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[发明专利]非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法-CN201010111495.7无效
发明人：林群福;陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收层的制作方法，特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法，包括：(1)依据配方比例，混合含IB、IIIA的二成份或三成份硒化物材料，形成原始混合粉末；混合粉末为纳米级的球形粉和薄片形粉；(2)添加溶剂搅拌，形成浆料；(3)将该浆料涂布在钼层上，软烤形成光吸收前驱层；(4)将含铜铟镓硒和/或硫前驱层的基板反置于含均匀洒布VI族元素的耐高温载板上，在快速退火热处理炉中退火长晶，形成光吸收层避免使用危险的硒化氢；设备成本低；所形成的光吸收层致密，光吸收特性好，光电转换效率高。
真空制作铜铟镓硒光吸收方法

[发明专利]滤光片用膜及使用该膜的等离子体显示面板用滤光片-CN200780025352.0无效
发明人：濑川淳一;芥研二;上原淳行 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 2007-07-05 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本发明开发具有氖光吸收性粘接层的氖光吸收膜以及使用该膜的滤光片，为了使在涂布干燥后进行的熟化操作前后的氖光吸收能力不发生变化，上述氖光吸收性粘接层中，粘接剂是在涂布干燥后立刻成为具有足够的交联密度的高分子的粘接剂，利用添加剂等使以花青类色素为代表的氖光吸收色素在粘接剂中稳定化，从而在耐热性试验或耐湿热试验中也可保持优良的该稳定性，可将雾度值保持得较低。通过将由重均分子量为100万以上的热交联型丙烯酸脂肪族系树脂和交联剂构成的粘接剂、花青类氖光吸收色素和粘土矿物组合，可开发出具有氖光吸收性粘接层的氖光吸收膜以及使用该膜的滤光片，上述氖光吸收性粘接层在耐热性试验或耐湿热试验中也可保持优良的该稳定性
滤光片用膜使用等离子体显示面板

[发明专利]一种氮面极性InGaN太阳能电池结构-CN201810090987.9在审
发明人：肖红领;王琨;王权;李巍;姜丽娟;冯春;王翠梅;王晓亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮面极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明的特点是外延层为氮面极性，使得光吸收层i‑InGaN层中的总极化电场与内建电场方向相同，从而使极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。
光吸收层太阳能电池结构氮面极性光生载流子太阳能电池极化电场极化效应金属电极内建电场上表面太阳光外延层入射输运阻碍

[发明专利]具有锥形光反射层的显示装置及其制造方法-CN201280041792.6有效
发明人：园田大介;藤吉纯;高桥恒平;海东拓生;松本克巳 -专利权人：皮克斯特隆尼斯有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：所述显示装置还包含用以反射光的光反射层，所述光反射层形成于所述衬底的所述上表面上方。所述显示装置还包含用以吸收光的光吸收层，所述光吸收层形成于所述光反射层的所述上表面上方。穿过所述光反射层及所述光吸收层界定有多个孔隙，使得在所述多个孔隙中的每一者的边缘处，所述光吸收层部分地悬于所述光反射层之上。
具有锥形反射层显示装置及其制造方法

[发明专利]一种复合材料及其复合基底-CN202111498467.X有效
发明人：杨世和;唐松涛;邱伟涛 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C25B11/053 文献下载
摘要：一种复合材料及其复合基底，复合材料包括依次沉积的光反射层、光吸收层、保护层。光反射层可以帮助上层的金属层进一步吸收红外光，光吸收层可以通过表面等离子体效应实现对光的宽谱吸收与转化，保护层具有高光透过率，利于红外的穿透。该复合材料显著增强了对红外区域的光吸收。
一种复合材料及其复合基底

[发明专利]彩色显象管-CN90104993.X无效
发明人：伊藤武夫;松田秀三;清水和彦;田中肇 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1990-07-26 - 公布日： 1992-09-23 - 主分类号： H01J29/32 文献下载
摘要：本发明的彩色显象管具备具有面板的真空外壳；具有半透明的黑色光吸收层和荧光体层的荧光屏，该黑色光吸收层在该面板的第一区域上形成为条状或矩阵状，该荧光体层由在该面板的第二区域上形成条状或点状的蓝、红及绿色发光荧光体所组成；配置在真空外壳内可射出电子射线并使其聚焦的电子枪；上述荧光体层的各端部在黑色光吸收层上延伸，形成重合部，且在各荧光体层之间在上述黑色光吸收层上设间隙而形成不存在荧光体层的光吸收部。
彩色显象管

[发明专利]光吸收层及其制造方法、分散液、光电转换元件和中间带型太阳能电池-CN201780028042.8有效
发明人：细川浩司;泽田拓也;小此木明德 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成2阶段光吸收的量子产率优异的光电转换元件和中间带型太阳能电池的光吸收层、具有该光吸收层的光电转换元件和中间带型太阳能电池。并且，本发明涉及能够期待大幅的成本降低和向柔性基板用途的扩大等的、具有使用“湿式工艺”得到的中间带的光吸收层的制造方法。本发明的光吸收层在具有2.0eV以上3.0eV以下的带隙能的块状半导体的基体中分散有量子点，且具有中间带。
光吸收及其制造方法分散光电转换元件中间太阳能电池

[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法-CN201310329747.7无效
发明人：杨政烨;安英京;朴凤景;尤里·列别德夫 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：所述太阳能电池模块包括：基板；下电极，位于基板上；光吸收层，位于下电极上；上电极，位于光吸收层上；保护层，位于上电极上，保护层沿光吸收层的侧壁延伸到下电极，保护层包括吸湿材料。
太阳能电池模块及其制造方法

[发明专利]一种封装胶膜及其应用-CN202210627915.X在审
发明人：王龙;魏梦娟;桑燕;侯宏兵;周光大 -专利权人：杭州福斯特应用材料股份有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装胶膜，至少为两层，所述封装胶膜包括紫外光吸收层和紫外光转换层；所述紫外光吸收层包括基体树脂和紫外光吸收剂；所述紫外光转换层包括基体树脂和紫外光转换剂。所述紫外光吸收层中所述紫外光吸收剂的含量为0.1g/m2~10g/m2；所述紫外光转换层中紫外光转换剂的含量为0.1g/m2~10g/m2。紫外吸收层中的紫外吸收剂，可以吸收200~400nm的紫外光，紫外光转换层中的光转换剂，可以将280~380nm的紫外光转成成可见光。本发明封装胶膜包括多层复合结构，紫外光吸收剂和紫外光转换剂分别分散于不同层中，互不干扰，协同作用，实现高紫外截止和高可见光透过。可以根据不同紫外吸收剂和紫外光转换剂的相应波段，合理搭配，达到所需效果。
一种封装胶膜及其应用

[发明专利]一种InGaN太阳能电池结构-CN201810091653.3在审
发明人：肖红领;王琨;王权;姜丽娟;李巍;冯春;王翠梅;王晓亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种InGaN太阳能电池结构，其包括：p型GaN层、i区光吸收层、n型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于p型GaN层的上面，n型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，p型GaN层、i区光吸收层、n型GaN层的极性为Ga面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明的特点是外延层为Ga面极性，采用n区在上，p区在下的结构，使得光吸收层中的总极化电场与内建电场方向相同，从而使极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。
光吸收层太阳能电池结构光生载流子太阳能电池极化电场极化效应金属电极内建电场上表面太阳光外延层入射输运阻碍

[发明专利]光侦测器方法及光侦测器结构-CN201610479979.4有效
发明人： J·J·埃利斯莫纳格汉;J·C·S·霍尔;M·H·哈提尔;E·W·基埃瓦拉;S·M·尚克 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：在该方法中，多晶或非晶的光吸收层形成在介电层上以使其接触光波导的单晶半导体核心。该光吸收层接着以一或多个应变缓解层密封且进行快速熔化生长(RMG)工序以结晶化该光吸收层。该(多个)应变缓解层是为了控制应变缓解而调变，以致在该RMG工序期间，该光吸收层保持免于破裂。接着移除该(多个)应变缓解层且在该光吸收层之上形成密封层(例如，填充该RMG工序期间发展的表面凹陷)。随后，通过该密封层植入掺质以形成用于(多个)PIN二极管的扩散区域。由于该密封层相对薄，可在该扩散区域内达到想要的掺质轮廓。
侦测方法结构

[发明专利]光侦测器结构-CN201710542447.5有效
发明人： J·J·埃利斯莫纳格汉;J·C·S·霍尔;M·H·哈提尔;E·W·基埃瓦拉;S·M·尚克 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：在该方法中，多晶或非晶的光吸收层形成在介电层上以使其接触光波导的单晶半导体核心。该光吸收层接着以一或多个应变缓解层密封且进行快速熔化生长(RMG)工序以结晶化该光吸收层。该(多个)应变缓解层是为了控制应变缓解而调变，以致在该RMG工序期间，该光吸收层保持免于破裂。接着移除该(多个)应变缓解层且在该光吸收层之上形成密封层(例如，填充该RMG工序期间发展的表面凹陷)。随后，通过该密封层植入掺质以形成用于(多个)PIN二极管的扩散区域。由于该密封层相对薄，可在该扩散区域内达到想要的掺质轮廓。
侦测方法结构

[发明专利]基于二维硒纳米片的固体光探测器及其制备方法-CN201810775946.3在审
发明人：张晗;谢中建 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维硒纳米片的固体光探测器，包括基底、依次设置在基底上的隔离层和光吸收层，以及间隔设置在光吸收层上的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层的材料包括二维硒纳米片本发明还提供了一种基于二维硒纳米片的固体光探测器的制备方法，包括：将二维硒纳米片分散在有机溶剂中形成二维硒纳米片分散液，将二维硒纳米片分散液均匀涂布在隔离层上，干燥后得到光吸收层；在光吸收层上方以及未被光吸收层覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶
光吸收层纳米片二维光探测器隔离层漏极源极分散液光刻胶基底制备沉积电极材料电极图案沟道结构间隔设置均匀涂布依次设置有机溶剂去除显影旋涂曝光暴露覆盖

[发明专利]基于二维碲纳米片的固体光探测器及其制备方法-CN201810775860.0在审
发明人：张晗;谢中建 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L31/0272 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维碲纳米片的固体光探测器，包括基底、依次设置在基底上的隔离层和光吸收层，以及间隔设置在光吸收层上的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层的材料包括二维碲纳米片本发明还提供了一种光探测器的制备方法，包括：将二维碲纳米片分散在有机溶剂中形成二维碲纳米片分散液，将二维碲纳米片分散液均匀涂布在隔离层上，干燥后得到光吸收层；在光吸收层上方以及未被光吸收层覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶
光吸收层纳米片二维光探测器隔离层漏极源极制备分散液光刻胶基底沉积电极材料电极图案沟道结构间隔设置均匀涂布依次设置有机溶剂去除显影旋涂曝光暴露覆盖

[发明专利]有机发光显示装置-CN201810954652.7有效
发明人：赵昭英;金秀刚;具沅会 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K59/35 文献下载
摘要：有机发光显示装置包括：包括多个像素区域的基板；在多个像素区域的白色像素区域中并且包括光吸收染料的光吸收材料层；光吸收材料层上的外涂层；在外涂层的顶表面处的微透镜结构；以及微透镜结构上的发光二极管，其中，光吸收染料具有约500nm至640nm的主吸收波长。
有机发光显示装置