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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高阻表面波导限幅器-CN202310925310.3在审
发明人：胡南 -专利权人：北京星英联微波科技有限责任公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阻表面波导限幅器，涉及电磁波传输装置技术领域。所述波导包括波导本体，所述波导本体的内腔的底壁上设置有高阻抗表面，当入射波功率强度较低时，高阻抗表面呈现理想电导体特性，电磁波照常传输；当入射波功率强度较高时，高阻抗表面呈现为理想磁导体特性，电磁波传输被阻碍
表面波导限幅器

[发明专利]一种封装方法、封装结构及电子设备-CN202210532286.2在审
发明人：刘凤;彭祎;任超;方梁洪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该方法包括：获取待封装基板；待封装基板包括高阻硅衬底；高阻硅衬底具有封装表面，封装表面上设置有焊点；焊点远离高阻硅衬底的表面具有表面氧化层7；在封装表面上制作阻抗调节层；阻抗调节层用于降低高阻硅衬底的表面电阻率；刻蚀去除表面氧化层7，得到封装结构。该封装方法，通过在基板的封装表面上设置阻抗调节层，阻抗调节层能够降低高阻硅衬底表层的电阻率，以提高射频刻蚀时的自偏压，从而可以将焊点表面氧化层7完全去除。该方法能够降低高阻硅封装工艺对于刻蚀设备的要求，使高阻硅封装工艺能够适配于已有的硅晶圆封装工艺产线，从而降低生产成本。
一种封装方法结构电子设备

[发明专利]具有消除静电的高阻层的触控显示装置及其制备方法-CN201510688504.1有效
发明人：张迅;张伯伦;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有消除静电的高阻层的触控显示装置及其制备方法。通过在彩色滤光片基板远离液晶层的表面形成高阻层，并将高阻层与电极电连接，形成触控模组。由于高阻层直接形成在彩色滤光片基板表面，无需再使用一层玻璃承载高阻层，相比传统的具有消除静电的高阻层的触控显示装置，减少了一层ITO玻璃及用来粘合的光学胶，从而上述具有消除静电的高阻层的触控显示装置较薄另外，高阻层的材料包括氧化石墨、氧化锡、表面活性剂及交联剂，可以起到消除静电的作用，提高触控的灵敏度。
显示装置及其制备方法

[发明专利]一种声表面波滤波器结构及制备方法-CN202310864870.2在审
发明人：刘绍侃;陈小兵;蒋燕港;李强 -专利权人：北京中讯四方科技股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种声表面波滤波器结构及制备方法，涉及声表面波滤波器技术领域，包括衬底层、第一高阻层、第二高阻层、低阻层、压电层以及叉指换能器，衬底层、第一高阻层、第二高阻层、低阻层、压电层以及叉指换能器从下到上依次设置，衬底层采用高纯度单晶硅，第一高阻层采用氮化铝，第二高阻层采用碳化硅，低阻层采用二氧化硅，压电层采用钽酸锂，叉指换能器采用铜或铝铜合金。本申请提供的声表面波滤波器结构具有传输损耗低、高机电耦合系数、高温度稳定性以及耐高功率的优点，能够满足5G和6G通信技术的发展。
一种表面波滤波器结构制备方法

[实用新型]太赫兹波高速温控开关装置-CN201621214533.0有效
发明人：吴爽 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01P1/10 文献下载
摘要：它包括输入端、输出端、探测器、半圆柱形高阻硅棱镜、空气介质层、光栅表面金属层、高阻硅、周期性矩形开槽；半圆柱形高阻棱镜下表面设有空气介质层，空气介质层下方设有光栅表面金属层，光栅表面金属层上表面设有周期性矩形开槽，槽内填充有高阻硅，太赫兹波从半圆柱形高阻硅棱镜一侧面的输入端输入，进入半圆柱形高阻硅棱镜，经反射后从半圆柱形高阻硅棱镜另一侧面的输出端输出后.由输出端的太赫兹波探测器探测输出的太赫兹波，通过改变外界温度可以实现太赫兹高速温控开关
赫兹高速温控开关装置

[发明专利]一种全塑透明高阻隔涂布复合膜及其制备方法-CN202211400428.6有效
发明人：陈旗;刘建;鞠金虎;徐奎 -专利权人：江苏康辉新材料科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种全塑透明高阻隔涂布复合膜及其制备方法，复合膜由高阻氧BOPET膜和高阻水PE膜复合而成；高阻氧BOPET膜包括BOPET基膜以及位于其单侧表面的PVA涂层，PVA涂层中PVA的结晶度为60%~80%，取向度为10%~15%；PVA涂层位于BOPET基膜与高阻水PE膜之间；高阻水PE膜为五层结构共挤膜，内层和外层为LLDPE/LDPE/MLLDPE膜，中间层为HDPE膜，次内层和次外层为粘合剂层；制法：在高阻氧BOPET膜的含PVA涂层的表面涂布胶水，复合高阻水PE膜，即得复合膜；本发明的产品透明，且阻氧阻水蒸气，本发明的方法简单。
一种透明阻隔复合及其制备方法

[发明专利]高阻硅外延片生长方法及生长设备-CN202111423875.9有效
发明人：王群;龚逸品;茅艳琳;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种高阻硅外延片生长方法及生长设备，属于半导体器件制备技术领域。先对高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理，F等离子体对高阻硅衬底的表面进行处理，一方面F等离子体不易渗入高阻硅衬底中出现高阻硅衬底电性出现问题的情况；另一方面F等离子体可以增强高阻硅衬底表面的电负性在后续N等离子体处理的过程中，N等离子体处理与F等离子体处理在高阻硅衬底的表面可以形成非常致密且绝缘的保护层。有效避免了后续生长的AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体中Al原子或Ga原子混合或者掺杂进高阻硅衬底中，保证了高阻硅衬底的绝缘状态，减少了高阻硅衬底的寄生电容区，降低了射频器件在应用中引入的损耗。
高阻硅外延生长方法设备

[发明专利]线路板高阻碳油的印刷方法及线路板-CN202110423910.0在审
发明人：杜红德;胡珂珂;刘文;陈造诣;何志明 -专利权人：深圳市景旺电子股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：本发明适用于线路板制作技术领域，提出一种线路板高阻碳油的印刷方法，包括：提供一制图后的线路板，所述线路板的表面设有多个焊盘；在所述线路板的表面上印刷感光油墨并进行曝光和显影，显影后的所述感光油墨位于高阻碳油的预设区域且与所述焊盘之间具有间隙；在所述线路板的表面上印刷高阻碳油，所述高阻碳油位于所述感光油墨上方且接触相邻的两个焊盘。上述线路板高阻碳油的印刷方法能够提升高阻碳油阻值的稳定性和高阻碳油的附着力。
线路板高阻碳油印刷方法

[发明专利]一种综合确定高摩阻沥青路面抗滑性能界定标准的方法-CN201711229737.0有效
发明人：张久鹏;葛敬勇;李雪倩;裴建中;李蕊 -专利权人：长安大学
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： E01C11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种综合确定高摩阻沥青路面抗滑性能界定标准的方法，根据安全车距Lυ随高摩阻沥青路面设计速度及附着系数的变化曲线、车辆轮胎滑水速度与水膜厚度、轮胎滑移率、轮胎内压、花纹深度以及高摩阻沥青路面表面构造深度之间的关系式、桥车滑水速度随高摩阻沥青路面公路等级、降雨强度及高摩阻沥青路面表面构造深度的变化曲线、以及高摩阻沥青路面的抗滑指标随服役时间的变化曲线确定高摩阻沥青路面抗滑性能界定标准，该方法能够综合确定高摩阻沥青路面抗滑性能的界定标准。
一种综合确定高摩阻沥青路面性能界定标准方法

[发明专利]一种忆阻器的制备方法-CN202210539237.1在审
发明人：郭欣;陈蔓汝;彭雪;吕燕飞;席俊华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器的制备方法，现有技术中不同结构和工艺制备的氧化锌基忆阻器性能差别较大，性能不好。本发明首先在硅基底热蒸镀金电极，然后在金电极表面制备磷化亚铜薄膜，接着在磷化亚铜表面制备氧化锌薄膜，最后在氧化锌薄膜表面蒸镀银电极。本发明随着电压升高，阻值由低阻向高阻的转变，反向施加电压后，再由高阻态恢复到低阻态，开关电压0.3‑0.4V，功耗低，开光比大，器件稳定性高。
一种忆阻器制备方法

[发明专利]基于液晶高阻表面的波束扫描天线阵-CN202010043183.0有效
发明人：束俊;张跃平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于液晶高阻表面的波束扫描天线阵，包括天线阵(1)、高阻表面(2)、液晶(3)、金属地(4)以及介质板(5)；所述天线阵(1)能够向外界辐射电磁波；所述高阻表面(2)能够控制天线阵(1)天线单元间的耦合强度；所述液晶(3)能够实现等效介电常数的可调；所述金属地(4)能够承载天线阵(1)、高阻表面(2)以及液晶(3)并提供接地信号；所述介质板(5)作为基底能够承载天线阵(1)、高阻表面(
基于液晶表面波束扫描天线阵

[发明专利]一种埋阻工艺以及采用该工艺制作的埋阻PCB板-CN201910595045.0在审
发明人：黄大兴;章智;潘丽 -专利权人：安捷利电子科技（苏州）有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种埋阻工艺以及采用该工艺制作的埋阻PCB板，本发明的埋阻工艺的工艺流程简单，制作得到的埋阻PCB板对PCB上的电阻的保护效果好，产品的可靠性得以提升，包括以下步骤：步骤1：基板开料，在基板上需要制作电阻的位置处开设贯穿基板的通孔；步骤2：在通孔中填充高阻材料，再将高阻材料固化；步骤3：研磨基板上的高阻材料，使得通孔位置处的高阻材料的表面高度与基板的表面高度一致；步骤4：在经步骤3处理后的基板的表面分别增加一层铜层；步骤5：制作外层线路
基板高阻材料工艺制作电阻通孔制作电阻两端高度一致通孔位置外层线路研磨基板工艺流程位置处电极开料铜层固化填充贯穿

[发明专利]半导体器件及制备方法-CN202310636908.0在审
发明人：蔡超迁;卓红标;刘春玲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：在基底的表面均形成多晶硅层；对高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层进行离子注入；在高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层的表面形成保护层；在栅极电阻区域的多晶硅层的表面形成金属层；使用图案化的光刻胶作为掩膜，刻蚀金属层、栅极电阻区域的多晶硅层、保护层和高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层，露出部分基底的表面，以分别形成栅极电阻、位于栅极电阻的表面的金属层、高阻多晶硅电阻以及位于高阻多晶硅电阻的表面的保护层本发明保护了高阻多晶硅电阻不被清洗剂的离子污染，进而保证了半导体器件的阻值精度。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种降低加热不燃烧焦糊味道的烟支及其烟具-CN202110599267.7在审
发明人：梅笑雨 -专利权人：南京英伟思特科技发展有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低加热不燃烧焦糊味道的烟支，主要由滤嘴段、隔离段和加热发烟段顺序组成，隔离段为低抽吸吸阻的隔离段或者高抽吸吸阻的隔阻段，当隔离段为低抽吸吸阻隔离段时、加热发烟段的表面和低吸阻的隔离段表面分别设有通气孔；当隔离段为高抽吸吸阻的隔阻段时、加热发烟段的表面和过滤嘴段的表面分别设有通气孔。
一种降低加热燃烧焦糊味道及其烟具

[发明专利]一种阵列天线-CN201410605379.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳光启高等理工研究院
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01Q19/10 文献下载
摘要：本发明适用于通讯技术领域，提供了一种阵列天线，包括天线反射板、设置于天线反射板上的辐射体阵列，以及与天线反射板的边缘连接并向电磁辐射方向倾斜的高阻表面反射板，所述高阻表面反射板包括一基板以及于基板表面周期排布以形成高阻表面的导电几何结构本发明在天线反射板的周围设置高阻表面反射板，表面设有周期性分布的微结构，形成高阻表面，可抑制表面波传输，阻断表面电流，减小天线的远区副瓣，提高了天线的增益、方向性和抗干扰性，并且对天线增益无影响；并且，
一种阵列天线

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