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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010363181.X在审
发明人：胡连峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成电容介质层、以及位于电容介质层上的第二电极层，电容介质层包括由下而上依次堆叠的底部高k介质层、防漏电介质层和顶部高k介质层，底部高k介质层和顶部高k介质层具有预设总沉积厚度，底部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例大于顶部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例。本发明调整底部高k介质层和顶部高k介质层各自占预设总沉积厚度的比例，使得底部高k介质层和顶部高k介质层的有效厚度均较小，从而改善底部高k介质层和顶部高k介质层的结晶问题，进而提高电容结构的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]改善半导体结构漏电流的方法-CN201510740744.1有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种改善半导体结构漏电流的方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成第一高k栅介质层；在所述第一高k栅介质层表面形成第二高k栅介质层，且所述第二高k栅介质层内掺杂有结晶抑制离子；对第一高k栅介质层和第二高k栅介质层进行退火处理，在退火处理过程中，所述结晶抑制离子向所述第一高k栅介质层内扩散；在第二高k栅介质层表面形成栅电极层。本发明提高第一高k栅介质层和第二高k栅介质层的致密度，减少第一高k栅介质层和第二高k栅介质层内的缺陷含量，且减缓或抑制第一高k栅介质层结晶化，减缓或抑制第二高k栅介质层结晶化，使得第一高k栅介质层和第二高k栅介质层保持较高的相对介电常数，改善形成的半导体结构的电学性能。
改善半导体结构漏电方法

[发明专利]偶极设计高K栅极电介质及其形成方法-CN202110029535.1在审
发明人：赖德洋;彭峻彦;杨世海;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及偶极设计高K栅极电介质及其形成方法。一种方法，包括：在第一半导体区域上形成氧化物层，以及在氧化物层之上沉积第一高k电介质层。第一高k电介质层由第一高k电介质材料形成。该方法还包括在第一高k电介质层之上沉积第二高k电介质层，其中，第二高k电介质层由不同于第一高k电介质材料的第二高k电介质材料形成，在从第一高k电介质层和第二高k电介质层中选择的层之上并与该层相接触地沉积偶极膜，执行退火工艺以将偶极膜中的偶极掺杂剂驱入到该层中，去除偶极膜，以及在第二高k电介质层之上形成栅极电极。
设计栅极电介质及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201010215848.8无效
发明人：王晓磊;王文武;韩锴;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的结构，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的栅极结构，其中，栅极结构包括：在半导体衬底上的界面层、在界面层上的第一高k栅介质层、在第一高k栅介质层上的第二高k栅介质层、在第二高k栅介质层上的第三高k栅介质层、在第三高k栅介质层上的金属栅层，其中第二高k栅介质层的介电常数高于第一和第三高k栅介质层的介电常数。本发明是在MOS器件的第一和第三高k栅介质层内插入第二高k栅介质层，该第二高k栅介质层作为更高k介质，能够有效降低等效氧化层厚度。同时，由于对第一、第二和第三高k栅介质层之间界面处存在的界面偶极子的进行优化处理，因此该结构还能有效调节MOS器件的阈值电压。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201610694067.9在审
发明人：刘英明;鲍宇;周海锋;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供的半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有伪栅极及围绕所述伪栅极的侧墙；去除伪栅极，形成沟槽；在沟槽的侧壁及底壁形成介质层；在所述介质层上形成第一高k介质层；在所述第一高k介质层上采用含氮气源形成第二高k介质层，使得所述第二高k介质层中含有氮，所述第一高k介质层与所述第二高k介质层形成栅介质层；在所述第二高k介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成栅电极，所述栅电极填充所述沟槽本发明中，第一高k介质层能够避免氮离子进入介质层中，延长半导体器件的寿命，且第二高k介质层中存在N的共价键，占据了第二高k介质层中氧空位，从而降低栅介质层的漏电流，提高半导体器件的性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610980028.5有效
发明人：徐建华;刘海龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成界面层；对基底进行至少一次膜层形成工艺，在界面层上形成高k栅介质层；其中，膜层形成工艺的步骤包括：通过含氯的前驱体在界面层上形成中间高k栅介质层；采用含氢气体对中间高k栅介质层进行等离子体处理；在高k栅介质层上形成栅电极层。本发明形成中间高k栅介质层后，在等离子体处理下，带高能的H原子能够吸附中间高k栅介质层中的Cl杂质原子且使Cl杂质原子远离中间高k栅介质层表面，使最终所形成高K栅介质层中的Cl杂质原子含量下降或为零，且未引入其他杂质元素，从而改善了高K栅介质层和界面层之间的界面性能，降低了高K栅介质层的等效栅氧厚度。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201510616088.4有效
发明人：许高博;殷华湘;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种铁电栅介质层的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上淀积高k栅介质层；在所述高k栅介质层上淀积应力层；在所述高k栅介质层中引入掺杂元素；对所述高k栅介质层进行退火处理，实现高k栅介质层的相变，从而形成铁电栅介质层。本发明提供的铁电栅介质层的制造方法，通过在高k栅介质层中引入掺杂元素，在应力层的夹持作用下退火形成具有铁电属性的高k栅介质层，该方法有利于与CMOS工艺相兼容，提高铁电材料在小尺寸半导体器件中的应用。
半导体器件制造方法

[发明专利]高K栅介质层的制备方法-CN201010571503.6无效
发明人：赵宇航;周军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华力微电子有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高K栅介质层的制备方法，该方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成初始高K栅介质层；将部分厚度的初始高K栅介质层转变为反应层，所述反应层覆盖剩余的初始高K栅介质层；在所述反应层上覆盖阻挡层，形成叠层结构；对所述叠层结构进行高温退火；通过湿法刻蚀工艺同时去除所述反应层和阻挡层，剩余的初始高K栅介质层即为高K栅介质层。本发明提出的高K栅介质层的制备方法，能够达到对栅介质层高度的调节，并且通过湿法刻蚀工艺同时去除反应层和阻挡层，简化了工艺步骤，使工艺过程效率更高。
介质制备方法

[发明专利]高K介质膜层结构及其应用与制造方法-CN201710102253.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种高K介质膜层结构及应用与制造方法，所述高K介质膜层结构包括至少两组高K介质循环结构，每组高K介质循环结构均包括至少两个高K介质循环单元；相邻两组高K介质循环结构之间通过一漏电流阻挡层隔离。本发明的高K介质膜层结构采用高K介质循环结构‑漏电流阻挡层‑高K介质循环结构的复合结构，不仅可以利用多组高K介质循环结构获得更大的电荷储存容量，还可以有效降低漏电流。采用所述高K介质膜层结构的电容器具有更高的电容及更小的漏电流，有利于动态随机存取存储器刷新频率的降低，并提高动态随机存取存储器的数据保存能力。本发明的高K介质膜层结构的制造方法可以提高氧化效率，并且反应腔中的氧化副产物更容易被清除。
介质结构及其应用制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211549643.2在审
发明人：殷华湘;姚佳欣;魏延钊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：区包含第一PMOS区与第二PMOS区，第一PMOS区包含第三纳米片阵列，第二PMOS区包含第四纳米片阵列；且第一纳米片阵列、第二纳米片阵列、第三纳米片阵列、第四纳米片阵列中每个纳米片沟道的外侧分别环绕有栅极电介质层，该栅极电介质层包含界面层，且该栅极电介质层还包含依次覆盖界面层的第一高k介质层、第二高k介质层与第三高k介质层；或者该栅极电介质层还包含依次覆盖界面层的第三高k介质层、第二高k介质层与第一高k介质层；其中，第一高k介质层与第三高k介质层的极性不同，第一高k介质层与第二高k介质层形成的电偶极子电场与第三高k介质层与第二高k介质层形成的电偶极子电场不同，在退火后改变IL中Si‑O极性强度，以此来实现器件不同位置的阈值调控
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910324956.X在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：在开口的内壁形成堆叠层，形成所述堆叠层后，进行第一工艺制程或第二工艺制程以形成目标高K介质层；第一工艺制程包括：进行第一退火处理，使堆叠层形成过渡高K介质层；在过渡高K介质层表面形成吸氧结构；进行第二退火处理，吸氧结构吸收过渡高K介质层中的部分氧，使过渡高K介质层形成目标高K介质层；第二工艺制程包括：在堆叠层的表面形成吸氧结构；进行退火处理，使堆叠层形成目标高K介质层，在形成目标高K介质层的过程中，吸氧结构吸收目标高K介质层中的部分氧。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510741813.0有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层表面形成牺牲层；对所述高k栅介质层进行缺陷钝化退火处理，所述缺陷钝化退火处理在含有缺陷钝化离子的氛围下进行，且所述缺陷钝化退火处理过程中，所述缺陷钝化离子经由牺牲层进入高k栅介质层内；去除所述牺牲层；在所述高k栅介质层表面形成栅电极层。本发明改善高k栅介质层的介电弛豫问题，且提高高k栅介质层和界面层的致密度，从而提高形成的半导体结构的电学性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201210241514.7在审
发明人：李凤莲;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上表面的高k栅介质层；位于所述高k栅介质层上表面或下表面的吸氧层；位于所述高k栅介质层上表面的栅电极；所述半导体器件的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上表面形成高k栅介质层；在形成高k栅介质层之前或之后，在衬底上表面或高k栅介质层上表面形成吸氧层；在所述高k栅介质层上表面形成栅电极。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]用于制备高K介质层的方法-CN201510662781.5在审
发明人：肖天金;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制备高K介质层的方法，包括：提供半导体硅衬底；对半导体硅衬底执行高K介质层沉积之前的前清洗；生长SiO₂层或SiON层；在SiO₂层或SiON层沉积高k介质层；在高K介质层上沉积多晶硅或非晶硅覆盖层；高K介质层沉积之后执行后退火；湿法去除高K介质层表面的多晶硅或非晶硅覆盖层及多晶硅或非晶硅覆盖层上面的SiO₂层或SiON层。
用于制备介质方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710293034.8有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有层间介质层，层间介质层内具有露出部分基底的开口，开口侧壁形成有侧墙，开口底部、侧墙表面和层间介质层顶部形成有高k栅介质层；至少去除位于层间介质层顶部的高k栅介质层；对剩余的高k栅介质层进行沉积后退火工艺；在所述沉积后退火工艺后，在开口中填充金属层，形成金属栅极结构。本发明通过至少去除位于层间介质层顶部的高k栅介质层的方案，减小高k栅介质层的长度，从而减小高k栅介质层在沉积后退火工艺影响下的膨胀量(或收缩量)，相应减小高k栅介质层因产生过大应力而发生破裂的可能性，以减小栅极漏电流
半导体结构及其形成方法

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