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[发明专利]2-氨基嘧啶为前驱体的5-氟尿嘧啶药物共晶及其制备方法和应用-CN201510968166.7有效
发明人：张竹艳;于楠;韩思莹;张良栓;李海波 -专利权人：哈尔滨医科大学
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C07D239/553 文献下载
摘要：本发明关于一种新型5‑氟尿嘧啶药物共晶的制备方法及其应用。选用5‑氟尿嘧啶原料药作为药物API，选用的药物前驱体为2‑氨基嘧啶，采用溶剂挥发法和液相辅助研磨法制备得到的5‑氟尿嘧啶药物共晶为三斜晶系，其轴长氨基嘧啶前驱药物及其制备方法应用

[发明专利]一种通过引入第三元实现有机共晶内极性相变的方法-CN202211309547.0在审
发明人：秦伟;陈志艳 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C07C15/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过引入第三元实现有机共晶内极性相变的方法，该方法将给体分子、受体分子、第三元材料置于有机溶剂中，得到混合溶液，高温超声溶解，得到热饱和溶液，密封，静置于恒温水浴中，保温，之后缓慢降温至室温，密封静置0.5h‑2天，得到高质量具备极性相变的有机三元晶体，本发明通过将非极性第三元引入非极性的共晶中，实现了新晶体中的极性相变和给受体二聚化。
一种通过引入三元实现有机共晶内极性相变方法

[发明专利]新型共晶溶剂-CN202180045219.1在审
发明人：布林丹.图拉尚;阿西娅.伯诺.谢赫;苏曼特拉.查卡拉巴提 -专利权人：离网能源实验室私人有限公司;离网能源实验室公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型共晶溶剂(NES)，其包含一种或更多种甲磺酸衍生物、一种或更多种铵盐和一种或更多种氢键供体。所公开的NES的特点是例如低冰点和共晶点、低粘度、可忽略的蒸汽压、不挥发、较低的水含量、高电势窗口、高热稳定性、高溶解度、长保质期、高可回收性、高生物降解性、高离子特性、空气和水分稳定性、非腐蚀性、非致诱变性
新型溶剂

[发明专利]3D量测机台的晶圆检测方法、装置、设备及存储介质-CN202210096437.4在审
发明人：胡剑;华凯;王祥铜;赵青 -专利权人：熵智科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及线光谱共焦技术领域，公开了一种3D量测机台的晶圆检测方法、装置、设备及存储介质，该方法对放置在基于非接触式线光谱共焦传感器的3D量测机台上的待检测晶圆盘进行2D定位，获得晶圆盘的第一圆心位置和第一颗芯片坐标，根据第一圆心位置和所述第一颗芯片坐标，计算晶圆盘对应的目标Map图，根据目标Map图、线光谱共焦传感器的量程和光谱线长，计算目标扫描轨迹，通过精确计算的目标Map图和目标扫描轨迹，提高晶圆盘的扫描精度和速度；根据目标扫描轨迹对晶圆盘进行扫描，获得晶圆盘对应的数据点信息；根据数据点信息计算点云数据，根据点云数据对晶圆盘的晶圆锡球进行检测，通过2D定位和3D扫描检测，提高晶圆上锡球的检测精度和速度。
机台检测方法装置设备存储介质

[发明专利]一种周期式非晶母合金真空感应熔铸炉-CN201210262323.9有效
发明人：张秀军;张华;王军松;笪建国 -专利权人：西安蓝海冶金设备有限公司;全椒君鸿软磁材料有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： B22D5/00 文献下载
摘要：一种周期式非晶母合金真空感应熔铸炉，包括有熔化浇铸室，熔化浇铸室内设有感应加热坩埚装置，熔化浇铸室的一侧设有与其相连通的锭模放置区，感应加热坩埚装置的前方设有水冷模车，水冷模车上设有T型多排锭模，在与感应加热坩埚装置相邻的T型多排锭模的上部，设有金属液分流槽，熔化浇铸室的上部还设有连续加料装置；熔化浇铸室的另一侧还与真空系统相连通，熔化浇铸室通过抽真空系统进行抽真空，通过连续加料装置将非晶母合金加入感应加热坩埚装置内，待母合金熔化后感应加热坩埚装置倾动，将金属液倒入金属液分流槽，通过分流将金属液均匀地注入T型多排锭模，具有节能高效、可大幅度提高非晶带材质量的特点。
一种周期式非晶母合金真空感应熔铸

[实用新型]一种周期式非晶母合金真空感应熔铸炉-CN201220366468.9有效
发明人：张秀军;张华;王军松;笪建国 -专利权人：西安蓝海冶金设备有限公司;全椒君鸿软磁材料有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： B22D1/00 文献下载
摘要：一种周期式非晶母合金真空感应熔铸炉，包括有熔化浇铸室，熔化浇铸室内设有感应加热坩埚装置，熔化浇铸室的一侧设有与其相连通的锭模放置区，感应加热坩埚装置的前方设有水冷模车，水冷模车上设有T型多排锭模，在与感应加热坩埚装置相邻的T型多排锭模的上部，设有金属液分流槽，熔化浇铸室的上部还设有连续加料装置；熔化浇铸室的另一侧还与真空系统相连通，熔化浇铸室通过抽真空系统进行抽真空，通过连续加料装置将非晶母合金加入感应加热坩埚装置内，待母合金熔化后感应加热坩埚装置倾动，将金属液倒入金属液分流槽，通过分流将金属液均匀地注入T型多排锭模，具有节能高效、可大幅度提高非晶带材质量的特点。
一种周期式非晶母合金真空感应熔铸

[发明专利]一种单相非隔离光伏并网系统对地寄生电容评估方法-CN201510939949.2在审
发明人：刘栋良;赵瑞广;崔丽丽;徐溢秀;魏天甍 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种单相非隔离光伏并网系统对地寄生电容评估方法，该方法具体包括：首先确定共模等效电路；然后简化共模等效电路；再测量系统的对地漏电流，分析得到谐振频率；最后估算寄生电容；在共模等效回路中，一般需要测量电压数据和电流数据才能计算对地寄生电容的大小；共模电压成分复杂，测量繁琐，且测量准确性较低；本发明在评估的整个过程中只需要测量系统工作时对地漏电流，避免了共模等效回路中电压的测量，简化了评估过程中繁琐的测量过程和信号分析过程。
一种单相隔离并网系统寄生电容评估方法

[发明专利]一种高温共晶点预共晶灌注坩埚-CN201710352397.4有效
发明人：蔡静;孟苏;王苗;张岚;李丹;杨永军 -专利权人：中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： B01L3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温共晶点预共晶灌注坩埚，属于高温共晶点技术领域。该坩埚外形为圆柱形，包括预共晶坩埚盖和预共晶坩埚主体。在预共晶坩埚主体上加工有公螺纹，预共晶坩埚盖上加工有与之匹配的母螺纹，二者通过螺纹连接。在预共晶坩埚内形成共晶体后，以倒置方式连接在共晶点坩埚上，加热后使共晶体变为熔融态，在重力作用下流入共晶点坩埚内，实现对共晶点坩埚的灌注。本发明降低了预共晶坩埚的破裂风险，避免了共晶体在预共晶坩埚与共晶点坩埚连接处造成粘连，使得预共晶坩埚能够重复利用，解决了目前采用的预共晶容器只能使用一次的问题，节约了灌注成本。
一种高温共晶点预共晶灌注坩埚

[发明专利]近共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法-CN201310326714.7有效
发明人：胡钊华;吴国华;刘文才;丁文江;徐佳 -专利权人：上海交通大学;上海轻合金精密成型国家工程研究中心有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： B22D1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种近共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法；包括如下步骤：步骤1，将合金铝硅锭预热，加入坩埚电阻炉中，待合金铝硅锭熔化后，搅拌除气，精炼，第一次静置，降温，扒渣，第二次静置，得合金液；步骤2，将内部涂有铸造涂料的机械滚筒预热；步骤3，将机械滚筒相对水平地面倾斜，通过定量浇注系统将合金液注射机械滚筒中，将合金液转移到具有温度控制系统的中间包，静置，高压、挤压铸造得近共晶铝硅合金半固态浆料；步骤4，将所述近共晶铝硅合金半固态浆料直接浇注金属模中，凝固，即可得近共晶铝硅合金半固态坯料。
近共晶铝硅合金固态浆料坯料制备方法

[发明专利]H5型非隔离光伏逆变器的共模电流控制方法-CN202210468822.7在审
发明人：胡永涛;孙小龙;卢盈;吴生闻 -专利权人：爱士惟科技（上海）有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开了一种H5型非隔离光伏逆变器的共模电流控制方法，其包括：在母线电压下，所述开关管S5不打驱动，对所述检测支路的分压电阻之间的电压进行采样，得到第一采样电压，将所述第一采样电压与第一阈值比较，若所述第一采样电压小于所述第一阈值本发明的共模电流控制方法减小H5型非隔离型光伏逆变器因光伏组件对大地寄生电容导致的共模电流。
h5 隔离逆变器电流控制方法

[发明专利]一种抑制非隔离型逆变器共模漏电流电路及方法-CN201210371875.3无效
发明人：张颖 -专利权人：北京京仪绿能电力系统工程有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑制非隔离型逆变器共模漏电流电路及方法，包括直流源，5个开关器件和4个二极管，直流源并联连接滤波电容C1，二极管D2的阳极与直流源的正极之间串联有电感L1，二极管D1与直流源负极之间串联连接电容本发明的有益效果为：本发明提供的一种抑制非隔离型逆变器共模漏电流电路及方法，共模电流对并网电流的影响较小，并网电流的THD（总谐波失真）保持3%以下。
一种抑制隔离逆变器漏电流电方法

[发明专利]一种非晶三角立体卷铁心箔线自动绕线机构-CN201910398106.4在审
发明人：王立华 -专利权人：慈溪市大华电器有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01F41/061 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶三角立体卷铁心箔线自动绕线机构，包括齿轮模和铁心承装台，所述的铁心承装台上方后部安装有与其对应的下压定位结构，该铁心承装台前侧安装有前部支架，所述的铁心承装台包括两个左右移动对称安装的三爪夹持架，两个三爪夹持架之间装夹有非晶立体铁心，非晶立体铁心上的卷绕部位上设置有齿轮模。
铁心非晶自动绕线机构立体卷铁心齿轮模夹持架箔线卷绕三爪装夹定位结构对称安装前部支架铁心振动自动操作左右移动低压箔高压线下压

[发明专利]一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构-CN201010261581.6有效
发明人：刘英策;火东明;孙天宝 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-08-21 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：一种半导体芯片的共晶方法，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接。本发明还涉及一种半导体芯片的共晶结构，包括半导体芯片、基板，以及位于半导体芯片和基板之间的共晶连接层，其中，所述共晶连接层由第一连接层和有孔结构的第二连接层共晶结合而成。本发明实施例提供的一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构，有孔的共晶层和另一共晶层共晶，使二者之间形成更均匀结合力更强的共晶层，进而提高芯片和基板之间的结合力。
一种半导体芯片方法结构

[实用新型]晶体管封装共晶系统及晶体管-CN202120365628.7有效
发明人：胡靖;温永阔;黄黎明;谢少华;刘盼 -专利权人：深圳市东飞凌科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体管封装共晶系统及晶体管，该晶体管封装共晶系统包括晶圆提供机构、晶圆校正机构以及共晶加热机构，共晶加热结构的预热结构、共晶加热平台和晶圆识别结构的数量均为两个，两个预热结构分别与两个共晶加热平台对应，两个共晶加热平台分别与两个第三晶圆识别结构对应，当其中一个共晶加热平台共晶时，与其对应的预热结构预热待共晶的产品，当另一个共晶加热平台共晶时，与其对应的预热结构预热待共晶的产品，提升了共晶效率，两个预热结构的结构相同，使得两个共晶加热平台共晶精度与共晶效果基本一致，极大地减少了预热结构加工与装配公差的影响。
晶体管封装晶系

[发明专利]一种低共模电压的非隔离双向DC/AC变流器及其控制方法-CN202010828005.9在审
发明人：尹强;黄军伟;熊泽成;甘江华;陈天锦;方支剑 -专利权人：许继电源有限公司;许继集团有限公司;许继电气股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H02M7/797 文献下载
摘要：本发明涉及一种低共模电压的非隔离双向DC/AC变流器及其控制方法，通过直流母线、桥式变换电路以及LC滤波电路组成非隔离双向DC/AC变流器，并采用整流恒压控制方法和并网恒流控制方法组成的组合控制策略对变流器进行控制，实现了单相电网与母线之间的双向能量流动，具有降低光伏发电等分布式能源非隔离接入存在的漏电流，实现电网多模式控制运行，低共模电压和能量双向流动的优点。
一种低共模电压隔离双向 dc ac 变流器及其控制方法