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[发明专利]非索替尼固体形式及其制备方法-CN202110624546.4在审
发明人：蔡志刚;彭欢;钟仁欢;张良 -专利权人：上海希迈医药科技有限公司;上海创诺医药集团有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C07D405/12 文献下载
摘要：本发明提供了非索替尼的固体形式及其制备方法。具体地，本发明提供了如式I所示的化合物的固体形式，所述的固体形式包括盐晶型或共晶XM‑I、盐晶型或共晶XM‑II、盐晶型或共晶XM‑III、盐晶型或共晶XM‑IV或盐晶型或共晶XM‑V。本发明的晶型相比现有的非索替尼化合物的稳定性更好。
非索替尼固体形式及其制备方法

[发明专利]三种新型非布司他药物共晶及其制备方法-CN201410371582.4有效
发明人：吴素香;康艳蕾;胡秀荣 -专利权人：浙江中医药大学
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C07D277/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种三种新型非布司他有机药物共晶及药物共晶的制备方法。本发明公开了一种非布司他有机药物共晶1、2和3，本发明的非布司他三种共晶的水溶性比非布司他都有很大的提高，尤其是非布司他-葡甲胺共晶和非布司他-精氨酸共晶是目前提高非布司他溶解度程度最高的共晶。另外，本发明的非布司他三种共晶纯度高，杂质含量少，稳定性好，用其为原料在制剂生产和贮存过程中不会发生晶型转变，而保持制剂晶型的稳定，是制剂质量稳定的必要条件。本发明共晶的制备方法简便易行，条件温和且容易控制，重现性好，容易实现大规模的工业生产，生产成本低，具有极大的商业应用价值。
新型非布司药物及其制备方法

[发明专利]一种共晶型非晶态高熵合金及其制备方法-CN202310748272.9在审
发明人：陈正;付珂;成俊;沈善致;樊宇;徐杰;张金勇;吕复强;赵永柱;王林;程春龙;王叶青 -专利权人：中国矿业大学;江苏恒久机械股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种共晶型非晶态高熵合金及其制备方法，该共晶型非晶态高熵合金的化学式为FeaCobNi本发明公开了该共晶型非晶态高熵合金材料的制备方法，包括按照所述共晶型高熵非晶合金材料各元素的原子分数进行配料，采用悬浮熔炼法将其熔炼均匀，制成母合金锭；将母合金锭熔化后以一定速度喷射到转动的铜辊表面，制得共晶型高熵非晶合金条带
一种共晶型非晶态合金及其制备方法

[发明专利]新型的索拉非尼共晶及其制备方法-CN201910489989.X在审
发明人：章杜前;关体红;夏颖;邵青凌 -专利权人：杭州中美华东制药有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C07D213/81 文献下载
摘要：本发明涉及一种索拉非尼2‑氨基嘧啶共晶A及其制备方法。该晶型制备工艺简单，有利于提高批次重现性，保证了其在原料或制剂制备过程中的稳定性。并且，本发明提供的索拉非尼2‑氨基嘧啶共晶A室温稳定性好，便于长期贮存和运输，保证了药品质量和用药安全。
氨基嘧啶索拉非尼共晶制备室温稳定性用药安全制备工艺制剂制备重现性晶型贮存保证运输

[发明专利]非晶合金高压共轨管锻造工艺、共轨管与高压共轨系统-CN202310231610.1有效
发明人：雷卫武;徐承义;范敏;王广力;杨雪梅;徐建;林建寨 -专利权人：松诺盟科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了非晶合金高压共轨管的锻造工艺、共轨管与高压共轨系统，涉及共轨管锻造技术领域，该锻造工艺，包括以下步骤：将非晶合金进行塑性成型后退火处理；塑性成型的温度为300℃~400℃；该共轨管的制备原料包括非晶合金；非晶合金包括ZrCuNiTiHfSi、ZrCuNiTiAl和ZrCuNiTiBe中的至少一种。非晶合金的强度高，因此能够大大降低高压共轨管的体积和重量，从而降低高压共轨管的加工难度；同时非晶合金的耐腐蚀性能好，从而可以大大延长高压共轨管的寿命。本发明的非晶合金中还加入了钛元素，钛元素为强化元素，同时还能促进相变析出过程，从而提高非晶合金的力学性能。
合金高压共轨管锻造工艺系统

[发明专利]太阳能电池的制造方法及其结构-CN201210476755.X无效
发明人：郁操;牛新伟;陈晨 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了的太阳能电池的制造方法，所述方法采用C-O共掺的方法制备非晶硅单结薄膜电池、非晶硅/非晶硅锗或非晶硅/微晶硅等硅基薄膜太阳电池中非晶硅顶电池的非晶P型掺杂层。本发明的方法以及太阳能电池结构可以有效解决目前硅氧制备的非晶P型掺杂层中存在的光学带隙和导电特性之间的矛盾，提高太阳能电池的稳定性及其光电转换效率。
太阳能电池制造方法及其结构

[发明专利]一种非晶型嵌段共聚物改性聚乙烯胶-CN201610228889.8有效
发明人：夏浙安;李欣欣;李旭华;唐宇航;习志亮;俞冰 -专利权人：苏州隆芝耀新材料有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C09J151/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶型嵌段共聚物改性聚乙烯胶，采用双螺杆挤出实施反应共混工艺挤出造粒制备，所述一种非晶型嵌段共聚物改性聚乙烯胶包含如下重量百分含量的各原料组分聚乙烯接枝物粘接树脂70‑95wt%；非晶型嵌段共聚物本发明的非晶型嵌段共聚物改性聚乙烯胶具有较高的维卡软化点温度，可以用于管道防腐、油气输送、城市排水等诸多领域。
一种非晶型嵌段共聚物改性聚乙烯

[实用新型]一种微型表面贴装纳米非晶的共模电感-CN201921018245.1有效
发明人：陈华宁;许健;陈亚伟;陈亚钦 -专利权人：凯铭诺(深圳)科技有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微型表面贴装纳米非晶的共模电感，包括上壳、下壳和贴片端子，所述上壳上方安装有顶板，且上壳和下壳连接形成一跑道型的腰部，在该腰部处设置有非晶磁芯，所述非晶磁芯上缠绕有两个绕组线圈，每个所述绕组线圈的引出端与贴片端子焊接，所述贴片端子远离绕组线圈一端往下壳底部延伸，并形成共模电感的电极。本实用新型具备结构简单，体积小，且设计独立的塑料外壳封装可以为封装非晶磁芯提供电气绝缘隔离，同时“跑道”型的腰部方便自动线圈绕制和方便在产品表面回流焊接，可靠性好。
非晶磁芯绕组线圈贴片端子上壳下壳腰部本实用新型共模电感封装产品表面电气绝缘回流焊接塑料外壳微型表面线圈绕制跑道型体积小引出端电极非晶贴装焊接缠绕跑道隔离延伸

[发明专利]一种非氧化物共晶陶瓷非晶粉末反应喷涂制备方法-CN201410452858.1有效
发明人：郑永挺;郭扬扬;孔繁宇;叶伟;王帅;赫晓东 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C01B31/30 文献下载
摘要：一种非氧化物共晶陶瓷非晶粉末反应喷涂制备方法。本发明涉及一种非氧化物非晶粉末的制备方法，特别涉及一种非氧化物共晶陶瓷非晶粉末反应喷涂制备方法。本发明是为解决现有陶瓷非晶的制备方法中陶瓷转化率较低、成本高、不适于工业化生产以及在该领域超高温共晶陶瓷非晶粉末的制备方法处于空白的问题。方法：一、将硝酸盐干燥，得到硝酸盐反应剂；二、将金属粉末干燥，得到金属粉末反应剂；三、将压力控制金属粉末干燥，得到压力控制剂；四、将符合共晶比例的非氧化物粉末干燥，得到稀释剂；五、将原料球磨混合后装入反应喷涂装置中，点燃原料，引发反应，得到熔体后保温再喷涂，凝固后干燥，再研磨；六、酸洗后得到非氧化物共晶陶瓷非晶粉末。
一种氧化物陶瓷粉末反应喷涂制备方法

[发明专利]一种非晶材料及纳米晶的处理方法-CN201910125908.8在审
发明人：王静然 -专利权人：王静然
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C23C8/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶材料及纳米晶的处理方法，涉及金属材料领域，该处理方法包括：通过热处理工艺，利用碳氮共渗剂对非晶材料及纳米晶进行碳氮共渗处理。在碳氮共渗过程中，碳氮共渗剂中的碳与非晶材料及纳米晶中的铁会形成渗碳体Fe₃C，而碳氮共渗剂中的氮与非晶材料及纳米晶中的铁会形成氮化铁Fe₄N，由于渗碳体Fe₃C和氮化铁Fe₄N均具有磁性，两者配合，使得非晶材料的磁感应强度(也称磁通密度或B值)得以显著提升。
碳氮共渗纳米晶非晶材料氮化铁渗碳体与非金属材料领域热处理工艺磁感应磁通配合

[发明专利]芬布芬共晶及其制备方法与应用-CN201710322276.5有效
发明人：杨化新;卢忠林;何兰;陈颖;刘睿 -专利权人：中国食品药品检定研究院
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C07C51/43 文献下载
摘要：本发明提供一种芬布芬共晶，芬布芬共晶是由药物活性成分芬布芬与氨基酸共晶试剂通过分子间氢键形成的，氨基酸共晶试剂为L‑组氨酸或者L‑脯氨酸。本发明还公开了芬布芬共晶的制备方法，以芬布芬，各共晶试剂为原料，通过溶剂辅助研磨法或混悬法获得。本发明的芬布芬共晶经共晶检验的“金标准”‑单晶X射线衍射测定证实是由非共价键的氢键连接而成，属于药物共晶而非盐型。获得的药物共晶均利用热重法(TGA)，差示扫描量热法(DSC)，红外光谱和粉末X衍射等方法进行了结构表征，结果佐证了新结晶形态已形成。芬布芬共晶解决了芬布芬原料药水溶性差的问题，芬布芬共晶具有更好的水溶性，有利于芬布芬在医药临床研究上的开展。
芬布芬共晶及其制备方法应用

[发明专利]一种共晶法合成ZSM-5分子筛基非负载型加氢催化剂的方法-CN201910025113.X有效
发明人：殷长龙;董成武;刘晨光;刘宾;刘东;柴永明;赵瑞玉;柳云骐 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B01J29/48 文献下载
摘要：非负载型加氢催化剂由于没有载体，因此很难引入酸性组分，本发明提供了一种共晶法合成ZSM‑5分子筛基非负载型加氢催化剂的方法。首先合成一种具有纳米尺度的ZSM‑5分子筛纳米簇溶液，然后将其引入具有层状结构的双金属NiMo复合氧化物悬浊液中，通过水热共晶化技术将酸性ZSM‑5分子筛组分嵌入层状复合金属氧化物前驱体中，获得具有一定酸性的双功能非负载型加氢催化剂本发明所制备的ZSM‑5分子筛基非负载型催化剂的比表面积，孔容和孔径都有很大的提高，相比于单纯的非负载型催化剂，改性后的非负载型催化剂有更高的加氢开环活性。
一种共晶法合成 zsm 分子筛负载加氢催化剂方法

[发明专利]非共形非晶硅的沉积方法及制备的半导体结构、电子设备-CN202011061661.7在审
发明人：李相遇;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种非共形非晶硅的沉积方法。一种非共形非晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体衬底上经过沟槽刻蚀后，得到有源区目标图形；采用原子层沉积法在所述有源区目标图形表面沉积非共形非晶硅膜，然后进行后续氧化工艺，制成半导体器件。本发明采用原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)代替传统的CVD，利用脉冲供料方式沉积非共形非晶硅膜，解决了现有技术有源区顶部厚度不足、台阶覆盖率无法调节以及硅源受限等问题
非共形非晶硅沉积方法制备半导体结构电子设备

[发明专利]一种阿伐那非‑柠檬酸共晶及其制备方法-CN201710178969.1在审
发明人：李金美;陈嘉媚;鲁统部 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： C07D403/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种阿伐那非‑柠檬酸共晶及其制备方法。共晶中阿伐那非和柠檬酸的摩尔比为11。同时也公开了一种阿伐那非‑柠檬酸共晶的制备方法，包括如下步骤1）将阿伐那非与柠檬酸按摩尔比为（0.9‑1.1）（0.9‑1.1）进行混合；2）向阿伐那非和柠檬酸的混合物中加入溶剂，使其呈混悬状态；3）将上述混悬液充分搅拌，收集所得结晶性粉末，干燥即得到阿伐那非‑柠檬酸共晶。本发明所公开的阿伐那非‑柠檬酸共晶制备方法反应条件温和，操作简单，杂质含量低，重现性好，生产成本较低。所得到的阿伐那非‑柠檬酸共晶溶解度得到有效提高，表观溶解度为阿伐那非的10.95倍。
一种柠檬酸及其制备方法

[发明专利]一种利用双组织结构提升含硼共晶合金塑韧性的方法-CN202110471441.X有效
发明人：张柯;张凤辉 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C22F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用双组织结构提升含硼共晶合金塑韧性的方法，借助非平衡凝固与后续等温退火热处理一体化调控手段获得双组织结构，实现含硼共晶合金塑韧性提升，具体步骤为，选择含硼二元或三元共晶合金，采用高频电磁感应熔炼炉对合金进行熔炼，利用熔融玻璃净化结合循环过热方法获得过冷合金熔体，通过自然冷却或激冷获得共晶合金非平衡凝固组织；对共晶合金非平衡凝固组织进行后续等温退火热处理，从而获得表层单相再结晶组织层，而内部为非规则两相的双组织结构本发明利用非平衡凝固方法结合后续等温退火热处理，将含硼共晶合金非平衡凝固组织获取和组织后续转变相结合，获得合金双组织结构，实现合金综合力学性能提升，大大丰富和推动了已有的共晶合金组织性能调控方法，可用于调控含硼共晶及类似合金材料的力学性能
一种利用组织结构提升含硼共晶合金韧性方法

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