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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811395542.8有效
发明人： 胡连峰;胡友存;杨明;卑多慧;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层的顶部和侧壁形成电容介质层；形成保形覆盖所述电容介质层的第二电极层。与电容介质层仅覆盖第一电极层顶部的方案相比，本发明增加了第二电极层和第一电极层之间的有效面积，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层顶部的电容介质层构成一个电容，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层侧壁的电容介质层构成另外四个电容，即所形成的电容结构中包含五个并联电容，在同等基底面积等其他条件相同的情况下，增大了电容结构的电容密度。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种便于更换的防水锤管道-CN202220507919.X有效
发明人：吴琼;周东义;胡连峰;樊昊;高洁 -专利权人：吉林省博创水务设计有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： F16L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于更换的防水锤管道，包括：管道主体、卡接机构和导向机构，左侧所述管道主体端头处固定连接有连接套，右侧所述管道主体端头处固定连接有套座，所述套座上转动连接有连接头，所述卡接机构包括旋杆和卡块，所述导向机构包括导杆和弹簧，所述弹簧下端固定连接在安装槽底壁上，所述弹簧上端与所述导杆固定连接，所述导杆侧壁上固定连接有滑块，所述滑块滑动连接在滑槽上，所述导杆与所述导向槽相适配。本实用新型在使用时，正向转动旋杆，通过与卡块的螺纹连接，使得卡块在凹槽内向上移动，使卡块卡入卡槽内，从而完成管道的连接，当需要更换管道时可反向旋拧旋杆，从而使连接头与连接套快速分离，操作简单，便于更换管道。
一种便于更换防水管道

[实用新型]一种给水管道用气压罐调节装置-CN202220507086.7有效
发明人： 胡连峰;周东义;樊昊;吴琼;高洁;王璐 -专利权人：吉林省博创水务设计有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： E03B11/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种给水管道用气压罐调节装置，包括：底座、第一调节机构、第二调节机构和限位机构，所述底座下端固定连接有支撑腿，所述底座上端面开设有第一滑槽，所述第一调节机构包括第一齿轮和第一移动板，所述第一齿轮通过转轴转动连接在所述底座左侧壁上，所述第一移动板设置在所述底座上方，所述第二调节机构包括第二齿轮和第二移动板，所述第二齿轮通过转轴转动连接在所述第一移动板前侧壁上，所述第二移动板设置在所述第一移动板上方，本实用新型在气压罐安装时，气压罐的排气管可精确对准给水管道，便于气压罐的安装，提高安装效率。
一种给水管道气压调节装置

[实用新型]一种装配式抗震支架-CN202220507936.3有效
发明人：侯雪;周东义;胡连峰;樊昊;吴琼;高洁;刘金龙 -专利权人：吉林省博创水务设计有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： F16L1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装配式抗震支架，包括：底座、托板、调节机构、卡接机构和减震机构，所述底座左右内壁上开设有第一卡槽，所述托板设置在所述底座上方，所述托板左右内壁上开设有第二卡槽，所述调节机构设置于所述底座与所述托板之间，所述卡接机构设置在所述调节机构上，所述减震机构设置于所述底座下端，本实用新型使用时，旋拧螺杆，带动两移动板在螺杆上相向移动，从而带动支撑杆发生转动，进而带动卡接板上下移动，通过卡接板带动，带动托板上下移动，从而调节托板与底座的距离，使得支架来适配不同的高度使用。
一种装配式抗震支架

[实用新型]一种给水消毒净化器-CN202220516949.7有效
发明人：高洁;周东义;胡连峰;樊昊;吴琼 -专利权人：吉林省博创水务设计有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本实用新型属于水消毒术领域，尤其为一种给水消毒净化器，包括箱体，所述箱体的前端中部开设有凹槽，所述箱体的一侧底部安装有排水管，所述箱体的底端安装有四个支撑腿，所述箱体的上端对称安装有两个框架，两个所述框架的一侧均转动连接有门体，两个所述框架内均设有消毒组件，所述箱体的上端中部设有进料斗，所述进料斗上设有盖板，所述箱体的两端中部均设有限位组件，所述箱体的内腔中部对称安装有两个C形板，两个所述C形板内均滑动有矩形板，两个所述矩形板之间共同连接有U形板，所述U形板的内腔底壁开设有一组上下贯通的通孔。本实用新型通过消毒组件与限位组件的设置，实现了对水的消毒与筛分使用，增强了使用效果。
一种给水消毒净化器

[实用新型]一种给水管道冲刷用腐蚀测试装置-CN202220517379.3有效
发明人：周东义;胡连峰;樊昊;吴琼;高洁;王璐 -专利权人：吉林省博创水务设计有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种给水管道冲刷用腐蚀测试装置，涉及测试设备技术领域，针对现有的给水管道冲刷用腐蚀测试装置，功能单一，无法对不同直径大小的给水管道进行定位，且无法根据实际情况进行还原度较高的模拟测试，使用效果差的问题，现提出如下方案，包括底板，所述底板的顶侧固定焊接有两个对称设置的固定座；测试机构，所述测试机构包括两个转动筒、两个螺纹杆与两个定位板，所述转动筒转动设置在相对应的所述固定座上，所述螺纹杆与相对应的所述转动筒螺纹连接。本实用新型结构设计合理，操作简单，可以对不同直径的管道进行定位，且可以对管道进行还原度较高的模拟测试，使用效果好，值得推广使用。
一种给水管道冲刷腐蚀测试装置

[发明专利]面料掉毛检测方法-CN202111482171.9在审
发明人：钱丽英;沈文婷;胡连峰;张红英;王俊丽 -专利权人：上海嘉麟杰纺织科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种面料掉毛检测方法，其包括以下步骤：（1）称取过滤容纳装置的重量；（2）剪裁制得样片，在过滤容纳装置内装入水和样片，再将过滤容纳装置放入皂洗机进行皂洗；（3）取出过滤容纳装置，再取出样片，将过滤容纳装置内的液体过滤掉，接着将带有浮毛的过滤容纳装置烘干，再恒温放置一段时间，最后称取带有浮毛的过滤容纳装置的重量；（4）按下列公式计算掉毛克重。以面料符合掉毛要求的皂洗后的掉毛克重作为标准，通过检测面料皂洗后的掉毛克重来表征面料的掉毛性能，测试方法简单易操作，对仪器的要求相较于常用测试手段有所降低，降低了测试面料掉毛情况的难度，更适于大规模推广应用，有助于厂家产出性能更佳的衣物。
面料检测方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010363181.X在审
发明人： 胡连峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成电容介质层、以及位于电容介质层上的第二电极层，电容介质层包括由下而上依次堆叠的底部高k介质层、防漏电介质层和顶部高k介质层，底部高k介质层和顶部高k介质层具有预设总沉积厚度，底部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例大于顶部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例。本发明调整底部高k介质层和顶部高k介质层各自占预设总沉积厚度的比例，使得底部高k介质层和顶部高k介质层的有效厚度均较小，从而改善底部高k介质层和顶部高k介质层的结晶问题，进而提高电容结构的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910826080.9在审
发明人： 胡连峰;杨明;卑多慧;倪百兵;张超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成一个或多个相隔离的叠层结构，叠层结构包括电容介质层以及位于电容介质层上的第二电极层；形成黏附层以及保形覆盖黏附层的刻蚀停止层，黏附层覆盖叠层结构的侧壁表面和顶部、以及第一电极层的部分表面；形成覆盖刻蚀停止层和第一电极层的介电层；形成贯穿介电层、刻蚀停止层和黏附层且与第一电极层相接触的第一导电插塞，以及贯穿介电层、刻蚀停止层和黏附层且与第二电极层相接触的第二导电插塞。本发明实施例有利于提高半导体结构的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910733357.3在审
发明人： 胡连峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成电介质层；在所述电介质层上形成第二电极层；在所述第二电极层上形成氧化层；在所述氧化层表面形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层，形成第一接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第二电极层顶部表面，所述第一接触孔贯穿所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层。本发明有助于提高所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层的黏附强度，降低所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层之间出现分层的风险，从而改善封装质量。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910471955.8在审
发明人： 胡连峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层，第一电极层为单层或多层结构；在第一电极层上形成介电层；在介电层上形成第二电极层，第二电极层为单层或多层结构；第一电极层中与介电层相接触的为第一电极接触层，第二电极层中与介电层相接触的为第二电极接触层，第一电极接触层和第二电极接触层中至少一层采用原子层沉积工艺形成。原子层沉积工艺形成的层结构表面粗糙度较低，同一区域中，第一电极层接触层和第二电极层接触层中不易存在同时凸向介电层的凸出点，第一电极层接触层和第二电极层接触层之间的最短距离变大，进而介电层不易发生击穿，提高了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电容器件及其形成方法-CN201910410619.2在审
发明人： 胡连峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种电容器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区；在所述基底第一区表面和第二区表面形成第一导电层；在所述第一导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二导电膜；去除第一区上的第二导电膜并暴露出第一区上的电介质层，在第二区上的电介质层表面形成第二导电层；在所述电介质层暴露出的表面、以及第二导电层侧壁和顶部表面形成第一介质层；在所述第一区上的第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞和第一导电层表面接触。所述方法形成的电容器件的可靠性较高。
电容器件及其形成方法

[发明专利]一种电容器及其形成方法-CN201910302712.1在审
发明人： 胡连峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器的形成方法，包括以下步骤：提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；在通孔内沉积第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。采用本发明提供的电容器的形成方法制造出的电容器的重复率和成功率较高，且采用该方法制造出来的电容器，呈现立体三维结构，可有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。本发明还提供一种电容器，解决现有技术中电容器呈平板结构，因而电容值较小的问题。
一种电容器及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201811379131.X在审
发明人： 胡连峰;胡友存;杨明;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例在电容结构的下方预先形成第一导电结构和与第一导电结构电连接的导电层。使得电流在流经电容结构的过程中不需要经过整个下极板再流出，而是经过下极板下方的第一导电结构和导电层再流出，第一导电结构和导电层的电阻率低于下极板，能够降低半导体器件的电阻，确保器件的可靠性。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]电容器件及其形成方法-CN201811141437.1在审
发明人： 胡连峰;胡友存;杨明;卑多慧;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种电容器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一层电极，所述第一层电极具有第一粗糙度；在所述第一层电极表面形成导电层，所述导电层具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于第一粗糙度；在所述导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二层电极。其中结构包括：基底，位于所述基底上的第一层电极，所述第一层电极具有第一粗糙度；位于所述第一层电极表面的导电层，所述导电层具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于第一粗糙度；位于所述导电层表面的电介质层；位于所述电介质层表面的第二层电极。所述方法形成的电容器件的可靠性较好。
电容器件及其形成方法

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