专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种利用超临界流体技术制备铋基二维垂直异质结催化剂的方法-CN202310849474.2在审
  • 周燕南;张东东;张守仁;杨保成 - 黄河科技学院
  • 2023-07-12 - 2023-09-26 - B01J27/232
  • 本发明公开超临界流体制备二维垂直基异质结催化剂的方法,包括以下步骤:将Bi(NO3)3·5H2O和KIO3分散在去离子水中,Bi(NO3)3·5H2O和KIO3的摩尔比为0.5‑2.0,剧烈搅拌后,调节溶液pH至1‑3,得到悬浮液;将悬浮液转移至超临界反应釜中,将反应釜加热至40‑200℃,将CO2通入反应釜至8‑30MPa,磁力搅拌1‑6h;自然冷却到室温后缓慢释放CO2泄压,超临界处理后的悬浮液采用离心方式分离获取沉淀,将沉淀洗涤干燥。本发明利用超临界CO2的溶剂特性和CO2小分子的定向化学吸附反应策略,实现Bi2O2CO3在BiOIO3上的二维定向自组装,进而成功制备化学键和、大尺寸的铋基二维垂直异质结。本发明可以解决现有异质结催化剂因界面单一、形貌不匹配和界面接触不良等原因造成的载流子分离效率低等问题,显著提高CO2光还原性能。
  • 一种利用临界流体技术制备二维垂直异质结催化剂方法
  • [发明专利]三维单晶堆栈的内存结构-CN202111527298.8在审
  • 张守仁;廖洺汉;陈旻政;吉田宏 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2021-12-14 - 2023-06-02 - H01L27/06
  • 本发明公开一种三维单晶堆栈的内存结构,包含一半导体基底、一场效晶体管位于该半导体基底上、多个后段金属层位于该场效晶体管以及该半导体基底上、一氧化物半导体场效晶体管位于该多个后段金属层中,其中该氧化物半导体场效晶体管的漏极与该场效晶体管的栅极连接、以及一铁电金属‑绝缘层‑金属存储电容器形成在该些后段金属层上方,其中该铁电电容器的下电极与该氧化物半导体场效晶体管的该漏极以及该场效晶体管的该栅极连接,且该场效晶体管、该氧化物半导体场效晶体管、以及该铁电电容器是由下而上依序堆栈设置于该半导体基底上。
  • 三维堆栈内存结构
  • [发明专利]晶片结构及其制造方法-CN202210201943.5在审
  • 吕俊麟;张守仁;朱影璁;蔡明勋 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2022-03-03 - 2023-02-03 - H01L23/488
  • 本发明公开一种晶片结构及其制造方法。晶片结构包括基底结构、第一介电层、多个测试垫、第二介电层以及多个接合垫。第一介电层设置于基底结构上。多个测试垫设置于第一介电层中且暴露于第一介电层外。各个测试垫具有凹陷。第二介电层设置于第一介电层上。第二介电层具有远离多个测试垫的顶表面。多个接合垫设置于第二介电层中且暴露于第二介电层外。各个接合垫电连接至对应的测试垫。多个接合垫具有远离多个测试垫的接合面。接合面与顶表面齐平。在基底结构的法线方向上,各个接合垫不重叠于对应的测试垫的凹陷。
  • 晶片结构及其制造方法
  • [发明专利]铁电存储器结构-CN202111018905.8在审
  • 张守仁;廖洺汉;陈旻政;吉田宏 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2021-09-01 - 2023-02-03 - H01L23/64
  • 本发明公开一种铁电存储器结构,包括第一导线、第二导线与存储单元。第二导线设置在第一导线上。存储单元设置在第一导线与第二导线之间。存储单元包括开关元件与铁电电容器结构。开关元件设置在第一导线与第二导线之间。铁电电容器结构设置在第一导线与开关元件之间。铁电电容器结构包括电连接的多个铁电电容器。每个铁电电容器包括第一导体层、第二导体层与铁电材料层。第二导体层设置在第一导体层上。铁电材料层设置在第一导体层与第二导体层之间。多个铁电电容器中的多个铁电材料层具有不同上视面积。
  • 存储器结构

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