[发明专利]内含碲化银量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811193815.0 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109119894A 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 廖晨 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈国强
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种内含碲化银量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法,该垂直腔面发射激光器包括依次向上设置的石英基板、下高反镜、内含碲化银量子点的二氧化硅层和上高反镜。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的碲化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点,以实现低阈值的近红外光增益。无机二氧化硅与无机上高反镜材料的膨胀系数相同或接近,二者能够很好的兼容。将内含碲化银量子点的二氧化硅薄膜“夹”在两片高反镜之间,最终能够获得低阈值、高品质因子和环境友好的垂直腔面发射近红外量子点激光器。
搜索关键词: 量子点 碲化银 高反镜 垂直腔面发射激光器 量子态 简并 制备 垂直腔面发射 二氧化硅薄膜 无机二氧化硅 二氧化硅层 高品质因子 点激光器 红外量子 环境友好 近红外光 膨胀系数 石英基板 向上设置 铅盐 兼容 替代
【主权项】:
1.一种内含碲化银量子点的垂直腔面发射激光器,其特征在于:包括依次向上设置的石英基板(2)、下高反镜、内含碲化银量子点的二氧化硅层(5)和上高反镜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811193815.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top