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[发明专利]一种基于有机磷水解酶的光电传感器及其在农残检测中的应用-CN201910066655.1在审
发明人：高金娥 -专利权人：武汉中科志康生物科技有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明属于农残检测、光电化学传感领域，公开了一种基于有机磷水解酶的光电传感器及其在农残检测中的应用。本发明具体公开了一种制备锰掺杂硫化镉/二氧化钛光电复合材料修饰电极的方法和基于该光电复合材料的有机磷水解酶光电化学传感器的制备及其在农残检测中的应用。本发明所述的有机磷水解酶光电化学传感器具有设备简单、经济实用、操作简单、灵敏度高的优点。
有机磷水解酶农残检测光电化学传感器光电复合材料光电传感器制备应用锰掺杂硫化镉传感领域二氧化钛光电化学经济实用修饰电极灵敏度

[实用新型]一种测量材料阻尼因子的装置-CN200620158437.9无效
发明人：唐海波 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G01N19/00 文献下载
摘要：本实用新型为一种测量材料阻尼因子的装置，属于测量仪器类。它主要由暗箱、光源、夹具、光电池传感器组成，夹具及光电池传感器位于暗箱内，光源位于暗箱的侧壁上，向暗箱内的光电池传感器照射，光电池传感器为矩形，安装于与光源相对的暗箱内，光电池传感器连接有信号引出线，夹具与光源位于同侧，其对应于光电池传感器的中间位置。本实用新型结构简单，操作快捷，方便测量，可广泛应用于固体材料的测量领域。
一种测量材料阻尼因子装置

[发明专利]基于极性界面的卤化物钙钛矿光电器件-CN202010503089.9在审
发明人：连亚霄;赵保丹;狄大卫;理查德·亨利·弗兰德;崔林松 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种基于极性界面的卤化物钙钛矿光电器件，属于新型能源、材料和电子技术领域。本发明的目的是通过极性界面材料有效的将钙钛矿材料和电荷传输材料匹配在一起的基于极性界面的卤化物钙钛矿光电器件。本发明在钙钛矿材料及光电器件制备过程中引入极性界面，使得性能优异的电荷传输材料与钙钛矿材料相互兼容、有效匹配，界面既可调控电荷传输材料与钙钛矿的势垒，也可调控钙钛矿在衬底或者传输材料上的结晶过程以调控结晶质量，最终优化或调控钙钛矿材料及光电器件的性能。
基于极性界面卤化物钙钛矿光电器件

[发明专利]一种量子点结构光电探测器及其制备方法-CN201810079091.0有效
发明人：王军;韩嘉悦;杨明;黄泽华;苟君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器技术领域，具体涉及一种量子点结构光电探测器的制备方法，具有一覆盖有介质层的高掺杂衬底，包括以下步骤：在介质层上形成二维材料层；在二维材料层的表面涂覆量子点材料层溶液，形成量子点材料层；在量子点材料层上制作一层图形化的透明导电膜，完成器件制备。一种电压辅助的量子点结构光电探测器，从下到上依次包括高掺杂衬底、介质层、二维材料层、量子点材料层及透明导电膜，二维材料层上形成源电极和漏电极；二维材料层与量子点材料层接触形成内建电场；透明导电膜与高掺杂衬底之间施加一个与内建电场方向一致的可调的调制电压本发明可以提高器件的响应速度和光电流增益，使器件性能得到显著提升。
一种量子结构光电探测器及其制备方法

[发明专利]光电功能材料及其制备方法-CN201810620883.4有效
发明人：张立静;胡涛;陈静;石新玉;李安妮;李义 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明涉及无机化合物半导体材料制备技术领域，公开了一种光电功能材料及其制备方法，该光电功能材料由酸化纳米凹凸棒土‑介孔二氧化硅层载体和催化剂组成，二者质量比为1：0.001~5。通过本方法制备得到的光电功能材料对光的利用率较高，具有大的比表面积，能够提供更多的表面活性位点；电荷的扩散距离短，有利于电荷传输，且结构性能稳定。
光电功能材料及其制备方法

[发明专利]一种环状咔唑类小分子空穴传输材料及其合成方法和应用-CN202211497470.4在审
发明人：邵光;王典;余惠娟;肖竞;谢锦楼 -专利权人：中山大学;中山大学深圳研究院;珠海阿尔法科印科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C07D513/22 文献下载
摘要：本发明属于光电材料的空穴传输层技术领域，具体公开了一种环状咔唑类小分子空穴传输材料及其合成方法和应用。本发明的环状咔唑类小分子空穴传输材料通过烷基链将咔唑单元和噻吩单元连接成环，以烷氧基或烷硫基的取代链为侧基，分子结构对称，具有优秀的空穴传输能力。本发明的合成成本较低，反应条件温和，得到的环状咔唑类小分子空穴传输材料在钙钛矿太阳能电池中表现出较好的光电转换效率，其在有机发光二极管和太阳能电池等有机光电领域均有较高的应用价值。
一种环状咔唑类小分子空穴传输材料及其合成方法应用

[发明专利]一种AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片材料的制备方法-CN201910445740.9在审
发明人：韩长存;刘志锋;童正夫;蔡齐军;马重昊 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： B01J27/045 文献下载
摘要：本发明公开了一种AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极材料的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明首先配制ZnIn₂S₄纳米片生长溶液，再采用水热法制备ZnIn₂S₄纳米片片光电极；然后配制氯金酸溶液和氯化钯溶液，采用光还原的方法制备AuPd二元合金，制备AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极材料。本发明所获得的AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极，经各种测试后，光电流较ZnIn₂S₄纳米片光电极提高400%，且本发明提供的制备方法简单易操作，具有实际的可行性，制备的AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极成本低，光电催化分解水性能良好。
制备复合纳米片光电极光电极材料纳米片配制复合纳米片材料材料制备技术氯化钯溶液氯金酸溶液二元合金光电催化生长溶液水热法制分解水光电流光还原测试

[发明专利]一种测量材料阻尼因子的设备及方法-CN200610114481.4有效
发明人：唐海波 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G01N19/00 文献下载
摘要：本发明为一种测量材料阻尼因子的设备及使用该设备测量的方法，属于仪器测量类。设备由测量装置和数据处理装置构成，测量装置主要由暗箱、光源、夹具、光电池传感器组成，夹具及光电池传感器位于暗箱内，光源位于暗箱的侧壁上，向暗箱内的光电池传感器照射，光电池传感器安装于与光源相对的暗箱内，光电池传感器连接有信号引出线，夹具与光源位于同侧，其对应于光电池传感器的中间位置；数据处理装置主要由A/D转换器、单片机构成，A/D转换器与单片机连接，光电池传感器的信号引出线与A/D转换器连接。上述该设备种通过光电信号转换的方法测量材料阻尼因子。本发明操作快捷，方便测量，可广泛应用于固体材料的测量领域。
一种测量材料阻尼因子设备方法

[发明专利]光电转换器和光电转换元件-CN200910161048.X无效
发明人：村田昌树 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明公开了光电转换器和光电转换元件。所述光电转换器包括光电转换元件和用来检测电流变化的电流检测电路，所述光电转换元件包括分开设置的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的光电转换材料层，并且在所述光电转换元件中，当在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的同时向所述光电转换材料层施加恒定光量时，所述光电转换材料层中产生的电流随着施加时间而改变。本发明的光电转换元件具有高灵敏度和高S/N比的光电转换材料层。
光电转换器转换元件

[发明专利]用于阴极和阳极光电化学传感通用平台的有机-无机杂化光电材料及其制备方法-CN202111215834.0在审
发明人：赵发琼;王彩云 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明属于有机‑无机杂化光电材料制备领域，具体涉及一种用于阴极和阳极光电化学传感通用平台的有机‑无机杂化光电材料及其制备方法，包括无机材料S‑ZnwInxSyOz、沉积于所述无机材料S‑ZnwInxSyOz表面的有机材料PEDOT、掺杂的1‑羟乙基‑3‑甲基咪唑阳离子[HOEMIM本发明的光电材料在负的偏压下产生阴极光电流，在正的偏压下产生阳极光电流，可以作为阴极和阳极光电传感的通用平台，为无机光电材料的制备提供了新思路。
用于阴极阳极光电化学传感通用平台有机无机材料及其制备方法

[发明专利]一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用-CN201810929840.4有效
发明人：次会聚;宋宇浩;陈奕丞;赵昕;祁康成;李伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用，属于光电材料技术领域。、可靠且成本低，制得薄膜在维持Ti3SiC2材料良好力学和摩擦磨损性能之外，兼具透近红外光和适度导电性的双重性能。～2200nm光谱范围的透过率不低于80％，导电性为50Ω/□～2000Ω/□，基于上述性能，本发明将Ti3SiC2材料的应用范围拓宽到光电子技术领域，并为其作为窗口材料用于红外波段光电器件封装提供了理论基础。本发明陶瓷薄膜在光电领域具有良好的工程应用前景。
一种 tsc 陶瓷薄膜制备方法及其产品应用

[发明专利]光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料-CN200810233476.4无效
发明人：冯晶;陈敬超;肖冰;于杰;杜晔平;周荣;武淑珍 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型光电材料。属光电领域和半导体领域。该薄膜可以通过控制氧分压调整组成氧化物的结构和比例，可以在较宽范围内调整光吸收系数和反射率，结构稳定，综合性能良好，尤其可应用于特殊的光电转换材料领域。其生产成本较目前化合物光电转换材料低，性能优，整个生产工艺过程简单且容易控制、无污染或少污染、可形成大批量生产。相关产品可广泛应用于太阳能材料，太空电池帆板材料，高能量光子吸收。
光电半导体复合氧化物薄膜材料

[发明专利]一种微观团簇状氧化亚铜薄膜光阴极材料的制备方法-CN202310246105.4在审
发明人：王红艳;左晓磊;王云佳 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种微观团簇状氧化亚铜薄膜光阴极材料的制备方法，涉及太阳能电池阳极材料领域。>3离子掺杂的电沉积溶液，NO‑3离子掺杂的Cu2O光电阴极材料在3离子，并因此改变了Cu2O最终的表面形貌，很大程度上增加了Cu2O光阴极材料的光电流效率，从而提升其光电催化光解水制氢的性能。本发明通过简单的离子掺杂操作，可以显著提高氧化亚铜薄膜光电阴极的光电化学性能，并且其制备流程和方法操作简单，成本低廉，为Cu2O在光电催化领域的应用提供了新的思路
一种微观团簇状氧化亚铜薄膜阴极材料制备方法

[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201810554447.1有效
发明人： R.米勒;R.施陶布;C.齐赖斯 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明涉及具有反射材料的光电子器件。光电子器件具有带表面的反射材料。至少一个光电子半导体芯片嵌入到所述反射材料中，使得光电子半导体芯片的至少一个被构造用于发射电磁辐射的上侧不被所述反射材料覆盖。反射材料的表面与光电子半导体芯片的上侧平行伸展地构造并且背向光电子半导体芯片的下侧。反射材料的表面具有对比区域，其中所述反射材料在对比区域中被表面去除并且涂黑。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]光电倍增管用光电阴极及其制备方法-CN202110345815.3在审
发明人：章贤骏;方涌;宣兆康;凌建鸿 -专利权人：杭州安誉科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： C11D1/26 文献下载
摘要：本发明属于光电倍增管技术领域，具体涉及一种光电倍增管用光电阴极及其制备方法。本发明提供了一种光电倍增管用光电阴极，以铜铍合金为支撑基板，Be2N3薄膜为光电子反射层，K2CsSb薄膜为光电子发射层，弥补了现有技术中光电阴极材料量子效率低、稳定性差、噪声大的问题。
光电倍增管用光阴极及其制备方法