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[发明专利]复合材料及其制备方法-CN201811632913.X在审
发明人：丘洁龙 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法。所述复合材料包括磷烯和结合在所述磷烯表面的钙钛矿量子点。该复合材料兼具磷烯和钙钛矿量子点的优点，具有优良的力学性能、光学性能和高效的光电转换率和载流子迁移速率的特点，在电化学、光电转换器件、电池或者电容器等领域有广泛的应用前景。
复合材料及其制备方法

[发明专利]一种有机光电材料的抗压性能和抗拉性能测试方法-CN201810155287.3有效
发明人：陶亚萍;韩礼刚;胡要花;李瑞;张伟英 -专利权人：洛阳师范学院
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机光电材料的抗压性能和抗拉性能测试方法，通过电缸本体给有机光电材料施加压力和利用拉力机对有机光电材料施加拉力，配合激光扫描仪和控制台从而可以有效的对有机光电材料的抗拉性能进行测试，同时利用测试装置对有机光电材料处在不同压力或者拉力的情况下的工作效率或者工作性能进行对比分析，利用加热管对有机光电材料加热不同的温度，从而对在不同的温度条件下有机光电材料的抗拉性能进行测试，该发明结构设计简单合理，操作方便，测试效果好，精确度高，安全稳定，测试周期短，适用范围广，有利于推广和普及
一种有机光电材料抗压性能测试方法

[发明专利]一种基于金属氧化物纳米阵列电场导向外延生长水滑石制备多级结构材料的方法-CN201210385204.2有效
发明人：卫敏;邵明飞;宁凡雨;段雪 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种属于无机纳米材料合成领域的一种基于金属氧化物纳米阵列电场导向外延生长水滑石制备多级结构材料的方法。其合成步骤为：首先制备垂直于导电基底生长的纳米阵列材料；然后利用电化学合成的方法在纳米阵列上直接生长有序的LDH纳米片，最终得到多级结构材料。该多级结构材料能够同时充分发挥金属氧化物纳米阵列的光响应性能和水滑石的电化学及光响应性能，对于实现高效的光电化学能量转换具有重要的意义。其在光电化学器件、传感等方面具有重要的研究价值和应用价值。本发明不但得到了一种有序的阵列复合材料，而且拓宽了水滑石类材料的制备方法和应用领域，该多级结构材料可用于光电化学分解水。
一种基于金属氧化物纳米阵列电场导向外延生长滑石制备多级结构材料方法

[发明专利]一种放卷张力自动控制结构-CN201711401599.X在审
发明人：叶其孩;叶方国;叶其广 -专利权人：温州市华龙印刷机械有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： B65H23/182 文献下载
摘要：本发明涉及纺织设备领域，一种放卷张力自动控制结构，包括用于放置材料卷的原料轴，以及对原料轴产生制动力的制动器，以及牵引材料卷输出的牵引胶辊轴，以及驱动所述牵引胶辊轴的牵引电机；所述原料轴的轴端传动连接有第一码盘，第一光电开关对于第一码盘；所述牵引胶辊轴的轴端传动连接有第二码盘，第二光电开关对于第二码盘；根据第一光电开关和第二光电开关检测到的信息，制动器调节对原料轴产生的制动力。该放卷张力自动控制结构可经过检测得到前材料卷的直径，从而可自动调节材料输送张力，保证产品加工质量。
一种张力自动控制结构

[发明专利]二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器及其制备方法-CN202210566289.8在审
发明人：张骐;苏俊;李馨 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测技术领域，提供了一种二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷光电探测器及其制作方法，分为以下四步：(1)制备单层二硫化钼薄膜；(2)制备二硫化钼钛酸钡复合材料；(3)制备二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷；(4)制备基于(3)中材料的光电探测器。通过引入钛酸钡纳米颗粒与二硫化钼复合后构筑纳米卷结构，可以显著提升二硫化钼的光响应度，从而得到一种具有高光响应度的光电探测器件。
二硫化钼钛酸钡复合纳米光电探测器及其制备方法

[实用新型]抗腐蚀照明光源-CN201320040886.3有效
发明人：张岩峰;林志兴;涂琦彬;俞春煌;张增基;张伟;徐仰高 -专利权人：龙岩烟草工业有限责任公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗腐蚀照明光源，涉及照明技术领域。解决了现有技术存在极易因为腐蚀而损坏的技术问题。该抗腐蚀照明光源，包括灯体、灯头以及发光电子器件，所述灯体至少局部区域为透明材料制成，所述透明材料制成的局部区域用以透出照明光；所述灯头为具有抗腐蚀性能的导体材料制成，所述发光电子器件设置于所述灯体内的，且所述发光电子器件与所述灯头电连接且所述发光电子器件能将从所述灯头获取的电能转换为照明光；所述灯体与所述灯头相粘结，且所述灯体与所述灯头的连接处采用树脂材料密封。
腐蚀照明光源

[实用新型]一种光电显示材料检测自动传送装置用固定机构-CN202121747478.2有效
发明人：邹继 -专利权人：南京彩灏电子产品有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电显示材料检测自动传送装置用固定机构，涉及光电显示材料检测技术领域，为解决现有的光电显示材料检测自动传送装置在使用时，光电显示材料容易晃动，且排料不便的问题。
一种光电显示材料检测自动传送装置固定机构

[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201811398432.7有效
发明人： P.纳格尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：光电子器件和用于制造光电子器件的方法。光电子器件具有带有安装面的载体。在安装面上方布置至少一个被构造为发射电磁辐射的光电子半导体芯片。模制材料被布置在安装面上方，其中所述光电子半导体芯片被嵌入在模制材料中。在模制材料中构造出空腔。空腔是空的。光电子半导体芯片的辐射发射面不被模制材料所覆盖。该空腔可通过在模制材料中的开口接近。开口的开口面比光电子半导体芯片的所有辐射发射面的总和小。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]一种ZnO-NCQDs DNA光电传感器的制备及其应用-CN201610121485.9在审
发明人：庞雪辉;闫涛;胡丽华;吴丹;张勇;马洪敏;范大伟;魏琴 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnO-NCQDs（氮掺杂碳量子点）纳米复合材料光电生物传感器的制备方法及其应用，属于生物传感检测技术领域。基于ZnO-NCQDs纳米复合材料作为光电信标物质，NCQDs以其量子尺寸效应、介电效应及表面积效应，增强了ZnO的光电性能，可实现对实体组织miRNA-101的定性、定量检测，具有设备简单、成本低、易于微型化和集成化的优点，对于拓展光电传感器对miRNA-101的检测范围具有重要的价值。
一种 zno ncqds dna 光电传感器制备及其应用

[实用新型]一种基板及光电显示装置-CN201520005467.5有效
发明人：李文波;吴新银;乔勇;程鸿飞;李盼;先建波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基板及光电显示装置，用以减缓或避免光电显示装置受到外力或者发生弯曲时，过多的光电显示介质对密封材料的冲击，延长了密封材料的使用时间，避免光电显示介质外漏，从而延长整个光电显示装置的使用时间该实用新型提供的一种基板，应用于显示装置，在显示区和密封材料之间设置有用于减少对密封材料的冲击的光电显示介质滞留缓冲区，当光电显示装置受到外力或发生弯曲时，光电显示介质由于受挤压会向外侧的密封材料的方向流动，因此可以通过在显示区和密封材料之间设置的滞留缓冲区，承装一部分或全部受挤压而从显示区流出的光电显示介质，从而减缓或避免光电显示装置发生弯曲时光电显示介质对滞留缓冲区的冲击。
一种光电显示装置

[发明专利]一种高分散性酞菁铜光电材料的制备方法-CN201810996379.4在审
发明人：裘友玖;丁春美 -专利权人：佛山皖和新能源科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种高分散性酞菁铜光电材料的制备方法，属于新能源技术领域。再将振荡滤渣和卵磷脂反应后用高锰酸钾溶液氧化，得到反应滤饼，接着本发明用乙醇对石墨烯表面进行预改性，再将预改性石墨烯用电晕设备进行电晕处理，得到改性石墨烯，最后将改性石墨烯和反应滤饼在二甲基乙酰胺中反应最终制得高分散性酞菁铜光电材料，本发明制得的高分散性酞菁铜光电材料分散性好，光电性能佳，具有广阔的应用前景。
酞菁铜高分散性光电材料改性石墨烯石墨烯预改性滤饼制备二甲基乙酰胺高锰酸钾溶液多巴胺溶液新能源技术卵磷脂电晕处理分散性好光电性能振荡反应乙醇振荡滤渣应用

[发明专利]一种多级结构ZnO@CoS薄膜电极的制备及其在光电分解水中的应用-CN201611065569.1在审
发明人：豆义波;周健;刘名乘;赵敏坚;李建荣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：一种多级结构ZnO@CoS薄膜电极的制备及其在光电分解水中的应用，属于能源转换的技术领域。第一步通过简单的晶种涂敷和水热反应在导电玻璃(FTO)基底上均匀生长ZnO纳米棒阵列，第二步在ZnO纳米棒表面原位生长金属有机骨架材料(Co‑MOF)，最终制得ZnO@Co‑MOF复合材料。第三步将ZnO@Co‑MOF硫化处理得到多级结构的复合材料。ZnO@CoS作为光电极具有较宽的光响应信号、光电催化活性和化学稳定性，可应用在光电分解水等新能源存储与转换装置。
一种多级结构 zno cos 薄膜电极制备及其光电分解水中应用

[发明专利]一种基于ME-BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202010293158.8有效
发明人：于军胜;郑丁;侯思辉;李嘉文 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ME‑BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件技术领域，所述光电探测器包括从下到上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层，复合空穴传输层和金属阳极，所述复合空穴传输层包括上下两层，所述复合空穴传输层的上层材料为ME‑BT，下层材料为Spiro‑OMeTAD，本发明通过引入ME‑BT与Spiro‑OMeTAD形成复合空穴传输层，在提升器件光电流的同时，大幅降低其暗电流，解决了传统空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD迁移率低，器件稳定性差，寿命较短的问题。
一种基于 me bt 复合空穴传输钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种新型极性氧硒化物及其制备方法和应用-CN202111157756.3在审
发明人：黄富强;王瑞琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：>Sb6O7Se10，属于单斜晶系Cm极性空间群，具有层状结构，是一类新型光电转换材料由于该材料具有极性晶体结构，因此晶体内部存在宏观极化，有利于实现光生电子‑空穴的高效分离。该材料具有较大的二阶倍频响应特性，证实了材料中存在较强极化。基于材料单晶的光电器件，在500‑1000nm范围内表现出良好的光电响应性，表明该材料为一种有潜力的新型光电转换材料，可用于光电探测、光催化、光伏、激光频率转换等领域。
一种新型极性氧硒化物及其制备方法应用

[发明专利]一种Cu2Se光电材料的制备和用途-CN201610663955.4有效
发明人：薛绍林;冯涵阁;侯鑫;谢培;刘志远;高志勇;王悠雅;李羚玮 -专利权人：东华大学
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种Cu2Se光电材料的制备和用途。所述的Cu2Se光电材料的制备方法，其特征在于，包括将含有铜源和硒源的混合溶液在170℃‑180℃下反应一段时间，冷却，分离所得沉淀，洗涤，干燥，得到Cu2Se光电材料；其中，所述的硒源为Na2SeO3本发明合成的Cu2Se光电材料对光照有较灵敏的反应，能用作光电转换材料。
一种 cu2se 光电材料制备用途