专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种FeCoNiCu高熵合金掺杂非晶碳薄膜及制备方法和应用-CN202310568106.0有效
  • 姜欣;曾小康;羊坤;冷永祥 - 西南交通大学
  • 2023-05-19 - 2023-08-11 - C23C14/35
  • 本发明涉及薄膜材料技术领域,公开了一种FeCoNiCu高熵合金掺杂非晶碳薄膜及制备方法和应用,所述薄膜由FeCoNiCu高熵合金相和润滑相a‑C共沉积在金属基体表面形成;由以下方法制备,利用磁控溅射的方法,以FeCoNiCu金属拼接靶和石墨靶为靶材,以高纯Ar为工作气体,对表面清洗处理后的基体施加负偏压;FeCoNiCu金属拼接靶接直流电源,石墨靶接高功率脉冲磁控溅射电源,双靶同时启动电源,共沉积制备FeCoNiCu/a‑C复合薄膜;所述薄膜还能通过热处理进一步提升其摩擦学性能;本发明制得的FeCoNiCu/a‑C复合薄膜具有塑韧性好、硬度高、摩擦系数和磨损率低等优点,适合作为柔性金属基材表面的防护薄膜材料。
  • 一种feconicu合金掺杂非晶碳薄膜制备方法应用
  • [发明专利]一种三相纳米复合高熵薄膜及其制备方法和应用-CN202310363542.4有效
  • 姜欣;李延涛;羊坤;冷永祥 - 西南交通大学
  • 2023-04-07 - 2023-06-23 - C23C14/35
  • 本发明涉及薄膜材料技术领域,公开了一种三相纳米复合高熵薄膜及其制备方法和应用,所述的制备方法包括基材前处理及双靶磁控溅射共沉积两个步骤,所制备的薄膜为非晶高熵合金基体相/碳化物陶瓷相/非晶碳相的复合结构,该薄膜中高熵合金基体相的存在使其具有优异的韧性,纳米晶陶瓷相使其具有优异的强度,非晶碳相则提供优异的自润滑能力,在摩擦过程中的固体润滑机制主要为氧化物与非晶碳混合的界面润滑膜提供减摩性能,本发明公开的三相纳米复合薄膜具有优异的强韧性与自润滑性能;特别适合用于在极端工况下作业的机械零部件的防护。
  • 一种三相纳米复合薄膜及其制备方法应用
  • [发明专利]一种低应力强结合高温绝缘涂层的制备方法-CN202310129637.X在审
  • 姜欣;李延涛;刘茂;曾小康;冷永祥 - 西南交通大学
  • 2023-02-17 - 2023-05-30 - C23C28/00
  • 本发明公开的一种低应力强结合高温绝缘涂层的制备方法,本发明应用现有技术的磁控溅射技术制备,包括如下依次进行的步骤,进行镀前处理、进行Ar离子溅射清洗、进行沉积粘结层步骤,通过沉积粘结层步骤获得沉积粘结层、进行贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构步骤,所述贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构步骤为通过磁控溅射技术在沉积粘结层表面沉积氮化硅获得贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构,其中氮化硅应用磁控溅射技术通过Si靶与氮气反应溅射进行沉积获得,在磁控溅射过程中通过周期性改变氮气流量调控相邻两层氮化硅中的氮含量,以获得由贫N氮化硅和富N氮化硅交替构成的多层结构,所述的贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构可以产生交替的拉应力与压应力的微观力学情况。
  • 一种应力结合高温绝缘涂层制备方法
  • [发明专利]一种高光热性能的纳米结构氮化钛涂层及制备方法-CN202210973597.2有效
  • 马东林;李萌婷;邓乔元;冷永祥 - 成都师范学院
  • 2022-08-15 - 2023-05-19 - C23C14/06
  • 本发明公开了一种高光热性能的纳米结构氮化钛涂层及制备方法,包括以下步骤:步骤1:以金属钛作为靶材,将基片与靶材相对设置;基片与靶面两个面之间的夹角为45°~80°;步骤2:步骤2:通入氩气和氮气,采用高功率脉冲磁控溅射进行沉积,放电功率密度为1.0 W/cm2~4.5 W/cm2,峰值功率密度为200 W/cm2~350 W/cm2,沉积时间为30 s~60 s;步骤3:采用直流磁控溅射进行沉积,放电功率密度为3.5 W/cm2~5.0 W/cm2,沉积时间为15 min~25 min;溅射结束冷却后即可得到所需氮化钛涂层;本发明采用高功率脉冲磁控溅射和直流磁控溅射相结合,得到一种与基材结合力高、具有纳米棒结构,纳米棒排列结构紧密,顶端具有尖锐结构的氮化钛涂层;该涂层具有连续可调的光热性能。
  • 一种光热性能纳米结构氮化涂层制备方法
  • [发明专利]一种陶瓷人工关节对磨副制备方法-CN202210974055.7有效
  • 冷永祥;郭静;经佩佩;李颖欣;向颖;苏奕衡;龚艳丽 - 西南交通大学
  • 2022-08-15 - 2023-03-31 - A61L27/10
  • 本发明公开了一种陶瓷人工关节对磨副制备方法,具体为:首先采用快速热压烧结方法制备金属掺杂的多孔氧化锆增韧氧化铝(Me‑ZTA)陶瓷,然后以盐酸多巴胺(DA)改性表面得到PDA‑Me‑ZTA人工关节对磨副,再以聚乙烯醇(PVA)、聚多巴胺(PDA)为原料,在PDA‑Me‑ZTA人工关节对磨副陶瓷表面制备聚多巴胺(PDA)‑聚乙烯醇(PVA)复合水凝胶涂层,构建仿生关节软骨材料。本发明提高了陶瓷关节的润滑与耐磨性能,大幅度降低陶瓷人工关节接触应力、磨损及摩擦噪声,降低陶瓷关节临床应用存在的磨损、破裂、异响等并发症的发生率,提高陶瓷关节的质量及患者舒适度。
  • 一种陶瓷人工关节制备方法
  • [发明专利]一种纳米双相高熵合金薄膜及其制备方法-CN202110512506.0有效
  • 姜欣;李延涛;曾小康;刘茂;冷永祥 - 西南交通大学
  • 2021-05-11 - 2021-12-28 - C23C14/16
  • 本发明公开了一种纳米双相高熵合金薄膜的制备方法,该制备方法包括基材前处理及高功率脉冲磁控溅射沉积两个步骤。采用高功率脉冲磁控溅射技术,以包括金属Cu在内的五种金属元素的拼接靶为靶材,以高纯Ar为工作气体,对前处理后的基体施加负偏压,对拼接靶施加靶电压,在基体表面沉积得到包含FCC基体相和富铜BCC纳米相的纳米双相高熵合金薄膜。该薄膜既体现了高熵合金薄膜高的固溶强化的特点,同时通过富铜相的析出引入大量相界面,使其具有界面强化机制。其硬度最高达13GPa,并且由于具有优异的韧性,对在高承载、高摩擦环境下作业的基体能起到良好的防护作用,具有很好的应用价值。
  • 一种纳米双相高熵合金薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种在体内环境中具有磨损自修复功能的碳薄膜生物材料制备方法-CN201510644011.8有效
  • 冷永祥;邓乔元;武冰洁;陈俊英;王进;杨苹;黄楠 - 西南交通大学
  • 2015-10-08 - 2018-08-17 - A61L27/30
  • 本发明公开了一种在体内环境中具有磨损自修复功能的碳薄膜生物材料制备方法,表面清洗后的人工器官置于0.5~5.0Pa含氩气体的真空室内,在工件上施加‑10~‑200V的偏压,开启溅射电源,石墨靶溅射平均功率为3W/cm2~10W/cm2,金属靶上的溅射平均功率为1W/cm2~3W/cm2,在人工器官工件表面制得目标物‑掺金属的碳薄膜生物材料(Me‑DLC),其中金属元素的原子百分比为1%~10%。所得碳薄膜生物材料(Me‑DLC)具有良好的磨损自修复功能,对发生摩擦磨损的碳薄膜生物材料(Me‑DLC)进行修复。通过石墨层对碳基薄膜的修复,有效地减少了人工器官界面腐蚀,显著提高人工器官的使用寿命。本发明在Me‑DLC薄膜制备过程中,所运用的设备主要是磁控溅射沉积设备、阴极磁过滤弧源‑电子回旋共振沉积设备,其工艺稳定、环保,镀出的薄膜层符合欧盟RoHS标准。
  • 一种体内环境具有磨损修复功能薄膜生物材料制备方法
  • [发明专利]一种用于平面圆形磁控溅射阴极靶的磁场源-CN201610867923.6有效
  • 谢东;冷永祥;黄楠 - 西南交通大学
  • 2016-09-30 - 2018-07-27 - C23C14/35
  • 本发明公布了一种用于平面圆形磁控溅射阴极靶的磁场源,该磁场源是由若干组串联的平行且同轴的平面径向螺旋线圈沿轴向层叠而成,每组平面径向螺旋线圈由承载电流不低于80A的漆包线沿同样的方向紧密绕制而成,每组平面径向螺旋线圈的半径和匝数相等。当通以电流时,该磁场源能够在平面圆形溅射靶表面产生沿径向辐射状且在很大范围内均匀分布的水平磁场分量。相比于传统磁控溅射靶的磁场源设计,本发明能够显著提高溅射靶表面“跑道环”面积,进而显著提高溅射靶材的利用率和薄膜制备的均匀性。
  • 一种用于平面圆形磁控溅射阴极磁场

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