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[发明专利]粘合薄膜-CN201280028259.6有效
发明人：山本充志;林圭治 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明的粘合薄膜（1）具备作为基材的树脂薄膜（10）和设置于树脂薄膜（10）的至少一面的粘合剂层（20）。基材（10）在波长1000nm～1100nm的范围内的激光吸收率为20%以上，其包含激光吸收层（42），所述激光吸收层（42）具备提高上述激光的吸收率的激光吸收剂（402）。作为激光吸收剂（402），可以优选使用选自金属粉末和金属化合物粉末中的至少一种。
粘合薄膜

[发明专利]多值只读存储器盘的冲压器的制造方法及其制造设备和所制造的盘-CN200580016206.2无效
发明人：花冈克成;三浦博 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2005-05-18 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种廉价有效地制造用于制造多值ROM盘的冲压器的方法，其包括：(i)向层压体上照射光，由此在热反应层内形成反应部分，(ii)保留所述热反应层内通过所述光照射形成的所述反应部分，(iii)保留位于所述反应部分之下的光吸收层，(iv)保留位于所述反应部分之下的衬底，并且(v)去除所述保留的光吸收层和所述保留的热反应层，其中，所述层压体包括位于所述衬底上的所述光吸收层和所述热反应层，所述光吸收层和所述热反应层相邻设置。
只读存储器冲压制造方法及其设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910023455.8有效
发明人：伏广才;赖海长 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内形成有相邻的阱区和漂移区；栅极结构，位于阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；硅化物阻挡层，位于栅极结构和漏区之间的基底上，硅化物阻挡层还延伸至栅极结构中靠近漏区的侧壁和部分顶壁上；光吸收层，位于硅化物阻挡层上；介电层，位于栅极结构露出的基底上，且介电层覆盖栅极结构以及光吸收层；导电结构，位于介电层内，且导电结构的底端位于光吸收层中或者位于光吸收层上。光吸收层能够吸收光子中的能量，导电结构底部的第一类型电荷吸收能量降低的光子后，不易进入漂移区内，优化了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有平衡的光化学过程的TTI指示器-CN200780047906.7无效
发明人： A·富克斯;A·V·卡里冈 -专利权人：西巴控股有限公司
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C09K9/02 文献下载
摘要：本申请涉及时间温度指示器，其包含a)至少一种引入基材中和/或基材上，并通过暴露于紫外光充电的光致变色着色剂；b)至少一层粘附在含有所述光致变色着色剂的下层a)上的透明无色或透明有色光吸收保护层；其特征在于该光吸收保护层含有1-50wt％的紫外光吸收剂或紫外光吸收剂混合物，和0.1-10wt％的荧光增白剂，其中所述紫外光吸收剂与荧光增白剂的重量比为0.1-10。
具有平衡光化学过程 tti 指示器

[发明专利]有机小分子-氧化镓异质结的柔性日盲探测器及制备方法-CN202110329564.X在审
发明人：郭道友;王顺利;吴超;吴小平 -专利权人：金华紫芯科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于光电转换技术领域，具体涉及有机小分子‑氧化镓异质结的柔性日盲探测器及制备方法，探测器包括PET/ITO柔性衬底、a‑GaO光吸收层、NPB层、第一测试电极和第二测试电极，PET/ITO柔性衬底包括PET层和位于PET层上的ITO层；a‑GaO光吸收层位于ITO层背离PET层的上方；NPB层位于a‑GaO光吸收层背离PET/ITO柔性衬底一面；第二测试电极位于ITO层背离PET层一侧；第一测试电极位于NPB层背离a‑GaO光吸收层一侧；其中，a‑GaO光吸收层与NPB层形成a‑GaO/NPB异质结，形成内建电场，以分离光生载流子。
有机分子氧化镓异质结柔性探测器制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201280054136.X有效
发明人：李东根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：根据本发明的太阳能电池包括在支撑基板上的背电极层；将所述背电极层分成多个背电极的第一通孔；在所述背电极层中的第一接触图形；形成在所述背电极层上的光吸收层，该光吸收层包括在所述第一接触图形上的第二接触图形；以及在所述光吸收层上的前电极层。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]半导体受光元件-CN202180081005.X在审
发明人：田口桂基;石原兆;大重美明;牧野健二 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：基板(10)；半导体层叠部(20)，其形成在所述基板(10)的第1区域(RB)上；和第1电极(40)和第2电极(50)，它们与所述半导体层叠部(20)电连接，所述半导体层叠部(20)包含：第1导电型的光吸收层(24)，其包含InxGa1‑xAs；和与所述第1导电型不同的第2导电型的第2区域(27)，其相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧，并且与所述光吸收层(24)接合，所述第1电极(40)与所述半导体层叠部(20)中的、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)侧的所述第1导电型的第1部分(31)连接，所述第2电极(50)与所述半导体层叠部(20)中的、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧的所述第2导电型的第2部分(27)连接，所述光吸收层(24)的In组成x为0.55以上，所述光吸收层
半导体元件

[发明专利]线路板的钻孔方法-CN201310616735.2在审
发明人：余丞博;李明嘉 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：一种线路板的钻孔方法，其包括提供基板，基板包括导电层以及与导电层面对面地连接的绝缘层，其中导电层具有光吸收面与相对于光吸收面的接合面，而绝缘层连接并接触接合面；以及照射激光束于光吸收面，以移除部分导电层与部分绝缘层
线路板钻孔方法

[发明专利]具有高含量硅的介电抗反射涂布层-CN200510098690.X无效
发明人：罗兴安;苏金达 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-09-09 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用来制作半导体元件的光吸收层，其具有高的硅离子浓度。举例来说，半导体元件包括基底以及具有高含量硅的光吸收层，例如为含有至少68％的硅浓度的氮氧化硅层与氧化硅层。而第二介电抗反射涂布层可以选择性地形成在具有高含量硅的光吸收层之上。
具有含量电抗反射涂布层

[发明专利]一种压力检测装置、屏幕组件及移动终端-CN201811548465.5有效
发明人：郭阳;李奎;谢长虹 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种压力检测装置、屏幕组件及移动终端，所述压力检测装置包括依次排列的基板、光传导层、光吸收层和感光层，还包括光源，其中：所述光源可发射第一频率的光，其出射面朝向所述光传导层；所述光传导层将所述第一频率的光分散射出；所述光吸收层包括形成封闭空间的容器，以及填充所述容器的吸收液，所述吸收液至少吸收部分所述第一频率的光，所述容器的至少一侧面为弹性面；所述感光层的感光面朝向所述光吸收层，所述感光层用于检测穿过所述光吸收层的所述第一频率的光
一种压力检测装置屏幕组件移动终端

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200610148435.6无效
发明人：崔在万;李知爰;李禾燮;安光淳;申炳哲;朴晶远 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：太阳能电池包括基板、形成在基板上的电极以及形成在电极上的光吸收层。在电极和光吸收层之间形成接触面积扩大区域。太阳能电池的形成方式为，形成具有接触面积扩大区域的电极以及在电极上形成光吸收层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]滤光片-CN201810822019.2有效
发明人：吕中汉;欧俊尧;廖家圣 -专利权人：白金科技股份有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：一种滤光片包括光吸收部以及滤光层。光吸收部包括至少一种紫外光吸收材料，其中上述紫外光吸收材料的任一种在紫外光波段中的最大吸收波长介于365纳米至380纳米之间。滤光层形成于光吸收部上。
滤光

[发明专利]光检测装置-CN202180051938.4在审
发明人：塚田祥贺;笠森浩平;广瀬真树;藁科祯久 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：光检测元件(10A)具备半导体基板(16)和光吸收膜(30)。光吸收膜(30)设置于半导体基板(16)的主面(16a)上的光检测区域(11)的周围的区域中的至少一部分的区域上。光吸收膜(30)具有包含光吸收层(31)、共振层(32)、及反射层(33)的多层结构。在被检测光的波长中，共振层(32)的内部的光透过率较光吸收层(31)的内部的光透过率大，反射层(33)的表面的光反射率较共振层(32)的表面的光反射率大。
检测装置

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201080026916.4无效
发明人：池奭宰;曺豪健;崔哲焕 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-06-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：所述太阳能电池包括：衬底；后电极层，设置在所述衬底上；光吸收层，设置在所述后电极层上；以及前电极层，设置在所述光吸收层上，其中所述前电极层包括：设置在所述光吸收层上的第一导电层；和设置在所述第一导电层上的第二导电层
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种平面-介孔混合钙钛矿太阳能电池结构及制作方法-CN201410393915.3在审
发明人：段智勇;王盼;苏宇锋;郑国恒;钟英辉;李冬雪;王文 -专利权人：郑州大学
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面-介孔混合钙钛矿太阳能电池结构，从下至上依次包括衬底、透明电极、太阳光吸收混合层、空穴传输层和金属背电极，太阳光吸收混合层为具有介孔的柱阵列支架结构层，柱阵列上下表面、柱阵列间隙及柱内介孔间隙内填充有钙钛矿功能材料本发明中由钙钛矿功能材料和柱阵列结构所组成的太阳光吸收混合层，同时具有平面和介孔两种钙钛矿电池结构，能够较大幅度地提高电池光电特性。太阳光吸收混合层由金属氧化物支架和钙钛矿填充物构成，太阳光吸收混合层的上表面为空穴传输层平面，太阳光吸收混合层的下表面为电子传输层平面，这种规整的堆栈结构表观有利于采光和载流子的传输，能进一步提高转化效率
一种平面混合钙钛矿太阳能电池结构制作方法