专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]遮光部件-CN202180023300.X在审
  • 吉田拓郎;鸟居俊介 - 东海光学株式会社
  • 2021-03-23 - 2022-11-15 - G02B5/00
  • 遮光部件(1)的光学多层膜(4)以4以上配置有吸收可见光的光吸收(6)和作为电介质制的的电介质(8)。距基材(2)最远的最表层(10)的物理膜厚为62nm以上91nm以下。配置在物理膜厚为26nm以上85nm以下的电介质(8)中的最靠近最表层(10)的次最表层(12)与最表层(10)之间的光吸收(6)的物理膜厚的合计即表层侧光吸收厚度C为6nm以上17nm以下。配置在次最表层(12)与基材(2)之间的光吸收(6)的物理膜厚的合计即基材侧光吸收厚度D为60nm以上。从配置在次最表层(12)与基材(2)之间的光吸收(6)中的物理膜厚最大的即基材侧最大厚度光吸收(18)到最表层(10)的物理膜厚的合计即特定表层厚度E的特定比例F=(C+D)/E为0.34以上。
  • 遮光部件
  • [发明专利]一种锗lab区硅基锗探测器-CN202210776366.2在审
  • 崔积适;肖洪地 - 三明学院
  • 2022-07-04 - 2022-11-01 - H01L31/0224
  • 本发明提供了一种锗lab区硅基锗探测器,包括:硅波导;第一表面与所述硅波导接触的光吸收;与光吸收第二表面接触的光吸收slab区,其中,所述光吸收slab区包括与所述光吸收的接触的接触部、以及与所述接触部连接的第一延伸部;与所述硅波导连接的第二延伸部;生长在所述第一延伸部上且远离所述硅波导的一端的第一电极;生长在所述第二延伸部上且远离所述硅波导的一端的第二电极。解决了现有技术中硅基锗光电探测器,存在部分光信号被电极吸收,导致探测器的响应度小的问题。
  • 一种lab区硅基锗探测器
  • [发明专利]受光元件-CN201510419547.X有效
  • 菊地真人武;中路雅晴;竹村亮太;山路和树 - 三菱电机株式会社
  • 2015-07-16 - 2017-11-21 - H01L31/0224
  • 本发明的受光元件具备第1导电型的衬底;第1导电型的光吸收,其在该衬底上形成,与该衬底相比带隙较小;第2导电型的扩散,其在该光吸收的一部分上形成;第1导电型的窗口,其在该光吸收上以包围该扩散的方式形成,与该光吸收相比带隙较大;正极电极,其在该扩散上形成;以及负极电极,其在该衬底上,以不与该窗口和该光吸收接触,而与该衬底接触的方式设置,该受光元件形成有槽,该槽在俯视观察时包围该扩散与该窗口之间的边界,在剖视观察时贯通该窗口和该光吸收
  • 元件
  • [发明专利]光学膜结构与显示器结构-CN201510167658.6有效
  • 李正中;赵玉如;吴佳育;李国昶 - 财团法人工业技术研究院
  • 2015-04-10 - 2018-01-12 - H01L51/52
  • 本发明公开一种光学膜结构与显示器结构,该光学膜结构包括一第一基板、一光学元件、一平坦及一光吸收。第一基板具有一第一表面及一第二表面;光学元件具有一微透镜阵列,设置于第一基板的第一表面上,微透镜阵列具有多个微透镜单元,每一个微透镜单元在第一表面上投影的圆形具有一投影半径R;平坦设置于该光学元件上;以及光吸收设置于该平坦上,光吸收具有多个光吸收单元,每一个光吸收单元具有一宽度W;其中光线经由第二表面通过微透镜阵列后,聚焦于光吸收,微透镜阵列与平坦的折射率差异大于或等于0.2且W小于或等于
  • 光学膜结构显示器结构
  • [发明专利]光学装置-CN202011310012.6在审
  • 林国峰;谢锦全 - 采钰科技股份有限公司
  • 2020-11-20 - 2021-10-22 - H01L31/0352
  • 光学装置包括第一导电、第一接面层、第一光吸收、第二接面层与第二导电。第一接面层配置在第一导电上。第一光吸收配置在第一接面层上,其中光吸收包括多个晶元格,每一晶元格包括多个柱状结构,每一晶元格的柱状结构的尺寸不同。第二接面层配置在光吸收上。第二导电配置在第二接面层上。
  • 光学装置

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