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[发明专利]用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠-CN202110644015.1有效
发明人：张家源;赖德洋;林揆伦;于雄飞;徐志安;林宗达;侯承浩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供了用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠。一种形成半导体结构的方法包括：分别在衬底的NMOS区域和PMOS区域中提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第一层；在第二沟道层上方而不在第一沟道层上方形成第一偶极图案；通过退火将来自第一偶极图案的第一金属驱动到第一层中；去除第一偶极图案；在第一层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第二层；在第二层和第一沟道层上方而不在第二沟道层上方形成第二偶极图案；通过退火将来自第二偶极图案的第二金属驱动到第二层中；去除第二偶极图案；以及在第二层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包含氧化铪的第三层。
用于函数工程层高栅极堆叠

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310339295.4在审
发明人：赖蓓盈;许家玮;林宗达;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，此方法包含形成第一鳍结构于基底的第一区之上以及第二鳍结构于基底的第二区之上，形成第一栅极介电层围绕第一鳍结构和第二栅极介电层围绕第二鳍结构，形成阻挡层于第一栅极介电层之上，用第一含氟气体处理基底，在用第一含氟气体处理基底之后，形成功函数层于第二栅极介电层之上，以及在形成功函数层于第二栅极介电层之上之后，用第二含氟气体处理基底。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210933365.4在审
发明人：吴俊毅;苏崇毅;林宗达;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括：在半导体区域上形成伪栅极堆叠件，在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件，去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成凹槽，以及在半导体区域上形成氧化硅层。氧化硅层延伸至凹槽中。在氧化硅层上方沉积高k介电层，并且在高k介电层上方沉积硅层。硅层延伸至凹槽中。高k介电层与硅层在相同的真空环境中原位沉积。该方法还包括对硅层和高k介电层执行退火工艺，去除硅层，以及在高k介电层上方形成栅电极。栅电极填充凹槽。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210813554.8在审
发明人：赖德洋;彭峻彦;林宗达;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例包括：器件，包括位于第一半导体部件的第一沟道区域上的第一高k栅极电介质，第一高k栅极电介质是具有在至范围内的晶粒尺寸的结晶层。器件也包括位于第一高k栅极电介质上的第一栅电极。器件也包括位于第一栅电极的相对侧上的源极区域和漏极区域。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210994858.9在审
发明人：赖德洋;陈学儒;林宗达;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括设置在衬底上方的第一器件区域中的第一沟道区域；设置在第一沟道区域上方的第一栅极介电层；以及设置在第一栅极介电层上方的栅电极。第一栅极介电层包括第一偶极子掺杂剂和第二偶极子掺杂剂。第一偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电层的厚度方向具有第一浓度峰，并且第二偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电层的厚度方向具有第二浓度峰。第二浓度峰位于第一浓度峰和第一栅极介电层的上表面之间。第二浓度峰偏离第一栅极介电层的上表面。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210864519.9在审
发明人： 林宗达;许家玮;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在半导体部件的沟道区域上形成栅极介电层；在栅极介电层上沉积功函数调整层，功函数调整层包括第一功函数调整元素；通过原子层沉积在功函数调整层上沉积覆盖层，覆盖层由氧化物或氮化物形成；在覆盖层覆盖功函数调整层时执行退火工艺，退火工艺将第一功函数调整元素从功函数调整层驱动到栅极介电层中；去除覆盖层以暴露功函数调整层；以及在功函数调整层上沉积填充层。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210939388.6在审
发明人：陈学儒;陈昱璇;吴俊毅;黄文宏;林宗达;陈建豪;洪正隆;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区的，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，第一沟道区上的第一界面层的第一部分具有比第二沟道区上的第二界面层的第二部分大的厚度，第二沟道区具有比第一沟道区大的高度。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202210071236.9在审
发明人：林揆伦;陈彦甫;李达元;林宗达;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构的形成方法。半导体装置结构的形成方法包括提供基板与基板之上的绝缘层。半导体装置结构的形成方法包括利用原子层沉积制程于绝缘层之上及宽沟槽与窄沟槽中沉积栅极介电层。半导体装置结构的形成方法包括于栅极介电层之上形成栅极电极层。半导体装置结构的形成方法包括移除位于宽沟槽与窄沟槽之外的栅极介电层与栅极电极层。
半导体装置结构形成方法

[发明专利]纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法-CN202110326123.4在审
发明人：赖德洋;陈学儒;林宗达;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体器件的第一器件区域中，在突出高于衬底的第一鳍之上形成第一纳米结构；在半导体器件的第二器件区域中，在突出高于衬底的第二鳍之上形成第二纳米结构，其中，第一纳米结构和第二纳米结构包括半导体材料并且平行于衬底的上表面延伸；在第一纳米结构周围并且在第二纳米结构周围形成电介质材料；在第一器件区域中在第一纳米结构周围并且在第二器件区域中在第二纳米结构周围形成第一硬掩模层；在形成第一硬掩模层之后，从第二器件区域去除第一硬掩模层；在去除第一硬掩模层之后，通过执行氧化工艺来增加在第二纳米结构周围的电介质材料的第一厚度。
纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法

[实用新型]一种调光调色电路-CN202021109262.9有效
发明人：连宗山;李成桂;胡小维;何辉;林宗达 -专利权人：希擎（厦门）科技有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本实用新型涉及调光调色电路技术领域，特别涉及一种调光调色电路，包括可控硅调光电路、切换电路、小夜灯光源电路、主照明光源电路和色温控制电路，切换电路分别与可控硅调光电路和小夜灯光源电路电连接，主照明光源电路与小夜灯光源电路电连接。
一种调光调色电路

[发明专利]半导体工艺所用的方法-CN201910281681.6在审
发明人： 林宗达;侯承浩;张哲豪;于雄飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种半导体工艺所用的方法。此处所述的实施例关于形成装置的栅极结构的方法，比如置换栅极工艺与其形成的装置。在一实施例中，方法包括顺应性地形成栅极介电层于自基板延伸的鳍状物上，且栅极介电层沿着鳍状物上的栅极间隔物的侧壁；在采用含硅前驱物与含氟、氘、或上述的组合的掺质气体的沉积工艺时，顺应性地沉积虚置层于栅极介电层上，且沉积的虚置层包括氟、氘、或上述的组合的掺质；进行热工艺，以自虚置层驱动掺质至栅极介电层中；移除虚置层；以及形成一或多个含金属层于栅极介电层上。
栅极介电层掺质沉积鳍状物半导体工艺含硅前驱物栅极间隔物含金属层形成装置栅极工艺栅极结构热工艺侧壁含氟基板移除置换驱动延伸

[发明专利]金融商品的引导式投资系统及方法,及其机器可读取媒体-CN200710194391.5无效
发明人：许志诚;江秉璁;江政韩;林宗达 -专利权人：凌群电脑股份有限公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G06Q30/00 文献下载
摘要：一种金融商品的引导式投资系统及方法。通过一使用者界面接收相应至少一选择权商品标的的选择以及相应多个投资策略中的一者之的选择。选定的投资策略包括至少一第一动作与一第二动作，且第一动作与第二动作分别定义相应选定的投资策略的投资内容。依据第一动作的投资内容，撷取至少一第一选择权商品，并将第一选择权商品显示于该使用者界面中。通过使用者界面接收相应第一选择权商品中至少一者的选择，且依据选定的第一选择权商品、与第二动作的投资内容，撷取至少一第二选择权商品，且将第二选择权商品显示于该使用者界面中。通过使用者界面接收相应第二选择权商品中至少一者的选择，且依据选定的第一选择权商品与选定的第二选择权商品产生一策略投资组合，用以投资。
金融商品引导投资系统方法及其机器读取媒体

[发明专利]电动分流阀及具有该电动分流阀的冷却系统-CN200710196026.8有效
发明人：张志伟;林宗达;林宇洲 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： F16K11/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动分流阀，是于本体设置位于内部的容置空间、连通外部与该容置空间的排出通道、第一进入通道、以及第二进入通道，其中该排出通道及该第一进入通道的连通路径相交于该第二进入通道，并设计有可直线运动以供启闭各通道的阀体，从而使大幅降低流阻及降低制造成本；该电动分流阀亦可设置有提供复位弹性至该阀体的弹性件，以作为失效保护设计，从而使于马达发生失效的同时立即进行失效保护；本发明复提供一种具有该电动分流阀的冷却系统。
电动分流具有冷却系统

[发明专利]引擎汽缸体冷却水套导流结构-CN200410006572.7有效
发明人：高温章;林宗达;范扬璟 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-03-10 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： F02F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种引擎汽缸体冷却水套导流结构，是于引擎汽缸体水套内各缸连缸处的外侧设置或一体铸造出一导流块，以使冷却水流经该各连缸处时，增加冷却水的流速及提高水套侧面的水流高度；藉此，利用调整该处冷却水之流量及流速，以达到改变汽缸体连缸处的温度分布，进而降低引擎因散热不均而产生的变形问题。
引擎汽缸冷却水导流结构

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