[发明专利]一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器在审
申请号: | 201911089437.6 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN110718633A | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 徐建龙;张景越;陈彤;王穗东;高旭 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王玉仙 |
地址: | 215168 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器,包括依次层叠设置的衬底、栅介质层、界面修饰层、钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜、电极层以及封装层;其中,所述钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜中的碳纳米管为半导体性碳纳米管。本发明的基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器,利用碳纳米管的高载流子迁移率与宽谱吸收特性,将钙钛矿的吸收光谱拓宽至近红外范围,同时提升了钙钛矿薄膜结晶质量及载流子迁移率,克服了溶液法制备的多晶钙钛矿薄膜在近红外范围内吸收低与载流子迁移率低的关键应用瓶颈。本发明所述的钙钛矿‑碳纳米管体异质结结构可显著增加用于电荷分离的界面面积,使得光响应度得到了大幅度提升。 | ||
搜索关键词: | 碳纳米管 钙钛矿 体异质结 载流子迁移率 宽谱 钙钛矿薄膜 光电探测器 薄膜 半导体性碳纳米管 溶液法制备 电荷分离 关键应用 光响应度 界面修饰 吸收光谱 吸收特性 依次层叠 栅介质层 电极层 封装层 衬底 多晶 瓶颈 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器,其特征在于,包括依次层叠设置的衬底、栅介质层、界面修饰层、钙钛矿-碳纳米管体异质结光敏薄膜、电极层以及封装层;其中,所述钙钛矿-碳纳米管体异质结薄膜中的碳纳米管为半导体性碳纳米管。/n
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- 一种基于多功能界面修饰层的碳基钙钛矿太阳能电池,属于光电器件领域,具体涉及以氢氧化碱金属作为电子传输层和钙钛矿吸光层之间的界面修饰层,用于钙钛矿太阳能电池。其结构包括透明导电基底、电子传输层、钙钛矿层、碳电极。主要以涂覆的方法将氢氧化碱金属修饰在电子传输层和钙钛矿层之间。该修饰层通过降低电子传输层界面张力和功函,提高钙钛矿层成膜质量,来促进界面间的载流子传输以及减弱膜内的非辐射复合。通过该方法集成的全无机碳基钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和开路电压得到显著提升,稳定性与迟滞效应明显改善。
- 具有不同空穴传输层的BiI-201810336474.1
- 丁勇;马爽;戴松元;谭占鳌 - 华北电力大学
- 2018-04-13 - 2020-01-10 - H01L51/42
- 本发明公开了一种具有不同空穴传输层的BiI
- 一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器-201920411692.7
- 王建禄;吴广健;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2019-03-29 - 2020-01-10 - H01L51/42
- 本专利公开了一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器。器件结构自下而上依次为是绝缘衬底、双极性二维半导体,金属电极、铁电功能层。器件制备步骤是:利用机械剥离法在衬底上制备双极性二维半导体,利用紫外光刻或电子束光刻的方法结合热蒸发、剥离工艺制备金属电极,然后在该结构上用旋涂法制备铁电薄膜,随后利用压电力显微镜使二维材料上方两侧的铁电材料极化方向相反,利用铁电局域场调控二维半导体两侧分别为电子和空穴导电,形成面内PN结,并用于光电探测。器件工作时无需外加电压,通过测量光照下的电流信号变化,实现光电探测,也可用于光伏能源转换。该探测器具有高灵敏、低暗电流、快速响应、稳定性好、低功耗等特点。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择