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[发明专利]用于共晶接合工艺的非反应性阻障层金属-CN201280011992.7有效
发明人： C-K·林 -专利权人：东芝技术中心有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：晶金属层(例如金/锡)将载体晶圆结构接合至装置晶圆结构。在一个范例中，装置晶圆结构包括硅基板，外延LED结构设置于硅基板上。在外延LED结构上设置银层。载体晶圆结构包括覆盖有粘合层的导电硅基板。银层与共晶金属层之间提供有非反应性阻障金属层(例如钛)，以防止晶圆接合期间来自所述共晶层的金属(例如锡)扩散到银中。在晶圆接合期间，晶圆结构压在一起，并且保持在超过280℃的温度超过一分钟。使用所述非反应性阻障金属层容许减少制造在硅上的竖直蓝光LED的制造中所使用的昂贵铂的总量，藉此降低LED制造成本。
用于接合工艺反应阻障金属

[发明专利]一种无Co型Cr2-CN202310979859.0在审
发明人：薛云龙;康成麟;冯娜;田康康;邵怡凡;刘虎林;张新孟;伍媛婷;袁亮 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无Co型Cr2FeNiNbx共晶中熵合金及其制备方法，成分包括Cr、Fe、Ni和Nb，且Cr、Fe、Ni0.2＜x＜1；方法如下包括：步骤1、按照摩尔比2：1：1：x称取纯净的Cr、Fe、Ni、Nb金属单质，其中，0.2＜x＜1；步骤2、将纯净的Cr、Fe、Ni、Nb金属单质按照熔点由低到高的顺序依次放置于非自耗电弧熔炼炉内的水冷坩埚中，对非自耗电弧熔炼炉反复抽真空并冲入氩气，接着利用电弧反复熔炼，冷却至室温后得到无Co型Cr2FeNiNbx共晶中熵合金，不仅制备出了价格低廉且具有强韧性的Cr2FeNiNbx共晶中熵合金，而且制备方法简单、易控。
一种 co cr base sub

[发明专利]一种无Co型Cr1.5-CN202310979878.3在审
发明人：薛云龙;田康康;冯娜;康成麟;邵怡凡;刘虎林;张新孟;伍媛婷;袁亮 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无Co型共晶中熵合金及其制备方法，化学式为Cr1.5Fe2.5‑xNix非自耗电弧熔炼炉内的水冷坩埚中，对非自耗电弧熔炼炉反复进行抽真空，接着充入氩气，重复进行电弧熔炼，然后随炉冷却至室温，得到Cr1.5Fe2.5‑xNixNby共晶中熵合金，不仅降低了生产成本，而且制备的共晶中熵合金具有优异的力学性能。
一种 co cr base sub 1.5

[实用新型]LED光源-CN201820299847.8有效
发明人：张小斌;罗建华 -专利权人：中山市共炫光电科技有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED光源，包括：基板、线路层、油墨阻焊层、镜面反射层、共晶层、LED晶片以及胶层，所述线路层设置于所述基板上，所述线路层包括焊盘区和非焊盘区，所述共晶层设置于所述焊盘区，所述油墨阻焊层覆盖所述非焊盘区，所述LED晶片设置于所述共晶层，所述镜面反射层覆盖所述油墨阻焊层，所述胶层完全覆盖所述LED晶片和至少部分所述镜面反射层。
镜面反射层油墨阻焊层共晶层线路层基板本实用新型焊盘区非焊胶层盘区光源覆盖金属镜面反射层导热效率耐温性能反射率光通量应用

[发明专利]基于非隔离LCL滤波的光伏逆变器及无源解耦抑制方法-CN201510190778.8在审
发明人：张承慧;邢相洋;陈阿莲;李玉琢 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非隔离LCL滤波的光伏逆变器及无源解耦抑制方法，它包括LCL滤波器，将LCL滤波器电容公共端引出，连接到直流侧的共模电流抑制电容中点，即可大幅抑制共模电流，效果与传统方法相当，且其对直流侧箝位电容中点电位无影响，实现了共模电流抑制和中点电位问题的硬件解耦；共模电流抑制电容仅为直流侧箝位电容的百分之一左右，几乎不增加成本，且三相输出电压波形质量更好。
基于隔离 lcl 滤波逆变器无源抑制方法

[发明专利]一种无线充电共模扼流模块-CN201910518680.9在审
发明人：陈春华;单国栋;张炯辉 -专利权人：科磁电子科技（上海）有限公司
申请日： 2019-06-15 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01F27/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种无线充电共模扼流模块，属于磁性材料应用技术领域。其组成包括抗干扰层和支架；抗干扰层为纳米晶磁环材料制作的环状结构，至少两层抗干扰层由内而外相互层叠贴合，支架将抗干扰层包裹在内。由于纳米晶磁环材料具有低损耗、高感抗的特点，同时抗干扰层在热处理工艺中，使纳米晶磁环材料保留了一部分阻抗，利用其吸收谐波电流转换成热能，有效抑制了谐波电流产生的危害；由于支架采用耐高温阻燃材料制成的，以改善其散热效果，并使纳米晶磁环均布于电缆上，从而实现了所有的纳米晶磁环均匀散热；另外，利用本身所消耗的一部分共模电能作为供电电源，可在不外接电源的情况下持续工作。
一种无线充电共模扼流模块

[发明专利]珠光体灰口铸铁的二元磷共晶及三元磷共晶的共晶功能剂-CN200510095124.3无效
发明人：邹志尚;邹菲;陈嘉农 -专利权人：邹志尚
申请日： 2005-11-01 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： C22C33/08 文献下载
摘要：珠光体灰口铸铁的二元磷共晶及三元磷共晶的共晶功能剂，该共晶功能剂的组成成分为：活性游离态石墨粉、硅酸钙粉、二氧化锰粉、硅酸镍粉、氧化钒粉、氧化铬粉、磷酸镁粉、磷酸铜粉、氧化钼粉；磷酸镁粉中的镁具有改善铸造工件的硬度的作用，镁还具有控制珠光体灰口铸铁的二元磷共晶及三元磷共晶的共晶的过程的效果，镁还具有提高铸造工件的延伸率的效果，磷还具有提高二元磷共晶及三元磷共晶的共晶率的效果，二元磷共晶及三元磷共晶具有改善铸造工件的硬度及耐磨性的作用；磷酸铜粉中的铜具有促进珠光体灰口铸铁的二元磷共晶及三元磷共晶的共晶的过程的效果，磷还具有提高二元磷共晶及三元磷共晶的共晶率的效果；该共晶功能剂的含水量应低于5％。
珠光体铸铁二元磷共晶三元功能

[发明专利]一种SiC增强铜基复合材料及其制备方法-CN202010037815.2有效
发明人：张锐;关莉;李明亮;李纪鹏;高前程;李哲;马嘉彬;刘成璞;冯泽琦;范冰冰 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明的SiC增强铜基复合材料，包括Cu颗粒和SiC颗粒，所述Cu颗粒和SiC颗粒之间设有非晶玻璃相，所述非晶玻璃相为SiO2和Cu2O的共熔物。本发明通过向SiC颗粒与Cu颗粒之间引入非晶玻璃相作为界面过渡层，避免了SiC颗粒与Cu颗粒的直接接触，从而使得SiC增强铜基复合材料的性能得到提高。
一种 sic 增强复合材料及其制备方法

[发明专利]抗菌耐磨非晶碳涂层及其制备方法、抗菌耐磨器件-CN201710511145.1有效
发明人：刘小强;向佳;姚霞;陈鑫琦;孟辉 -专利权人：四川理工学院
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及离子束材料表面改性技术领域，具体涉及抗菌耐磨非晶碳涂层及其制备方法、抗菌耐磨器件，所述抗菌耐磨非晶碳涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)对基底进行等离子体清洗，得到基底A1；(2)涂层沉积：向沉积室中通入碳源气体和惰性气体，开启偏压电源，以银硅复合靶T为靶材，在基底A1上溅射沉积银硅共掺杂类石墨非晶碳涂层C1，本发明通过银和硅对类石墨非晶碳涂层进行改性，硅的掺入使类石墨非晶碳涂层的润滑性能和耐磨损性能显著提升，银的掺入显著提高了类石墨非晶碳涂层材料的抗菌性能，而且银的释放速度慢
抗菌耐磨非晶碳涂层及其制备方法器件

[发明专利]用于控制隔离单端电路的共模阻抗失衡的方法和装置-CN00807152.7有效
发明人：丹尼尔·扬科维齐;道格拉斯·K·梅德马;兰德尔·J·马凯尔 -专利权人：梅德特里奥尼克菲塞奥－康特尔制造公司
申请日： 2000-05-02 - 公布日： 2002-05-15 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：用于为隔离单端电路的所有共模通路控制共模阻抗失衡的方法和装置,由此允许平衡共模阻抗以降低共模效果,同时保留单端放大器诸如电路简单性的优点以及连接到电路接地的基准输入。离散电容器连接在外屏蔽和每个非基准输入之间。当所述屏蔽是完全的,即为实体时或者除了最小的空洞或细网格以外几乎为实体时,选择离散电容器的值以匹配在外屏蔽和内屏蔽之间形成的寄生电容。在另一实施例中,所述屏蔽是不完全的,即为仅封闭一部分电路的格栅、粗网格或实体屏蔽;此屏蔽连接到电路的非基准输入。而且,在不完全屏蔽的情况下,分立电容器连接在外屏蔽和电路的非基准输入之间,以便能平衡对于共模电流的阻抗。
用于控制隔离电路阻抗失衡方法装置

[发明专利]用于数据通信的耐高温光电转换模块-CN201910850356.7有效
发明人：胡锐兴;柳冰忆;张广涵;郑学杰;李彦良 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于数据通信的耐高温光电转换模块，包括陶瓷壳体、光连接器、第一耐高温多模光纤、第二耐高温多模光纤、光源载体、量子点激光器芯片、光敏探测器芯片、探测器载体、发光驱动集成电路芯片和输出处理集成电路芯片，所述光源载体、探测器载体、发光驱动集成电路芯片和输出处理集成电路芯片均通过共晶焊工艺烧结在陶瓷壳体内,所述量子点激光器芯片通过共晶焊工艺烧结在光源载体上，所述光敏探测器芯片通过共晶焊工艺烧结在探测器载体上
用于数据通信耐高温光电转换模块

[实用新型]一种新型输液袋生产线自动调膜装置-CN201320517479.7有效
发明人：米时望;毛岳斌;贺辉煌 -专利权人：湖南科伦制药有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B31B1/74 文献下载
摘要：实用新型一种新型输液袋生产线自动调膜装置，包括设置在工作台上可前后滑动的拉膜移动架，移动架上设置有压膜装置和调模装置，非PVC共挤膜经过所述移动架，由移动架将其向下游工序拉行预定距离，在拉行过程中，压膜装置将非PVC共挤膜压靠在移动架上，在拉行结束时所述压膜装置释放对非PVC共挤膜的压靠，由调膜装置对非PVC共挤膜进行适配下游工序的左右位置调整，移动架上设置有导轨，导轨上设置有夹持所经过的非PVC共挤膜的两个滑座，滑座由步进电机驱动构成调膜装置，压膜装置由压靠非PVC共挤膜的两个气缸构成，该装置实现了实时检测和自动调节，有效提高了生产效率。
一种新型输液生产线自动装置

[实用新型]共模电感及电源电路-CN202320989402.3有效
发明人：李伟;张永生;陈军洋;邓向阳 -专利权人：福莱克斯电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种共模电感及电源电路，该共模电感包括纳米晶磁芯及两个电感线圈，所述纳米晶磁芯包括相对设置的两个第一磁柱和两个第二磁柱，所述第一磁柱的长度大于所述第二磁柱的长度，且所述第一磁柱和所述第二磁柱之间为弧形倒角相连本实用新型节省了组装工序，并且电感线圈与纳米晶磁芯之间的间隙更小，减小了整体的外围尺寸和绕组线材的用量，组装更简单方便。
电感电源电路

[发明专利]一种交流电机高频轴电流建模方法-CN202211175897.2在审
发明人：杨二乐;窦家本;姜山;王沁雪;焦杰;马依兰;丁红;胡正杰;何彦彬;李莉;余谦;李双双 -专利权人：国网北京市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：针对异步电机驱动端与非驱动端均采用绝缘轴承进行了阻抗参数测试、参数提取，建立了轴电流的高频模型。本发明还适用于驱动端与非驱动端一侧采用普通轴承，另一侧采用普通轴承以及两侧均采用普通轴承的各类型、各尺寸电机的高频轴电流建模。充分考虑了三相绕组与机壳端口阻抗特性曲线在中频段的多次振荡，明确了中频段共模电感、共模电阻、共模电容的电路模型中分段数k的选取依据。
一种交流电机高频电流建模方法

[发明专利]一种双料型材及其成型方法和专用共挤模头-CN200810215286.X无效
发明人：张文进;张金银;吴翠红;王陆兵 -专利权人：铜陵三佳科技股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： F16S3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双料型材及其成型方法和专用共挤模头，型材的可视面与非可视面及内筋采用两种不同塑料制成。专用共挤模头的过渡板[5]、支架板[4]、压缩板[3]、预成型板[2]和成型板[1]的型腔内有连接筋将型材可视面、非可视面和内筋对应的型腔分隔形成独立的流道，型材可视面对应的流道与机颈[6]上的主流道[7]相通，共挤流道[10]与型材非可视面和内筋对应的流道[9、8]相通。采用本发明方法生产的制品，非可视面及内筋可以采用废料或另一种性能差异的材料，提高了废料的利用率，降低了原料的生产成本。
一种双料及其成型方法专用共挤模头