[发明专利]一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积透明导电氧化物薄膜；（C）沉积窗口层硫化镉薄膜；（D）在所述硫化镉薄膜上沉积吸收层碲化镉薄膜；（E）在所述碲化镉薄膜表面喷涂CdCl2溶液，然后进行热处理；（F）对所述经过热处理的碲化镉薄膜用含硝酸的溶液进行刻蚀；（G）对所述刻蚀的碲化镉薄膜进行PECVD等离子体处理以钝化缺陷。本发明的方法是通过在碲化镉薄膜（CdTe）太阳能电池制造过程中，引入等离子体处理，钝化缺陷，有效降低碲化镉薄膜的缺陷密度，提高材料的性能，进一步提高碲化镉薄膜太阳能电池的光电转换效率，从而提高电池性能。

主权项

一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积用作薄膜电池前电极的透明导电氧化物薄膜；（C）在所述透明导电氧化物薄膜表面沉积窗口层硫化镉薄膜；（D）在所述硫化镉薄膜上沉积吸收层碲化镉薄膜；（E）在所述碲化镉薄膜表面喷涂CdCl2溶液，然后进行热处理；（F）对所述经过热处理的碲化镉薄膜用含硝酸的溶液进行刻蚀；（G）对所述刻蚀的碲化镉薄膜进行PECVD等离子体处理以钝化缺陷；（H）在所述处理后的碲化镉薄膜上沉积缓冲层；（I）在所述缓冲层表面沉积金属背电极；（J）对沉积金属背电极后的电池进行退火层压。