅这类至少包含一个位于一对主表面之间的pn结、一个在主表面之一的表面上形成的第一主电极和一个在另一主表面上形成的第二主电极的半导体器件中，形成一种半导体晶格缺陷，使得晶格缺陷密度从第一主电极到第二主电极方向逐渐增大
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN200710152878.7无效
发明人：坂本光造;井上洋典;宫内昭浩;白石正树;森睦宏;渡边笃雄;大柳孝纯 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2000-12-08 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，一对相对的侧边缘位于垂直于
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201910414123.2无效
发明人： B.施托伊布;H-J.舒尔策;M.C.赛费尔特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提出了一种功率半导体器件，包括：半导体本体，其具有耦合到第一负载端子结构的正面和耦合到第二负载端子结构的背面；正面结构，其被布置在正面处并且至少部分地被包括在半导体本体中，该正面结构限定正面有源区域，该正面有源区域被配置成用于在功率半导体器件的导通状态下在第一负载端子结构与第二负载端子结构之间传导负载电流，其中该正面结构展现出第一横向边缘部分、第二横向边缘部分和第一拐角部分，该第一拐角部分形成第一横向边缘部分与第二横向边缘部分之间的过渡；第一导电类型的漂移区域，其被包括在半导体本体中并且被配置成用于承载负载电流；以及背面发射极区域，其被布置在半导体本体中与第二负载端子接触。
负载端子半导体本体横向边缘正面结构功率半导体器件源区域耦合到拐角背面传导负载电流第一导电类型发射极区域导通状态负载电流漂移区域地被配置承载

[实用新型]功率半导体器件-CN201420301951.8有效
发明人： H-J·舒尔策;F·普菲尔施;H·许斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件，包括：半导体基底层，具有第二导电类型的下部半导体层；有源区，包括：由半导体基底层的至少一部分形成的漂移区；第二导电类型的本体区，形成在漂移区的至少一部分上；第一导电类型的源极区，位于本体区中；第一导电类型的第一掺杂区，至少部分位于本体区之下，所述第一掺杂区的掺杂浓度高于半导体基底层的掺杂浓度；发射极电极，连接到所述源极区；从半导体基底层的顶部向下延伸的沟槽，含有连接到发射极电极的屏蔽电极，其中沟槽延伸到基底层中的深度比第一掺杂区深；和栅极，至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与屏蔽电极电绝缘；其中半导体基底层与布置在半导体基底层上的绝缘层直接接触。
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN201420302039.4有效
发明人： H-J·舒尔策;F·普菲尔施;H·许斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：半导体衬底，具有第二导电类型的下部半导体层和在下部半导体层上的第一导电类型的上部半导体层；具有第二导电类型的本体区，位于半导体衬底的顶部；具有第一导电类型的源极区，位于本体区的顶部；第一导电类型的第一掺杂区，至少部分位于本体区之下且在至少部分上部半导体层之上，所述第一掺杂区的掺杂浓度高于上部半导体层的掺杂浓度，并且所述第一掺杂区的垂直延伸相对较小；发射极电极，电连接到所述源极区；从半导体衬底的顶部向下延伸的沟槽，含有屏蔽电极，所述屏蔽电极连接到所述发射极电极；以及栅极，至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与所述屏蔽电极电绝缘。
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN201420301640.1有效
发明人： H-J.舒尔策;F.普菲尔施;H.许斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的基底层，具有第二导电类型的下部半导体层；基底层中的有源区，包括：第二导电类型的本体区；第一导电类型的源极区，位于本体区中；发射极电极
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN201420301639.9有效
发明人： H-J.舒尔策;F.普菲尔施;H.许斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件，包括：第一导电类型的基底层，具有第二导电类型的下部半导体层；有源区，包括：第二导电类型的本体区；第一导电类型的源极区，位于本体区中；发射极电极，连接到所述源极区；从半导体衬底的顶部向下延伸的沟槽
功率半导体器件