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[发明专利]一种D/A型二苯乙烯分子共插层水滑石复合光电材料及其制备方法-CN201310751057.0有效
发明人：陆军;郑舒方;李悟;段雪 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了属于无机有机复合光电材料技术领域的一种D/A型二苯乙烯化合物共插层水滑石复合光电材料及其制备方法。本发明采用单滴共沉淀法将4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根阴离子与4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根阴离子以不同比例共插层到水滑石层间得到复合光电材料。利用水滑石层状材料的空间限域作用以及主客体之间的相互作用，实现了D/A型分子的固定化，同时提高了D/A分子间的光致电荷转移效率，为将水滑石插层复合材料应用于固体光电器件领域提供理论研究基础。
一种苯乙烯分子共插层水滑石复合光电材料及其制备方法

[发明专利]一类新型可溶液加工9，9－二芳基芴小分子发光材料的制备与光电器件-CN201710242358.9有效
发明人：韩亚敏;白鲁冰;林进义 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： C07D409/14 文献下载
摘要：本发明基于拜耳‑维立格重排制备了一种芴的4位烷氧链的末端具有有共轭取代基团的9，9‑二芳基芴类发光材料，属于有机光电材料领域。具体为通过拜耳‑维立格重排反应和Suzuki耦合反应制备了4位含有多种共轭结构取代基团的9，9‑二芳基芴类三基色发光材料，并将此种类型材料应用于有机发光二极管、有机激光器等光电子领域，本发明提供的材料合成制备工艺简单，原料成本低，可通过溶液加工的方式进行器件制备并应用于柔性电子、印刷电子领域，是一种具有潜力的有机光电材料。
一类新型溶液加工二芳基芴小分子发光材料制备光电器件

[实用新型]一种基于相变材料的太阳能光电板降温装置-CN202021806223.4有效
发明人：曲宏伟;李雪威 -专利权人：东北电力大学
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H02S40/42 文献下载
摘要：本实用新型属于冷却装置技术领域，尤其涉及一种基于相变材料的太阳能光电板降温装置，包括与太阳能光电板相适配的主体框架和由相变材料制成的降温板，主体框架的四个角内侧设有滑轨，滑轨旁设有第一螺栓孔和第二螺栓孔；太阳能光电板与降温板均嵌入所述主体框架内，降温板位于太阳能光电板的下方，所述第一螺栓孔用于固定太阳能光电板，所述第二螺栓孔用于固定降温板。本实用新型通过降低太阳能光电板的操作温度提升其发电效率，同时便于太阳能光电板的拆卸，避免了相变材料降温板因低温冻结对太阳能光电板产生的不良影响。
一种基于相变材料太阳能电板降温装置

[发明专利]一种二维双层DJ型铅溴杂化钙钛矿及制备方法和应用-CN202111500005.7在审
发明人：符冬营 -专利权人：山西大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C07D213/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种DJ型二维双层铅溴杂化钙钛矿及制备方法和应用，属于光电探测技术领域。该材料可溶液法制备，制备工艺简单，常常在低温下就可以合成，同时也易于成膜，将此材料用于光伏材料和光电器件兼具性能较好和成本较低的优点。得到的(3‑氨甲基吡啶)(乙胺)Pb2Br7晶体材料不但可以实现405nm下的可见光光电探测，同时还能通过双光子吸收技术实现在近红外(800nm)区域的光电探测。这就使得该杂化钙钛矿在光纤通信、军事安全和光电耦合等领域有着广阔的前景。
一种二维双层 dj 型铅溴杂化钙钛矿制备方法应用

[发明专利]一种基于MXene/SnS2-CN202210150178.9在审
发明人：钱静;田云萌;王成全;王坤;张琦;崔海宁 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明属于功能材料和光电传感领域，以二维MXene材料与SnS2结合得到的复合材料作为光敏剂，用于构建光电传感器及应用于检测水体中的Cr(VI)。本发明采用水热方法制备MXene/SnS2功能复合材料，并利用MXene/SnS2功能复合材料构建光电化学传感器，该光电传感器即以光敏材料为基础本发明的复合材料基于大比表面积的MXene为可见光响应的SnS2纳米材料提供附着位点，二者结合，既可以避免MXene的堆积问题，还可以提高SnS2材料的电子转移效率，将其应用在光电传感器领域，可以灵敏检测废水中的Cr(VI)浓度，该传感器还具有成本低、操作简单、灵敏度高的优点。
一种基于 mxene sns base sub

[发明专利]一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用-CN201410014003.0有效
发明人：徐伟;肖星星;夏鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料和光电功能材料技术领域，具体为一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用。本发明以硫氰酸亚铜薄膜为前体，通过与碱溶液反应获得氧化亚铜纳米线多孔薄膜。本发明提出的氧化亚铜纳米线多孔薄膜可作为光电转换材料，在功能材料和器件领域还有广泛的用途。
一种氧化亚铜纳米多孔薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于甲基紫精配体的具有光电效应和吸附特性的金属有机杂化材料及应用-CN201810774367.7有效
发明人：王守宇;雷蕴麟 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于甲基紫精配体的具有光电效应和吸附特性的金属有机杂化材料及应用，属于光电材料和环境保护领域。本发明通过在黑暗条件下测得的光电流和在375nm波长的激光照射下测得的光电流之间的对比，证明其具有光电效应，这对光伏产业以及环境保护中处理有机染料和降低重金属污染方面将有巨大的潜力。
一种基于甲基紫精配体具有光电效应吸附特性金属有机材料应用

[发明专利]一种新型光电活性异质结材料及其制备方法和应用-CN202310611985.0在审
发明人：袁亚利;肖明君;熊千 -专利权人：西南大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型光电活性异质结材料及其制备方法和应用，属于光电活性异质结材料的制备技术领域。本发明主要是将MoSe2材料添加到CdSe材料中形成光电活性异质结材料(MoSe2/CdSe即MC异质结材料)，能够进一步改善CdSe的光电性能，降低光生电子‑空穴复合速率；同时由于材料间价带导带的相互匹配显著抑制了异质结材料间光生电子‑空穴对的复合，提高了材料的电荷分离效率因而展现出优异的光吸收能力和较高的光响应电流响应，在制备光致电化学生物传感器中具有良好的应用前景
一种新型光电活性异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]光电极材料及光电池材料-CN201510933437.5有效
发明人：小松信明;伊藤朋子;南條真一郎;永井裕己 -专利权人：国际先端技术综合研究所株式会社
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：本发明提供将低成本且对环境无负担并且稳定的以氧化硅作为成分的物质予以简便处理而得的光电转换材料，及利用其的光电池、次级光电池。将此材料以电极板载持并放至已加入适当电解质的水中，与对向电极之间进行电性连接，经由照射光而作为光电极使用。此外，将此材料与有机电解质同时封入具有透明电极与对向电极的容器中，并经由透明电极照射光，从而构成光电池。
光电池对向电极透明电极氧化硅照射光光电转换材料硼硅酸盐玻璃电解质光电池材料光电极材料有机电解质电性连接浸渍处理钠钙玻璃人工水晶石英玻璃无碱玻璃低成本电极板光电极氢卤酸熔融水中

[发明专利]光电极材料及光电池材料-CN201080047622.X有效
发明人：小松信明;伊藤朋子;南條真一郎;永井裕己 -专利权人：国际先端技术综合研究所株式会社
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明提供将低成本且对环境无负担并且稳定的以氧化硅作为成分的物质予以简便处理而得的光电转换材料，及利用其的光电池、次级光电池。将此材料以电极板载持并放至已加入适当电解质的水中，与对向电极之间进行电性连接，经由照射光而作为光电极使用。此外，将此材料与有机电解质同时封入具有透明电极与对向电极的容器中，并经由透明电极照射光，从而构成光电池。
电极材料光电池

[实用新型]光电探测器-CN202122405469.1有效
发明人：孟建平;李舟;李奇;黄靖 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L37/02 文献下载
摘要：本申请涉及光电探测领域，具体涉及一种光电探测器。该光电探测器包括第一电极层、第二电极层、设于第一电极层和第二电极层之间的热释电材料层，其中，热释电材料层的靠近第二电极层的表面设有金属纳米颗粒。利用该光电探测器可实现对低强度光的检测，提高检测灵敏度。
光电探测器

[发明专利]用于有机光电二极管中的有机光电转换层的特定N和P活性材料-CN201680020043.3有效
发明人：西尔维娅·罗塞利;特森卡·米特瓦;维托尔·戴希曼;大卫·丹纳;威廉·福德;丹尼斯·彻尔卡;弗拉基米尔·雅库特金;拉尔斯·彼得·舍勒;尼古劳斯·克诺尔;加布里埃莱·内尔斯 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本公开的领域在于用于有机图像传感器的活性材料。本公开涉及基于萘二酰亚胺的分子和基于萘二酰亚胺二聚体的分子。本公开涉及包括根据本公开的分子的透明N材料和/或透明P材料及它们在吸收层、光电转换层和/或有机图像传感器中的用途及用于其合成的方法。本公开还涉及包括根据本公开的活性材料的光电转换层、包括根据本公开的活性材料或根据本公开的光电转换层的设备。此外，本公开涉及包括根据本公开的光电转换层的有机图像传感器。
用于有机光电二极管中的光电转换特定活性材料

[发明专利]一种钙钛矿光电探测器性能强化和修复缺陷的方法及装置-CN202310476664.4在审
发明人：董庆锋;宋益龙 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿光电探测器性能强化和修复缺陷的方法及装置，属于钙钛矿光电探测器技术领域，本发明通过对光电探测器件的工作温度控制，利用不同温度下材料中各类陷阱态及离子迁移的不同行为，控制并提升载流子传输和收集能力，可抑制探测器的噪音，提升探测性能，也可提升探测器工作稳定性，以获得高效稳定的钙钛矿光电探测器件。通过在光电探测器工作中或工作后用低于材料带隙的光子照射，促进材料中离子运动，有助于修复材料受损晶格，同时也可填补材料中的电荷缺陷，从而降低器件噪音以及增强载流子传输等性质，以提升探测器的光电探测性能。
一种钙钛矿光电探测器性能强化修复缺陷方法装置

[实用新型]一种有机光电材料的抗压性能测试装置-CN202222899509.7有效
发明人：刘玉杰;李泽玉;张超 -专利权人：刘玉杰
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及有机光电测试装置技术领域，尤其涉及一种有机光电材料的抗压性能测试装置。提供一种能够方便对测试台面进行清洁，便于人们使用和放置清洁工具的有机光电材料的抗压性能测试装置。一种有机光电材料的抗压性能测试装置，包括有测试台、放置台、调节按钮和显示屏等，测试台左部前侧连接有调节按钮，测试台右部前侧连接有显示屏。本实用新型通过气缸带动压板向下移动，对放置台上的有机光电材料进行抗压性能测试，在测试之前通过连接件带动毛刷进行左右移动清洁放置台工作面，从而达到了能够防止在进行抗压性能测试时，不会出现灰尘砂粒造成有机光电材料测试时意外损坏的效果
一种有机光电材料抗压性能测试装置

[发明专利]一种AlZnO紫外光电阴极材料及紫外真空像增强器-CN201110408087.2无效
发明人：邓宏;韦敏;邓雪然 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01B1/20 文献下载
摘要：一种AlZnO紫外光电阴极材料及紫外真空像增强器，属于电子材料与元器件技术领域。本发明采用采用沉积于透紫衬底基片上的高导电AlyZn1-yO1+0.5y(y≤0.02)薄膜作为透明底电极，并在透明底电极上诱导生长AlxZn1-xO1+0.5x(0.2≤x≤0.7)合金薄膜材料作为紫外光电阴极材料，该紫外光电阴极材料对紫外光敏感，通过严格控制材料组分可实现光学吸收边蓝移至300nm以内，从而满足紫外光日盲区探测要求，且具有制备方法简单、成本较低、无毒环保的特点。本发明同时提供一种紫外真空像增强器，该紫外真空像增强器以本发明提供的AlZnO紫外光电阴极材料作为阴极，具有良好的紫外光电发射性能，能够满足紫外探测并实现紫外日盲区的探测要求。
一种 alzno 紫外光电阴极材料真空增强