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[发明专利]一种改进凹透镜模块的APD光电器件及其制作方法-CN201910461803.X有效
发明人：高建威;江海波 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明是属于光电探测技术领域，用于光电器件的入射面或背面，具体为一种改进凹透镜模块的APD光电器件及其制作方法。所述制作方法包括制作APD光电器件，在APD光电器件的正面淀积透明材料；通过光刻方式在透明材料上制作出圆孔图形；使用等离子刻蚀机在图形处进行深槽刻蚀，利用反应离子刻蚀机进行同性刻蚀，从而刻蚀出凹透镜的外形；对刻蚀后的APD光电器件进行清洗，并在其正面制作出正面电极孔；在凹透镜上淀积金属铝，从而形成反射镜；对APD光电器件进行减薄抛光，再对其背面制作增透膜。本发明能够集成于硅基光电探测器，且有效增加光电器件的响应度；并极大提高硅基光电器件在红外波段的响应度。
一种改进凹透镜模块 apd 光电器件及其制作方法

[发明专利]一种钙钛矿红外探测器的制备方法-CN202110248497.9在审
发明人：张树芳;隋豪杰;何正言;贾祥瑞;焦蒙蒙;徐钦锋 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：光电探测器是一种基于光电效应将辐射能转化为电信号的器件，由于光电探测器在人们生活中以及国防建设中发挥重要的作用，其发展十分迅速。现有红外光电探测器主要是基于二维材料、有机聚合物材料以及异质结材料制得的，基于以上材料的制备方法不仅成本高昂，制备工艺复杂，而且对于波长在800nm‑900nm的红外光探测灵敏度低，响应比较慢，很难大规模应用于工业领域本发明目的在于提供一种对于800nm‑900nm的红外光实现高灵敏探测的光电探测器，解决目前红外探测器制备方法成本高昂以及工艺复杂等问题。上述红外光电探测器包括三层，分别是：衬底层、钙钛矿纳米晶薄膜以及金属电极层。其中钙钛矿纳米晶薄膜是以APbX3纳米晶为基质材料。
一种钙钛矿红外探测器制备方法

[发明专利]纤维基有机光电晶体管及其制备方法和应用-CN202211439315.7在审
发明人：王跃丹;王栋;郝盼盼;陶洋;江威;李沐芳;李梦杰 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10K30/65 文献下载
摘要：本发明提供了一种纤维基有机光电晶体管及其制备方法和应用，将纤维基材复合导电聚合物和纳米导电材料得到导电聚合物纤维，作为柔性光电晶体管的源漏极；将导电聚合物纤维继续吸附二硫化钨量子点后作为栅极；将源漏极、栅极与凝胶电解质组装，制得纤维基有机光电晶体管。本发明利用了导电聚合物和纳米导电材料之间的协同效应来提高材料的复合性能，同时利用了纳米导电材料石墨烯协同控制二硫化钨量子点的吸附效果，提高了材料的光敏性能和光吸收性，最终得到综合性能优异的柔性光电探测器本发明的柔性纤维基有机光电晶体管制备工艺简单、柔性好、毒害性小、重复性佳、适合工业化批量生产，可应用于各种可穿戴光电探测器领域。
纤维有机光电晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种基于二维纳米光电材料的光电化学氯霉素生物传感器的制备方法-CN201610526897.0有效
发明人：张勇;杜斌;马洪敏;吴丹;范大伟 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维纳米光电材料的光电化学氯霉素生物传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感器技术领域。本发明首先制备了一种新型二维纳米光电材料，即锰掺杂二氧化钛纳米方块原位复合二硫化钼的二维纳米复合材料Mn‑TiO₂/MoS₂，利用该材料的良好的生物相容性和大的比表面积，负载上氯霉素抗体、固定上碱性磷酸酶，在进行检测时，由于碱性磷酸酶可以催化L‑抗坏血酸‑2‑磷酸三钠盐AAP原位产生L‑抗坏血酸AA，并进而为光电检测提供电子供体，再利用抗体与抗原的特异性定量结合对电子传输能力的影响，使得光电流强度相应降低，最终实现了采用无标记的光电化学方法检测氯霉素的生物传感器的构建。
一种基于二维纳米光电材料化学氯霉素生物传感器制备方法

[发明专利]基于金属/二维材料范德瓦尔斯的光电探测器及其制备-CN202310283670.8在审
发明人：聂长斌;孙飞莹;付津滔;李庚霖;魏兴战 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种基于金属/二维材料范德瓦尔斯的光电探测器及其制备。该光电探测器包括由金属和二维材料构成的范德瓦尔斯界面、一对金属电极和柔性衬底；柔性衬底位于金属电极下方，二维材料位于金属电极上方，金属电极分别连接二维材料两端。其制备方法为：采用微纳光刻工艺制备金属电极；配置聚合物溶液并旋涂到样品上，低温加热使聚合物薄膜固化；借助镊子将固化的聚合物从硅基衬底上剥离；利用CVD法生长二维材料，并利用干法或湿法转移工艺将二维材料转移到聚合物样品上；利用微纳光刻工艺将二维材料条带化，制得光电探测器。本发明实现了高质量金属‑半导体范德瓦尔斯界面构筑以及高光开比光电探测响应。
基于金属二维材料瓦尔光电探测器及其制备

[发明专利]一种基于范德华异质结的隧穿型光电探测器及其制备方法-CN202010615790.X在审
发明人：胡平安;高峰;张甲 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于范德华异质结的隧穿光电探测器及其制备方法，利用金属型二维材料作为载流子传输层，绝缘型二维材料作为阻挡层及隧穿层，半导体型二维材料作为光电转换材料。本器件结构从下到上依次包括：衬底(1)、金属型二维材料层(2)、绝缘型二维材料隧穿层(3)、半导体型二维材料吸光层(4)、金属电极(5)。器件工作时，绝缘型二维材料在黑暗中起到阻挡层作用，提高势垒阻止电子传输，有效降低器件暗电流；在光照射下，外加偏压使绝缘型二维材料层发生隧穿效应，成为光生载流子的传导阶梯，并发生载流子倍增效应，有效提高器件光电流
一种基于范德华异质结隧穿型光电探测器及其制备方法

[发明专利]含杂原子母核并芴环结构的磷光材料和有机发光器件-CN201710332101.2在审
发明人：孙可一;蔡辉 -专利权人：长春海谱润斯科技有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C07F9/655 文献下载
摘要：本发明提供含杂原子母核并芴环结构的磷光材料和有机发光器件，属于有机光电材料技术领域。解决现有技术中有机光电材料发光效率低、驱动电压高等发光性能差的技术问题。实验结果表明，采用本发明所述含杂原子母核并芴环结构的磷光材料制备的有机发光器件，发光效率最高可达18.8cd/A，驱动电压3.2V，是一种优异的OLED材料。
含杂原子母结构磷光材料有机发光器件

[发明专利]一种有机电致发光材料及其有机发光器件-CN201710568865.1有效
发明人：孙可一;蔡辉 -专利权人：长春海谱润斯科技有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光材料及其有机发光器件，属于有机光电材料技术领域。解决现有技术中有机光电材料发光效率低、驱动电压较高、使用寿命短等发光性能差的技术问题。与现有技术相比，本发明的基于一种有机电致发光材料及有机发光器件，驱动电压最低为3.7V，发光效率最高可达19.1cd/A，是一种优异的OLED材料。
一种有机电致发光材料及其发光器件

[发明专利]一种制备光电阴极镀层用镍合金无缝蒸发器及加工方法-CN201710385072.6在审
发明人：田文怀;郭子萌;王保光;秦世开;王崇云 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明涉及夜视仪用光电阴极镀层蒸镀领域，提供了一种制备光电阴极镀层用镍合金无缝蒸发器，由截面为梯形的无缝蒸发管加工制成，包括中间扁平部、盛装材料部、电极；中间扁平部上底边或下底边中心有圆孔；盛装材料部设于中间扁平部两端；电极设于盛装材料部远离中间扁平部的一侧；还提供了上述蒸发器的制作方法首先将梯形无缝蒸发管中心圆孔附近稍微压扁，中间留缝隙作为蒸汽逸出的通道；然后从蒸发管两端放入质量相同的蒸发材料；最后将蒸发管两端压扁为电极本发明的有益效果加工工艺简单，易实现机械化；蒸镀过程中，易于均匀稳定地在光电阴极上生成镀层，提高了微光图像增强器光电面的光电转换率；能满足多种光电阴极镀层制备的要求。
一种制备光电阴极镀层镍合金无缝蒸发器加工方法

[发明专利]光电转换器件以及传感器和电子设备-CN202011116438.8在审
发明人：南太规;尹晟荣;朴敬培;朴性俊;许哲准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：公开了光电转换器件以及传感器和电子设备，所述传感器和电子设备包括所述光电转换器件。所述光电转换器件可包括第一电极和第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层。所述光电转换层包括形成pn结的第一材料和第二材料、以及不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料。所述第三材料配置成调整所述第一材料或所述第二材料的能级分布。
光电转换器件以及传感器电子设备

[发明专利]光电器件及使用其的灯具和显示装置-CN200510096504.9无效
发明人：许廷娜;李晶姬;郑太远 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01J1/35 文献下载
摘要：提供了一种光电器件以及使用其的灯具和显示装置。该光电器件包括衬底；设置在所述衬底上且包括多个局部电场集中端部的导电的电场加强层；设置在所述电场加强层上且由发射二次电子的材料形成的电子放大层；以及设置在电子放大层上的光电材料层。该光电器件可以应用到各种领域以及被用作发光显示装置(OLED)以在低电压下产生高亮度的光。
光电器件使用灯具显示装置

[发明专利]一种光电材料的步进传送方法-CN201810063888.1在审
发明人：徐云鸿;汤友明;陈学兵 -专利权人：滁州英诺信电器有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电材料的步进传送方法，具体包括如下操作步骤：S1：上料，利用真空吸板将光电材料切片吸附固定；S2：加速传送阶段；S3：匀速传送阶段；S4：减速传送阶段；S5：放料；S6：复位。本发明通过真空吸板对光电材料切片进行吸附固定，不会对光电材料切片造成破坏，降低了光电材料切片的损耗率，通过分阶段控制传送速度，有利于提高输送速度，通过在到达放料工位前进行减速，有利于光电材料切片平稳的到达放料工位，避免光电材料切片由于冲量而脱离真空吸板，提高传送时的安全性。
光电材料切片传送真空吸板放料工位吸附固定步进减速冲量分阶段控制损耗率放料复位上料脱离

[发明专利]一种噻吩稠合的2,1,3-苯并二唑衍生物及其聚合物-CN201310552886.6有效
发明人：陈兴国;周鹏程;秦金贵 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C07D513/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有式（Ⅰ）结构的噻吩稠合的2,1,3-苯并二唑衍生物及其在两侧桥连噻吩后所形成的具有式（Ⅱ）结构的聚合物光电功能材料。本发明的新型受体所形成的聚合物均具有良好的溶解性，并且具有窄的带隙，是一种优良的光电功能材料，可应用于有机半导体光电领域如有机太阳能电池及场效应晶体管领域。
一种噻吩衍生物及其聚合物

[发明专利]光电传感器封装结构制作方法和光电传感器封装结构-CN202011200383.9有效
发明人：王顺波;钟磊;李利 -专利权人：甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电传感器封装结构制作方法和光电传感器封装结构，涉及半导体制作技术领域，光电传感器封装结构制作方法包括：提供一基板，将光电传感器芯片和发光芯片均装贴于所述基板的同一侧；采用透明塑封材料对所述光电传感器芯片和所述发光芯片进行塑封，形成透光塑封体，其中，所述透光塑封体开设有沟槽，所述沟槽位于所述光电传感器和所述发光芯片之间；在所述沟槽内填充遮光材料形成遮光隔离墙，通过上述步骤，能够得到一种产品性能好的光电传感器封装结构。
光电传感器封装结构制作方法

[发明专利]一种小分子空穴传输材料、制备方法、应用及钙钛矿电池-CN202211580276.2在审
发明人：黄红艳;侯平平;谭立容 -专利权人：南京信息职业技术学院
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C07D495/14 文献下载
摘要：本发明属于有机光电材料技术领域，具体涉及一种小分子空穴传输材料、制备方法、应用及钙钛矿电池。小分子空穴传输材料结构式如式DTCz‑TPA或式TCz‑TPA所示。本发明提供的有机小分子空穴传输材料具有热稳定性好，空穴迁移率高，良好的成膜性，在非掺杂的条件下，应用到反式钙钛矿太阳能电池器件中，光电转换效率达到16％左右，本发明提供的小分子空穴传输材料有望在钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池、有机场效应晶体管等其它光电半导体器件领域获得广泛应用。
一种分子空穴传输材料制备方法应用钙钛矿电池