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[发明专利]提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法-CN202111574240.9有效
发明人：王群;龚逸品;陶羽宇;茅艳琳;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法，属于发光二极管制作领域。第一应变调节层包括依次层叠的第一调节子层与第二调节子层，第一调节子层中Al组分由0.7～1降低至0.05～0.2，第二调节子层中Al组分不变，且第二调节子层中Al组分与第一调节子层靠近第二调节子层的表面的Al组分相同，第一调节子层的厚度为第二调节子层的厚度的1～3倍。抵消部分热应力，提供张应力。第二应变调节层上中n型GaN调节子层与n型InGaN过渡到InGaN/GaN多量子阱层，In的分布更均匀，In在不同位置析出的情况也少，可以有效提高最终得到的发光二极管的出光均匀度。
提高均匀程度发光二极管外延制备方法

[发明专利]高阻硅外延片生长方法及生长设备-CN202111423875.9有效
发明人：王群;龚逸品;茅艳琳;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种高阻硅外延片生长方法及生长设备，属于半导体器件制备技术领域。先对高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理，F等离子体对高阻硅衬底的表面进行处理，一方面F等离子体不易渗入高阻硅衬底中出现高阻硅衬底电性出现问题的情况；另一方面F等离子体可以增强高阻硅衬底表面的电负性。在后续N等离子体处理的过程中，N等离子体处理与F等离子体处理在高阻硅衬底的表面可以形成非常致密且绝缘的保护层。有效避免了后续生长的AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体中Al原子或Ga原子混合或者掺杂进高阻硅衬底中，保证了高阻硅衬底的绝缘状态，减少了高阻硅衬底的寄生电容区，降低了射频器件在应用中引入的损耗。
高阻硅外延生长方法设备

[发明专利]提高反应腔流场稳定性的外延托盘及使用方法-CN202210274355.4有效
发明人：陈张笑雄;茅艳琳;陆香花;龚逸品;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高反应腔流场稳定性的外延托盘及使用方法，属于外延生长技术领域。使外延托盘呈柱状且包括同轴相连的衬底放置柱与直径小于衬底放置柱的支撑柱。衬底放置柱的侧壁具有多个沿衬底放置柱的周向等距离间隔分布的缓冲凹槽，每个缓冲凹槽在第一表面所在平面上的投影均包括气流过渡弧线与气流缓冲弧线，气流过渡弧线的半径与弧长分别小于气流缓冲弧线的半径与弧长，气流缓冲弧线的半径小于衬底放置柱的弧长。配合支撑柱的侧壁的多个导向斜槽。导出大量携带有副产物和未反应完成的前驱体反应物的气流。反应腔边缘的副产物沉积的情况的缓解以及乱流的减少，均可提高反应腔内流场的稳定性。
提高反应腔流场稳定性外延托盘使用方法