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[发明专利]一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构及方法-CN202310107995.0在审
发明人：文泽海;张平升;陆吟泉;曾策;李江建;庞婷;陈恒佳;张剑;伍泽亮;雷东阳 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及微电子封装技术领域，公开了一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构及方法，该共晶焊接结构，包括共晶承载板、设于所述共晶承载板表面的共晶区域，所述共晶承载板表面还设有与所述共晶区域连接的焊料施放区。本发明解决了现有技术存在的容易形成气体填充型的共晶空洞、容易导致芯片过热低效、甚至烧毁等问题。
一种降低空洞焊接结构方法

[实用新型]一种非晶三角立体卷铁心箔线自动绕线机构-CN201920684629.0有效
发明人：王立华 -专利权人：慈溪市大华电器有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01F41/061 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非晶三角立体卷铁心箔线自动绕线机构，包括齿轮模和铁心承装台，所述的铁心承装台上方后部安装有与其对应的下压定位结构，该铁心承装台前侧安装有前部支架，所述的铁心承装台包括两个左右移动对称安装的三爪夹持架，两个三爪夹持架之间装夹有非晶立体铁心，非晶立体铁心上的卷绕部位上设置有齿轮模。
铁心非晶本实用新型齿轮模夹持架卷绕三爪装夹自动绕线机构立体卷铁心定位结构对称安装前部支架铁心振动自动操作左右移动低压箔高压线箔线下压

[发明专利]一种非隔离箝位型三相Heric光伏逆变器的控制方法-CN201910675252.7有效
发明人：马海啸;张晓峰;兰摘星 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明涉及一种非隔离箝位型三相Heric光伏逆变器的控制方法，将三路相位互差120°的正弦调制波分别与一路三角载波交截得到六个开关管预处理信号，通过对六个开关管预处理信号的判断确定逆变器工作于非续流模态和续流模态本发明首先通过三相续流电路使逆变器在续流模态时省去能量回馈电源，提高逆变器转换效率；其次，箝位开关管的选择性导通不仅使共模电压幅值减小，而且使得共模回路中共模电压的频率增加至三角载波频率的三倍，导致共模回路中滤波电感的阻抗增加
一种隔离箝位三相 heric 逆变器控制方法

[发明专利]一种纳米级棒状共晶高熵合金及其制备方法-CN202310748426.4在审
发明人：杨小芹;陈正;单彩霞;沈善致;孔维维;王叶青;程春龙;王林 -专利权人：中国矿业大学;江苏爱尔沃特环保科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级棒状共晶高熵合金及其制备方法，所述共晶高熵合金的组分为MnaNibCoc23B6结构的金属间化合物两相原位复合形成，本发明的共晶高熵合金采用非自耗真空电弧熔炼法制备而成该共晶高熵合金为纳米级棒状共晶结构，综合力学性能优异，在航空航天、仪器仪表、电子通讯、机械工业等领域有广阔的应用前景。
一种纳米级棒状共晶高熵合金及其制备方法

[发明专利]一种具有高强性能的NiAlVCrB共晶高熵合金及制备方法-CN202211335184.8有效
发明人：方东;张安;周壮;叶喜葱 -专利权人：三峡大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高强性能的NiAlVCrB共晶高熵合金及制备方法。所述共晶高熵合金的元素成分为Ni、Al、V、Cr和B，其摩尔百分比表达式为(NiAl)63‑xV非自耗电弧熔炼炉制备所述合金。本发明制备的共晶高熵合金在室温条件下含有BCC相、NiAl相和硼化物相，可以发挥高熵合金诸多优良的强化效应，使所述共晶高熵合金的压缩强度和硬度得到显著提升，同时压缩率依旧保持较高水平。与传统合金相比，该共晶高熵合金解决了塑性和强度难以兼得的问题，具有高强的综合力学性能。
一种具有高强性能 nialvcrb 共晶高熵合金制备方法

[发明专利]一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法-CN201710935969.1有效
发明人：郭旺;张卫峰;黄集权;邓种华;刘著光;黄秋凤;陈剑 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法，所述评估方法是依据倒装共晶LED阵列中倒装共晶LED中的芯片和基板之间的结合面积的差异导致的散热差异，对倒装共晶LED阵列的共晶效果进行评估。对于倒装共晶LED阵列中的每个芯片而言，若芯片和基板之间的共晶结合面积大，芯片散热就好，热量不会在芯片上累积，芯片表面温度低，说明所述倒装共晶LED的共晶效果好；反之芯片表面温度高，反之共晶效果不好。根据阵列中各个芯片温度的一致性，评估倒装共晶LED阵列的整体共晶效果是否适合后续封装，无需对倒装共晶LED阵列进行X‑ray探伤检测或超声波探伤检测，节省了检测成本，提高生产效率，非常适合批量生产。
一种倒装 led 阵列效果评估方法

[发明专利]一种氧化物共晶结构陶瓷粉末的制备方法-CN201710279849.0在审
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种氧化物共晶结构陶瓷粉末的制备方法。通过激光悬浮区熔技术，制备组织细小且均匀的共晶材料，然后通过粉碎、筛分将具有强界面结合的微观共晶结构保存在共晶粉末中，进而制备出具有一定粒径分布的共晶粉末，从而通过初始共晶试样的层片间距和共晶粉末粒径的合理搭配，有效的将初始共晶试样当中的共晶结构保留到烧结共晶体中。本发明得到的氧化物共晶结构陶瓷粉末为典型的共晶形貌；通过改变激光悬浮区熔过程中的抽拉速率得到具有不同层片间距的共晶材料；通过抽拉速率和球磨时间的组合，得到了不同粒径分布的共晶粉末。
一种氧化物结构陶瓷粉末制备方法

[发明专利]一种共晶方法及设备-CN202310458963.5在审
发明人：刘建喜 -专利权人：微见智能封装技术（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及共晶技术领域，特别涉及一种共晶方法及设备，本方法应用于共晶设备上进行共晶，共晶设备上具有至少两个联动的共晶盘，本方法提供第一物料，在预设的上下料工位将第一物料转移到其中一共晶盘上；将共晶盘按照第一预设路径转移到预设的共晶工位；同时，另一共晶盘被同步联动按照第一预设路径相对的第二预设路径转移到上下料工位；在预设的转移工位提供第二物料，将第二物料转移到位于共晶工位的共晶盘并将第二物料贴放于第一物料上；通过共晶工位的共晶盘对第一物料与第二物料进行共晶；同时，同步对向位于上下料工位的共晶盘提供第一物料和/或进行下料操作，进行多工位循环工作。
一种方法设备

[实用新型]一种非晶合金表壳的吸铸制作装置-CN201820454646.0有效
发明人：谢盛辉;解岳霖;曾燮榕;张维;周国荣;田宏伟;王文桃 -专利权人：广东劲胜智能集团股份有限公司;东莞劲胜精密电子组件有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B22D18/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非晶合金表壳的吸铸制作装置，包括上模和下模，所述上模和所述下模相配合形成在内部横向设置的圆环状的表盘型腔，所述上模上设置有上模浇道，所述上模浇道与在所述表盘型腔的内圈区域横向设置并沿圆周间隔分布的多条横浇道连接使用该吸铸制作装置，能使非晶合金表壳成型的速度更快、成型更均匀。
表盘非晶合金制作装置横浇道表壳上模吸铸上模浇道圆周间隔下模成型本实用新型抽气通道横向设置区域横向外侧设置圆环状内圈腔未配合

[发明专利]一种柔性齿轮及其制造设备和制造方法-CN201810300931.1在审
发明人：宋佳 -专利权人：深圳市锆安材料科技有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： F16H55/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性齿轮及其制造设备和制造方法，根据本发明的制造设备以及制造方法制造的非晶合金柔性齿轮具有较好的强度、较低的弹性模量、优秀的抗疲劳性能、较大的弹性极限和良好的耐腐蚀性能。该设备包括模具装置，模具装置包括前模、后模，前模设有模框，模框内设有可拆卸的前模模仁，前模模仁的数量为1‑20个，前模模仁在模框内形成模仁内腔，模仁内腔设有齿槽；后模设有可拆卸的后模模仁，前模与后模闭合后，前模模仁与后模模仁形成密闭的模具型腔。用该柔性齿轮设备对熔融非晶合金进行柔性齿轮的成型，生产效率高，可降低成本，且生产的柔性齿轮精度高。
模仁前模柔性齿轮后模制造设备模框非晶合金可拆卸的模具装置制造内腔弹性模量抗疲劳性能耐腐蚀性能弹性极限模具型腔生产效率闭合密闭齿槽熔融成型生产

[实用新型]一种新型液晶显示器模组-CN201620387469.X有效
发明人：陈杰;郭志强 -专利权人：深圳市海菲创新科技有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型液晶显示器模组，该液晶显示器模组包括电源电路，所述电源电路包括限流电路、滤除共模干扰电路、整流电路、变压电路、晶振电路及稳压电路，市电由接口CN1接入，所述限流电路的电路中电连接限流电阻TH101，所述限流电阻TH101的负极连接滤除共模干扰电路，滤除共模干扰电路包括共模扼流线圈LF101，所述共模扼流线圈LF101的另一端连接100μf的电容C102、整流电路。
一种新型液晶显示器模组

[发明专利]一种三相纳米复合高熵薄膜及其制备方法和应用-CN202310363542.4有效
发明人：姜欣;李延涛;羊坤;冷永祥 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料技术领域，公开了一种三相纳米复合高熵薄膜及其制备方法和应用，所述的制备方法包括基材前处理及双靶磁控溅射共沉积两个步骤，所制备的薄膜为非晶高熵合金基体相/碳化物陶瓷相/非晶碳相的复合结构，该薄膜中高熵合金基体相的存在使其具有优异的韧性，纳米晶陶瓷相使其具有优异的强度，非晶碳相则提供优异的自润滑能力，在摩擦过程中的固体润滑机制主要为氧化物与非晶碳混合的界面润滑膜提供减摩性能，本发明公开的三相纳米复合薄膜具有优异的强韧性与自润滑性能
一种三相纳米复合薄膜及其制备方法应用

[发明专利]弹芯制备方法及复合弹芯-CN202110120121.X在审
发明人：樊林林;栾崚 -专利权人：东莞梵铃材料科技有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： F42B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及弹药制备技术领域，具体公开一种弹芯制备方法及复合弹芯，所述弹芯制备方法包括：将若干高密度弹丸、碎片或粉末放入模腔中；向所述模腔加入非晶填料或高熵合金，使得所述非晶填料或高熵合金对各所述弹丸、碎片或者粉末之间的缝隙进行填充，高密度弹丸、碎片或粉末，非晶填料至少一种含有含能元素。进一步地，在模具中加入非晶填料，不仅可以实现复合弹芯的塑形，还可以增大穿甲弹的密度，提高穿甲弹的破坏力和穿透力。
制备方法复合

[实用新型]一种全彩LED封装结构-CN202320557006.3有效
发明人：高铭选;饶臻然;许辉胜;谢剑平;许桂槟;李浩钜;廖旭东 -专利权人：福建粒量科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全彩LED封装结构，包括线路基板和三个LED芯片，线路基板的正面上设有三个共极焊盘和三个非共极焊盘，三个共极焊盘沿一圆圈依次等间隔设置，三个非共极焊盘分别沿该圆圈的径向方向间隔设置在三个共极焊盘的外侧形成三组焊盘组，三个共极焊盘通过引线相互电连接，三个LED芯片分别为蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片，每个LED芯片分别固晶在每组焊盘组的共极焊盘和非共极焊盘上。
一种全彩 led 封装结构

[发明专利]一种共晶铝硅合金中共晶硅球化热处理方法-CN201610902092.1有效
发明人：王建华;朱家庆;苏旭平;刘亚;涂浩 -专利权人：常州大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C22F1/043 文献下载
摘要：本发明涉及一种共晶铝硅合金中共晶硅球化热处理方法，所述共晶硅球化热处理方法指的是在铝硅合金的共晶温度(577℃)进行球化退火。本发明在共晶铝硅合金共晶温度点对合金进行退火，使针状共晶硅发生快速球化，是一种简单且有效的共晶硅球化热处理方法，目的是提高共晶铝硅合金的力学性能。
一种共晶铝硅合金中共晶硅球化热处理方法