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[实用新型]一种碲化镉薄膜太阳能电池-CN201620569938.X有效
发明人：李艺明;邓国云 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池，包括基板，从基板往外依次层叠阻挡层、透明导电层、第一缓冲层、第二缓冲层、窗口层、碲化镉光吸收层、背接触层。本实用新型通过在透明导电层上设置第一缓冲层和第二缓冲层，这有助于窗口层更好的覆盖基板表面；所述第一缓冲层和第二缓冲层具有高电阻率，这可以防止电池内部的泄漏，提高碲化镉薄膜电池的性能。
一种碲化镉薄膜太阳能电池

[发明专利]一种碲化镉玻璃的回收方法-CN201911169830.6有效
发明人：李康;殷亮;邱叶红;李如旭 -专利权人：昆明先导新材料科技有限责任公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲化镉玻璃的回收方法，包括以下步骤：(1)将碲化镉玻璃浸泡在浸提液A中于45℃～55℃反应，浸提液A为由质子无机酸和氧化剂组成的混合溶液；(2)分离碲化镉玻璃得到浸出液B；(3)调节浸出液B的pH为2～3后向浸出液B中加入亚硫酸钠并于60～70℃反应至沉淀不再生成得到混合体系C；(4)固液分离混合体系C得到固体二氧化碲和滤液D；(5)向滤液D中加碱至沉淀不再产生，固液分离收集沉淀氢氧化镉本发明方法在浸出液浸出碲化镉玻璃的反应过程中通过控制浸出温度，没有副反应发生，浸出反应后碲元素的存在形式唯一，全部进入浸出液中，后续处理流程简单，浸出过程中不产生沉淀，实现了玻璃和碲有效分离。
一种碲化镉玻璃回收方法

[发明专利]一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器及其制备方法-CN202210370901.4有效
发明人：王一休;杨青;张亮;李凌;付翔;高兴俊 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器及其制备方法，包括基底，所述基底上设有忆阻层，所述忆阻层为掺杂铜二价阳离子的二维碲烯；步骤S1：二维碲烯溶液；步骤S2：制备硝酸铜溶液；步骤S3：将所述硝酸铜溶液滴加到所述含有单晶二维碲烯的溶液形成混合溶液中；步骤S4：制备二维碲烯掺杂铜二价阳离子的基底；步骤S5：制备出一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器。本发明利用小直径铜离子原位掺入二维单质碲烯晶格后，形成碲化物共价键和游离态阳离子的弛豫，过程所产生的游离态阳离子随着外电场的控制而形成导电通道，从而实现二维碲烯微纳忆阻晶体管更加稳定和均一的忆阻特征。
一种基于二维掺杂二价阳离子忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种真空蒸馏碲化亚铜渣分离提纯碲的方法-CN201910278949.0在审
发明人：衷水平;陈杭;吴星琳;郑佳翔;赵志强;彭李;张焕然;王俊娥 -专利权人：紫金矿业集团股份有限公司;长沙科力威蒸馏技术有限公司;紫金铜业有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空蒸馏碲化亚铜渣分离提纯碲的方法，包括如下步骤：S1、将碲化亚铜渣置于真空蒸馏炉内，在10～150Pa的真空度下进行真空蒸馏，产出硒渣和铜碲渣；真空蒸馏的温度为390～470℃，时间为1～4h；S2、将步骤S1得到的铜碲渣置于真空蒸馏炉内，在10～150Pa的真空度下进行再次真空蒸馏，产出精碲产品和铜银渣；再次真空蒸馏的温度为890～950℃，时间为1～4h。本发明可以解决当前碲化亚铜渣处理工艺直收率低、工艺流程长等问题，实现碲化亚铜渣中有价元素的短流程高值化回收。
真空蒸馏碲化亚铜真空蒸馏炉分离提纯铜碲有价元素工艺流程短流程铜银渣渣处理精碲收率硒渣回收

[发明专利]一种碲锌镉靶材的制备方法-CN202110874417.0在审
发明人：文崇斌;王英洁;朱刘;童培云 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括：将碲粉、锌粉和镉粉混合，得到混合粉体；将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明提供的碲锌镉靶材的制备方法，制备得到的碲锌镉靶材相对密度大于99％，游离镉和游离碲小于200ppm，而且工艺简单，本发明直接采用三种粉末合成碲锌镉靶材，不需合成碲化镉和碲化锌，减少工艺操作，节约成本
一种碲锌镉靶材制备方法

[发明专利]内含碲化银量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN201811193815.0在审
发明人：廖晨 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种内含碲化银量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法，该垂直腔面发射激光器包括依次向上设置的石英基板、下高反镜、内含碲化银量子点的二氧化硅层和上高反镜。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的碲化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点，以实现低阈值的近红外光增益。无机二氧化硅与无机上高反镜材料的膨胀系数相同或接近,二者能够很好的兼容。将内含碲化银量子点的二氧化硅薄膜“夹”在两片高反镜之间，最终能够获得低阈值、高品质因子和环境友好的垂直腔面发射近红外量子点激光器。
量子点碲化银高反镜垂直腔面发射激光器量子态简并制备垂直腔面发射二氧化硅薄膜无机二氧化硅二氧化硅层高品质因子点激光器红外量子环境友好近红外光膨胀系数石英基板向上设置铅盐兼容替代

[发明专利]一种正交结构二碲化铱粉体材料及其制备方法-CN202310255830.8在审
发明人：马艳梅;王旭;董文平;陈进慢;吴炳泽;王洪波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明的一种正交结构二碲化铱粉体材料及其制备方法，属于过渡金属硫族化合物晶体材料制备的技术领域。以纯的具有层状六方结构的二碲化铱(IrTe2)晶体粉末为初始原料，在金刚石对顶砧压机(DAC)中对初始原料加压至20GPa，激光加温至1960k，卸压至常压，得到两种不同结构的二碲化铱本发明首次通过高压合成的方法得到了在常压下仍然能稳定存在的具有正交结构的二碲化铱(IrTe2)晶体材料，是制备电子器件理想候选材料；并且具有过程简单、合成时间短
一种正交结构二碲化铱粉体材料及其制备方法

[发明专利]用于醇、酮和醛的胺化的催化剂-CN96103465.3无效
发明人： J·-P·梅尔德;J·沃夫-德林;F·古索芬;T·韦策尔;W·哈德 -专利权人： BASF公司
申请日： 1996-02-28 - 公布日： 1996-12-25 - 主分类号： B01J23/70 文献下载
摘要：用于醇类、酮类或醛类化合物胺化的催化剂，它包含在多孔氧化物上的0.001-25％重量的钌和0-5％重量的选自下列一组物质的助催化剂铁、铑、钯、铂、铱、锇、铜、银、金、铬、钼、钨、铼、锌、镉、铅、锰、锡、锂、钠、钾、铷、铯、磷、砷、锑、铋、碲、铊以及它们的混合物。
用于催化剂

[发明专利]一种铁硒掺杂二碲化钨超导材料的制备方法-CN202310292667.2在审
发明人：曹明星;武彤;徐定华;贺建;王志宏;张志高;侯瑞芬 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁硒掺杂二碲化钨超导材料的制备方法，包括：将由具有络合作用的第一溶剂和铁原料组成的铁原料溶液与由具有氧化还原作用的第二溶剂和硒原料组成的硒原料溶液混合均匀后，加入由该第一溶剂与二碲化钨组成的二碲化钨原料溶液本发明提供了一种采用新原料且制备过程更加温和的铁硒掺杂二碲化钨超导材料的制备方法，有效克服了现有技术中的制备方法高能耗、长时间的缺陷；本发明的产物结晶性好，产量大，纯度高，能够实现新品种超导材料的可控制备，为其工业化应用提供了一种新的制备路径。
一种掺杂二碲化钨超导材料制备方法

[发明专利]硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法-CN201110355965.9无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明名称为“硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法”。一般地公开了混和靶(64)，用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)。混和靶(64)可包括硫化镉和碲化镉。还提供了形成混和靶(64)的方法。例如，可从粉末状硫化镉和粉末状碲化镉形成粉末状混和物，并且将该混和物压入到混和靶(64)中。还一般地公开了用于制造具有混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。例如，硫化镉和碲化镉的混和靶(64)可直接溅射在硫化镉层(18)上，以形成混合层(19)，并且可在混合层(19)上形成碲化镉层(20)。
硫化碲化镉混和溅射以及它们使用方法

[发明专利]一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法-CN201610867198.2在审
发明人：蓝仕虎;何光俊;陈金良;齐鹏飞;唐智勇 -专利权人：中山瑞科新能源有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积透明导电氧化物薄膜；（C）沉积窗口层硫化镉薄膜；（D）在所述硫化镉薄膜上沉积吸收层碲化镉薄膜；（E）在所述碲化镉薄膜表面喷涂CdCl2溶液，然后进行热处理；（F）对所述经过热处理的碲化镉薄膜用含硝酸的溶液进行刻蚀；（G）对所述刻蚀的碲化镉薄膜进行PECVD等离子体处理以钝化缺陷。本发明的方法是通过在碲化镉薄膜（CdTe）太阳能电池制造过程中，引入等离子体处理，钝化缺陷，有效降低碲化镉薄膜的缺陷密度，提高材料的性能，进一步提高碲化镉薄膜太阳能电池的光电转换效率，从而提高电池性能。
一种降低缺陷密度碲化镉太阳能电池制备方法

[发明专利]一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法-CN202210857713.4在审
发明人：徐明;王俊钦;罗霄;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
一种基于相变原理赫兹调制器及其制备方法

[实用新型]一种碲化镉发电玻璃自呼吸幕墙-CN202121306562.0有效
发明人：杨欢;潘锦功;傅干华;孙庆华;孟庆凯;邵传兵 -专利权人：邯郸中建材光电材料有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： E04B2/88 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碲化镉发电玻璃自呼吸幕墙，包括平行设置的内幕墙和外幕墙；内幕墙为超白玻璃，内幕墙的顶部设置有室内交换空气入口，其底部设置有室内交换空气出口；外幕墙为透光碲化镉发电玻璃，透光碲化镉发电玻璃内侧设置有反光百叶，反光百叶正对透光碲化镉发电玻璃的一侧设置有高反射涂层；外幕墙的底部设置有冷空气进气口，其顶部设置有热空气出口。该碲化镉发电玻璃自呼吸幕墙可使用于幕墙中任一位置，并且安装角度要求不高，垂直安装仍可保障光电转化效率；在反光百叶正对透光碲化镉发电玻璃的一侧设置高反射涂层，可保障透光碲化镉发电玻璃能吸收更多阳光，提升透光碲化镉发电玻璃转化效率
一种碲化镉发电玻璃呼吸幕墙

[发明专利]一种从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法-CN201910391872.8有效
发明人：王刚;王瑞林;姜春萍;陈金伟 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明涉及有色金属回收技术领域，公开了一种从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法。该方法包括将碲化铋基半导体制冷片废料清洗沉降、破碎研磨得到含碲物料粉末，对物料粉末用盐酸进行酸浸再加入氧化剂进行氧化，加入还原剂除去硒杂质后再中和沉淀得到二氧化碲滤渣。将二氧化碲滤渣、水、氢氧化钠混合配置成亚碲酸钠电解液，过滤，除去铋、锑杂质，电沉积，最终获得金属碲。本发明采用氧化酸浸法处理碲化铋基半导体制冷片废料从而回收金属碲。同时，本发明方法对碲的收率高且质量稳定，容易实现产业化。
一种碲化铋基半导体制冷废料回收方法

[发明专利]彩色碲化镉发电玻璃及制作方法-CN202010390007.4有效
发明人：孙庆华;彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;李浩;杨超;王金萍;蒋猛 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种彩色碲化镉发电玻璃及制作方法，该彩色碲化镉发电玻璃包括碲化镉发电玻璃本体，所述碲化镉发电玻璃本体受光面上涂覆有彩色透光减反膜。同时具有上述步骤的彩色碲化镉发电玻璃制作方法，其操作简单、反应易于控制、制备材料非常均匀。
彩色碲化镉发电玻璃制作方法