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[发明专利]半导体性碳纳米管薄膜的制备方法-CN201010017136.5无效
发明人：李红波;金赫华;陈艳芳;李清文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体性碳纳米管薄膜的制备方法，属于纳米材料制备领域，其特征在于：在分散的单壁碳纳米管溶液中，加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质，并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层，最后以酸化消除介质的方式分离、提纯单壁碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜。利用本发明方法制备纯的半导体性碳纳米管薄膜，无需任何特殊装置和繁杂工序，制备过程简便、实用，而且低成本，有利于实现大面积碳纳米管薄膜的制备，促进半导体性碳纳米管薄膜在诸多领域的应用。
半导体纳米薄膜制备方法

[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法-CN201711246759.8有效
发明人：韩杰 -专利权人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于吸收光谱中的极值确定出半导体性单壁碳纳米管样品的纯度
半导体性单壁碳纳米纯度测量方法

[发明专利]一种碳纳米管薄膜的制备方法-CN201510495655.5在审
发明人：施勇 -专利权人：海门市明阳实业有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管薄膜的制备方法，属于纳米材料制备领域，在分散的单壁碳纳米管溶液中，加入与半导体性碳纳米管选择性吸附的介质，并在介质表面形成半导体性碳纳米管富集层，最后以酸化消除介质的方式分离、提纯单壁碳纳米管溶液中的半导体性碳纳米管薄膜利用本发明方法制备纯的半导体性碳纳米管薄膜，无需任何特殊装置和繁杂工序，制备过程简便、实用，而且低成本，有利于实现大面积碳纳米管薄膜的制备，促进半导体性碳纳米管薄膜在诸多领域的应用。
一种纳米薄膜制备方法

[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的制备方法-CN201210075757.8有效
发明人：李杰;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将单壁碳纳米管薄膜结构设置于基体，单壁碳纳米管薄膜结构包括金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于单壁碳纳米管薄膜结构上，形成复合结构，高分子材料层包覆每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；利用电子束轰击的方法除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，使金属性单壁碳纳米管暴露；除去金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
半导体性单壁碳纳米制备方法

[发明专利]一种制备半导体性碳纳米管阵列薄膜的方法-CN201911398594.5在审
发明人：曹宇;白兰 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备半导体性碳纳米管阵列薄膜的方法，属于碳纳米管电子学领域。本方法包括：取半导体性碳纳米管，溶解于易挥发有机溶剂中，得半导体性碳纳米管溶液；取与上述易挥发有机溶剂不互溶的第一溶剂，加入到半导体性碳纳米管溶液中，混匀后静置，待第一溶剂在碳纳米管溶液上形成清晰的两相界面后脱泡，得两相溶液；取基底，清洗烘干后，垂直浸入两相溶液中，再将基底从两相溶液中垂直拉出；清洗、吹干基底，得半导体性碳纳米管阵列薄膜。本发明制备的半导体性碳纳米管阵列薄膜，定向一致，排列均匀，重复性好，阵列密度高达100‑200根/μm，可提高碳纳米管器件的驱动电流等性能，推动碳纳米管阵列的产业化应用。
一种制备半导体纳米阵列薄膜方法

[发明专利]金属性和半导体性碳纳米管的分离方法-CN201010296333.5有效
发明人：金赫华;李红波;李清文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： B03B5/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法。该方法为：将碳纳米管样品分散于分散液中后，添加至填充有填料基质的色谱柱中，再向色谱柱中添加选定的脱洗液，其后根据金属性和半导体性碳纳米管在色谱柱中保留时间的差异，分批收集从色谱柱中流出的金属性、半导体性碳纳米管富集流出液，实现金属性和半导体性碳纳米管的分离。本发明利用廉价设备及简便工序，在短时间内能大量、有效、低成本地分离出粗制碳纳米管中的金属性和半导体性碳纳米管，且分离后的碳纳米管样品状态稳定，无新杂质引入。本发明有利于金属性和半导体性碳纳米管的精度分离和回收，可成为规模化分离碳纳米管的有效途径，并满足工业化生产应用的需要。
金属性半导体纳米分离方法

[发明专利]一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法-CN201410119928.1在审
发明人：仲东来;张志勇;彭练矛;王胜 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，是利用当碳纳米管与金属接触时，半导体性碳纳米管会形成肖特基势垒，而金属性碳纳米管则不会，故半导体性碳纳米管接触形成的电阻更大，造成同样电压下半导体性碳纳米管电流比金属性碳纳米管电流小，基于此，可以采用电流灼烧、微波辅助烧断和热毛细胶法等方法去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管。本发明制备工艺简单，可利用的碳纳米管占据整根碳纳米管比例更高，所获得的半导体碳纳米管整体管径更小，电学性能更好；金属性碳纳米管完全去除，可以得到纯度100%的半导体碳纳米管，所以开关比更大，适合做高速数字电路
一种去除纳米阵列金属性方法

[发明专利]一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法-CN202211611632.2在审
发明人：张莉莉;张佳阳;刘畅;吉忠海;李鑫;李晓齐;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01B32/159 文献下载
摘要：本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法。将基片上的单壁碳纳米管经过常温氢化处理，再通过氧化退火刻蚀，实现碳纳米管的直径分布显著窄化，半导体性碳纳米管的纯度(富集度/数量百分比)提高至90％以上。本发明利用一种简单的常温氢等离子体处理方法，实现单壁碳纳米管结构依赖的氢化学吸附，结合氧化退火进行碳纳米管的选择性刻蚀，实现了窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的高效制备，为推动半导体性单壁碳纳米管的实际应用奠定材料基础
一种自上而下窄带分布纯度半导体性单壁碳纳米法制方法

[发明专利]集成电路材料的制备方法和制备装置-CN200910181989.X有效
发明人：王鹏飞;张世理 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路材料的制备方法及应用该制备方法的制备装置，含有金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的液体从同一个入口进入同一个容器，在所述容器中受到变换的磁场的作用后，混合的金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管分离，分离之后的半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管分别两个出口流出。使用本发明的制备方法和制备装置制造的半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管的纯度高，可以大大提高使用半导体性碳纳米管的集成电路的产品良率。同时，由于本发明的制备方法简单易行，成本低廉，因此采用本发明的制备装置将可以大大降低高纯度碳纳米管的制造成本。
集成电路材料制备方法装置

[发明专利]一种制备半导体性碳纳米管准阵列薄膜的方法-CN201911243407.6在审
发明人：曹宇;白兰 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备半导体性碳纳米管准阵列薄膜的方法，属于碳纳米管领域。本方法包括：取半导体性碳纳米管，溶解于易挥发有机溶剂中，得到半导体性碳纳米管溶液；取基底，经清洗、烘干后，垂直浸入去离子水中，且仅留出够夹持基底的部分于水面上，此时在基底、去离子水和空气交界处形成三相界面；向三相界面处持续供应半导体性碳纳米管溶液的液滴或喷雾，并将基底从去离子水中垂直拉出；清洗基底，并用高纯度气体吹干，得到半导体性碳纳米管准阵列薄膜。与现有碳纳米管网络薄膜相比，本发明制备的半导体性碳纳米管准阵列薄膜，呈局部方向性排布的碳管数量为40％‑90％，减少了碳管‑碳管结的数量，减小了碳纳米管薄膜电阻，提高了载流子迁移率。
一种制备半导体纳米阵列薄膜方法

[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的制备方法-CN201210075759.7有效
发明人：李杰;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将该单壁碳纳米管薄膜结构设置于所述基体的第一表面，所述单壁碳纳米管薄膜结构包括多个金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于所述单壁碳纳米管薄膜结构上，形成一复合结构，所述高分子材料层包覆单壁碳纳米管中的每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；将所述复合结构放置于一电磁波环境中，除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，使金属性单壁碳纳米管暴露；除去所述金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
半导体性单壁碳纳米制备方法

[发明专利]一种半导体性单壁碳纳米管分离富集的方法-CN201810348995.9有效
发明人：官轮辉;吴初新;缪育明 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C01B32/159 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体性单壁碳纳米管分离富集的方法，涉及碳纳米材料制备科学技术领域。先采用电化学氧化法对原始单壁碳纳米管中的金属性和半导体性单壁碳纳米管进行不同程度的预氧化刻蚀；再将上述处理的单壁碳纳米管置于氧化性气氛下短时间高温灼烧，即实现半导体性单壁碳纳米管的分离富集，得到的半导体性单壁碳纳米管的纯度可达
一种半导体性单壁碳纳米分离富集方法

[发明专利]一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法-CN200910182678.5有效
发明人：金赫华;李红波;李清文 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法，其特征在于：基于分离用介质与金属性或半导体性碳纳米管的选择吸附性与富集作用，通过结合电泳、离心或冻结挤压的简便快速、低成本的方式，形成半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管富集区，实现金属性和半导体性碳纳米管的分离。本发明利用分离用介质分离碳纳米管，使分离后的碳纳米管样品保持稳定的状态，有利于精度分离和回收样品，并且易于实现碳纳米管的分离、量产，有利于满足工业化生产的需要。
一种金属性半导体纳米分离方法

[发明专利]碳纳米管结构-CN201710347893.0有效
发明人：王江涛;柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管结构，其包括多根碳纳米管呈阵列式分布，其中，每根碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段和一与该半导体性碳纳米管片段连接的金属性碳纳米管片段。
纳米结构

[发明专利]一种制备无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜的方法-CN201510990471.6在审
发明人：邱松;韩杰;李红波;金赫华;李清文 -专利权人：苏州希印纳米科技有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种制备无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜的方法，该方法包括以下步骤：将单壁碳纳米管与共轭聚合物分散剂共同分散在有机溶剂一中制得分散溶液一；离心处理分散溶液一，收集上清液并过滤，得到表面包裹有分散剂的半导体性单壁碳纳米管；提供有机溶剂二，清洗表面包裹有共轭聚合物分散剂的半导体性单壁碳纳米管；提供有机溶剂三，将上述清洗后的半导体性单壁碳纳米管进行分散制得分散溶液二；将分散溶液二涂敷在一基底上获得无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜与现有技术相比，通过本发明方法制备的无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜能够表现出单壁碳纳米管的本征性能，可适用于高性能碳纳米管薄膜半导体器件的制备。
一种制备分散剂半导体性单壁碳纳米薄膜方法

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