|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 34479908个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种多尺度精度控制下的层次化网格分割方法-CN201410559370.9有效
-
汪国平;张慧娟
-
北京大学
-
2014-10-20
-
2017-07-07
-
G06T7/11
- 本发明公开了一种多尺度精度控制下的层次化网格分割方法。本方法为对每一次分割结果，计算其对应的形状信息；在下一次迭代分割的过程中，使用上一次计算的形状信息进行指导；在分割过程中同时考虑模型的局部几何信息，以补充处理分割的区域比较复杂而不能用简单的形状进行描述时的情况；每一层次分割结束时，采用精度控制策略进行判断，如果分割区域满足该层次中的精度标准，则认为该分割结果是可以接受的，将不参与之后的分割；该精度控制策略采用多尺度控制，保证了迭代分割过程中层次化的分割效果。本发明提高了分割的精确度，能够对模型中不同尺度的特征进行分别分割，能够适应于各个领域的不同需求。
- 一种尺度精度控制层次网格分割方法
- [发明专利]光学近距修正的方法-CN200710037675.3有效
-
刘庆炜
-
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
-
2007-02-13
-
2008-08-20
-
G03F7/20
- 一种光学近距修正的方法，包括：将待曝光电路图形的各边分割成第一分割边……第N分割边，进行一次修正，获得对应的一次修正边，计算一次修正边掩模误差增强因子；将一次修正边掩模误差增强因子分别与经验值进行比较；只对掩模误差增强因子大于或等于经验值的一次修正边进行再次修正，获得对应的二次修正边，计算二次修正边对应掩模误差增强因子；同理，只对掩模误差增强因子大于或等于经验值的二次修正边进行再次修正，计算三次修正边掩模误差增强因子……直到只对掩模误差增强因子大于或等于经验值的M次修正边进行M+1次修正，得到所有M+1次修正边掩模误差增强因子小于经验值时结束修正。
- 光学近距修正方法
- [发明专利]晶片电阻器以及晶片电阻器的制造方法-CN202210644376.0在审
-
冈直人
-
KOA株式会社
-
2022-06-08
-
2022-12-13
-
H01C1/032
- 本发明提供一种制造步骤单纯且适合小型化的晶片电阻器。本发明的晶片电阻器的制造方法中，是由在大尺寸基板(10A)上所设定的二次分割预想线(L2)所包夹且与一次分割预想线(L1)正交方向延伸的区域内带状地形成电阻体(2)，并于该电阻体(2)上保持既定间隔以跨过一次分割预想线(L1)的方式形成对向的多个表电极(3)后，形成覆盖各电阻体(2)并与二次分割预想线(L2)交叉的方向延伸的玻璃涂层(7)，且形成从玻璃涂层(7)之上覆盖大尺寸基板(10A)的表面全体的树脂涂层(8)，之后，将大尺寸基板(10A)沿着一次分割预想线(L1)及二次分割预想线(L2)切割而得到各个晶片坯体(10B)。
- 晶片电阻器以及制造方法
|
