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[实用新型]瓶装溶液填充组装装置-CN202020161483.4有效
发明人：唐健峯;唐逸真 -专利权人：俪馨媛企业社
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G07F13/06 文献下载
摘要：本实用新型为一种瓶装溶液填充组装装置，供自由选择并填充溶液，包含：一主控制区、一瓶体展示区、一溶液填充区以及一溶液补充槽区。主控制区供选择瓶体、溶液成分、香味及标签贴纸；瓶体展示区设置于主控制区的下方，设有复数个透明展示间及对应的复数个瓶体出瓶口；大溶液填充区设置于瓶体展示区的下方，溶液填充区的一侧设有一瓶体置入口，中间设有一填充工作区，另一侧则设有瓶体取出口；溶液补充槽区设置于溶液填充区的下方，至少设有一主要成分补充槽、一副成分补充槽及一香味成分补充槽。借此，能依照使用者自己的喜好自由选择自己喜爱的瓶体、溶液成分及标签贴纸，创造出定制化商品来提升整体的趣味性、便利性和产品独特性。
瓶装溶液填充组装装置

[实用新型]一种箱式缓冲盒结构-CN201920842402.4有效
发明人：贺斌;林学梅 -专利权人：东莞市银滨实业有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B65D6/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种箱式缓冲盒结构，包括单一片式的塑料膜材，塑料膜材通过气柱模压线封合成多根气柱和气道，多根气柱形成六个气柱区和四个非气柱区，本实用新型一种箱式缓冲盒结构，通过塑料膜材加工成六个气柱区和四个非气柱区，由于左体板气柱区和右体板气柱区进气方式为后体板气柱区左右两边最边气柱气道供气，同时左体板气柱区之间的气柱和右体板气柱区之间的气柱通过交错分布的缺口相互连通，便于气体进入各自气柱内，前体板气柱区、底板气柱区、后体板气柱区和盖体气柱区的气柱相互连通，且气道连通处采用模压点的热合，达到既能让气体通过，又能便于箱体的折叠作用。
气柱柱区板气塑料膜材本实用新型缓冲盒后体右体左体连通底板交错分布进气方式气道供气气体通过连通处模压线折叠片式气道前体热合合成两边加工

[发明专利]一种静电防护器件及其制作方法-CN202110867910.X在审
发明人：胡涛 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电防护器件及其制作方法，该静电防护器件包括衬底；漂移区，形成于所述衬底上；阱区，形成于所述漂移区上；第一体区和第二体区，分别设于所述阱区的两侧，且所述阱区与所述第一体区的距离小于所述阱区与所述第二体区的距离；其中所述第一体区中仅具有第一重掺区，所述第二体区中设有第二重掺区和第三重掺区，所述阱区中仅设有第四重掺区。
一种静电防护器件及其制作方法

[发明专利]低功耗碳化硅MOSFET器件-CN202210304368.1在审
发明人：陈远华;居长朝;徐烨钧 -专利权人：苏州泰晶微半导体有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗碳化硅MOSFET器件，位于P‑型基区上部具有在水平方向依次连接的左N+体区、P+型源极区、右N+体区，所述左N+体区、右N+体区各自与P+型源极区相背的一侧与N‑漂移层之间通过P‑型基区隔离；P‑型基区内且位于左N+体区、P+型源极区、右N+体区下方设置有一条形P+电阻区，此条形P+电阻区的宽度大于P+型源极区的宽度；所述第一多晶硅N型块区与第一多晶硅P型块区之间依次设置有若干对由第二多晶硅P型块区、第二多晶硅N型块区连接组成的块区对。
功耗碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]Coo1MOS器件及其制造方法-CN201010286554.4无效
发明人：赵志勇;王乐;桂林春;祝孔维 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种CoolMOS器件及其制造方法，该器件包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层，所述本体层包括漏区；位于所述外延层内的第一区和第二区；位于所述第一区和第二区之间的外延层中的沟槽，所述沟槽底部延伸至所述本体层内，所述沟槽内填充有栅氧化层和栅区；位于所述沟槽两侧的第一体区和第二体区；位于所述第一体区内的第一源区，所述第二体区内的第二源区，所述第一源区和第二源区与第一体区和第二体区的掺杂离子导电类型相反本发明实施例通过在第一区和第二区之间的外延层中形成沟槽，在沟槽内形成栅氧化层和栅区，使得导电沟道与管芯表面垂直，从而减小管芯面积，提高了基底表面的利用率。
coo1mos 器件及其制造方法

[实用新型]一种分区枕体-CN201821087460.2有效
发明人：李红霞;李倩倩;刘长树 -专利权人：上海芙儿优婴童睡眠科技股份有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： A47G9/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分区枕头，包括该枕体上的分区包括头部承载区、颈部承载区及侧枕区，颈部承载区设于头部承载区下方，颈部承载区及头部承载区的两侧分别设有侧枕区，侧枕区可用于对脸部支撑；侧枕区的厚度大于颈部承载区，颈部承载区的厚度大于头部承载区，侧枕区、颈部承载区及头部承载区之间圆弧过渡连接。本实用新型目的为提供一种分区枕体，该分区枕体符合婴儿头颈曲线，能够促进婴儿是生长。
承载区颈部侧枕区分区枕体本实用新型婴儿圆弧过渡连接头颈曲线可用枕头生长支撑

[实用新型]两用半漏勺-CN201220250314.3有效
发明人：郭丽华;张向平;曹鹦鹉;赵永建 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： A47G21/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及日常生活用品的餐具领域，两用半漏勺主要由勺柄和勺体组成，所述勺体由非漏区与漏勺区组成，所述非漏区与所述漏勺区连为一体，所述非漏区占所述勺体的四分之三，所述漏勺区占所述勺体的四分之一，所述漏勺区内具有透孔本实用新型构造简单容易实现，只将勺体的一部分设计为漏勺，使用中不需要频繁更换餐具，操作简单。所述非漏区与所述漏勺区连为一体，加工容易。
两用漏勺

[实用新型]一种腿脚压力缓冲保健裤袜-CN201520642080.0有效
发明人：计国良 -专利权人：海宁威尔斯针织有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： A41B11/14 文献下载
摘要：本实用新型包括裤体和袜体，裤体和袜体呈可拆卸连接，裤体的上端口设置裤腰，裤体前侧设置三角腹带织区，裤体后侧设置条形腰带织区，三角腹带织区与条形腰带织区通过端部衔接形成环形结构，三角腹带织区具有横向针织纹路，裤体后侧设置椭圆提臀织区，椭圆提臀织区具有环形针织纹路；袜体包括一体连接的裤腿和袜身，裤腿上对应人体结构设置若干肌肉织区，各肌肉织区的针织纹路与相应肌肉纹路方向一致；袜身的底部设置按摩织区，按摩织区内对应脚底穴位设置若干下磁片
一种腿脚压力缓冲保健裤袜

[实用新型]一种耐高压高EMI超结MOSFET芯片-CN201921986400.9有效
发明人：陆怀谷 -专利权人：深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种耐高压高EMI超结MOSFET芯片，包括底层的N+型重掺杂衬底，上述N+型重掺杂衬底上面依次设置N‑型辅助层、N型漂移层；上述N型漂移层内部上方设置有第一P型体区和第二P型体区；上述第一P型体区、第二P型体区的上端均连接有两个N+型体区；上述N型漂移层的上表面形成栅极结构，上述栅极结构的两端分别与上述第一P型体区和第二P型体区接触；上述第一P型体区、第二P型体区在N型漂移层内部向上述N‑型辅助层延伸分别形成第一P柱、第二P柱；上述第一P柱、第二P柱均由P‑包体区包围P+柱构成。
一种高压 emi mosfet 芯片

[发明专利]柔性印制电路板及显示面板-CN202010414172.9在审
发明人：余朋飞 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种柔性印制电路板及显示面板，柔性印制电路板包括：第一本体和第二本体；第一本体设置有：第一绑定区和第一加固区；第二本体设置有：第二绑定区和第二加固区；第一本体靠近第一加固区的一端与第二本体靠近第二加固区的一端连接在一起；有益效果为：首先由于增加了第一加固区和第二加固区，受高温压合时，第一绑定区与第二绑定区的变形受到第一加固区与第二加固区的限制，减小了第一绑定区与第二绑定区的形变量；其次，柔性印制电路板中的第一加固区与第二加固区包含多种不同的形状，第一加固区的最大长度大于等于第一绑定区的长度，第二加固区的最大长度大于等于第二绑定区的长度，进一步限制了第一绑定区与第二绑定区受高温压合时的形变量。
柔性印制电路板显示面板

[实用新型]一种传动装置-CN201922062423.7有效
发明人：靳北彪 -专利权人：熵零技术逻辑工程院集团股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H02K49/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种传动装置，包括旋转结构体A、旋转结构体B、结构体C和励磁磁力区，所述励磁磁力区与所述旋转结构体A上的电感导体区A相互磁力作用设置，所述电感导体区A与所述旋转结构体B上的电感导体区X相互磁力作用设置，所述旋转结构体B上的电感导体区Y与所述结构体C上的电感导体区Z相互磁力作用设置，所述电感导体区X和所述电感导体区Y一体化设置或电力连通设置。
一种传动装置

[实用新型]一种灭菌实验用品储存装置-CN202121325065.5有效
发明人：陈静;程振涛;岳筠;李梅;文明 -专利权人：贵州大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B01L1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种灭菌实验用品储存装置，包括：储存柜体，具有枪头盒存放区、试管存放区和瓶体存放区，所述枪头盒存放区包括若干设置在所述储存柜体上的抽拉式暗格，所述试管存放区包括若干设置在所述储存柜体上的试管容置孔，所述瓶体存放区包括若干设置在所述储存柜体上的瓶体存放孔；灭菌机构，包括若干紫外灯，在所述枪头盒存放区、所述试管存放区和所述瓶体存放区均设置有所述紫外灯。
一种灭菌实验用品储存装置

[发明专利]一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法-CN201210269846.6有效
发明人：郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的制作方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，其中制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所述基区和所述阱部分重叠，且所述基区比所述阱深度浅；以及制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；其中通过调节所述阱的布图宽度来调节所述体区弯度。
一种横向扩散金属氧化物半导体器件制作方法

[发明专利]具有埋置阱区和外延层的场效应晶体管器件-CN201480022375.6有效
发明人： V·帕拉;程林;J·亨宁;A·阿嘎瓦尔;J·帕尔莫 -专利权人：克里公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种形成晶体管器件的方法，包括：提供具有第一导电类型和上表面的漂移层，在漂移层中并且邻近其上表面形成第一区，第一区具有与第一导电类型相反的第二导电类型并且被彼此间隔开，在包括源区的漂移层上形成体层，在第一区的相应的一个之上的体层中形成间隔开的源区，在源区之间的体层中形成垂直导电区，垂直导电区具有第一导电类型并且在垂直导电区和源区的相应的一个之间的体层中限定沟道区，在体层上形成栅绝缘体，在栅绝缘体上形成栅接触。
具有埋置阱区外延场效应晶体管器件

[发明专利]固体电解电容器-CN201680010711.4有效
发明人：杤尾孝哉;岸永靖彦;山下卓哉 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01G9/052 文献下载
摘要：固体电解电容器具备电容器元件，上述电容器元件具有为六面体多孔质烧结体的阳极体、阳极引线、形成于阳极体上的电介体层、和形成于电介体层上的固体电解质层。阳极引线的一端从阳极体的面A被埋设于阳极体的内部。阳极体具有与面A共有一边、同时彼此相向的面B及面C。阳极体具有包含面B的第1区域、包含面C的第2区域和夹在第1区域与上述第2区域之间的第3区域。第3区域与第1区域及第2区域相比密度低。从面B朝向面C的方向Y上的第3区域的平均厚度T3与阳极引线的方向Y上的粗度TL满足T3区域及第2区域中的至少一者接触。
固体电解电容器