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[发明专利]一种Cu基非晶合金复合材料及其制备方法-CN202211137905.4在审
发明人：娄燕;杨凌云;王兆毅 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种Cu基非晶合金复合材料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，在铜基非晶合金中添加硼酸盐，制备得到硼酸盐Cu基块体非晶合金复合材料；其中，所述硼酸盐Cu基块体非晶合金复合材料中硼酸盐的质量百分比含量为0.1～0.5％；步骤S2，对得到的硼酸盐Cu基块体非晶合金复合材料放入固定模中施加预应力，然后施以间歇超声振动，得到Cu基非晶合金复合材料。采用本发明的技术方案，既能减少非晶的结晶现象，又使Cu基非晶合金提高20％的强度，达到了Zr基非晶合金强度；而且制备方法制备成本低，得到的Cu基非晶合金复合材料具有很好的抗氧化性，力学性能良好，具有高强度
一种 cu 基非晶合金复合材料及其制备方法

[发明专利]一种共差模电感磁芯及其制备方法-CN202310481661.X在审
发明人：秦雨露;魏鸣风;鲍绪东 -专利权人：宁波中益赛威新材料有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01F41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种共差模电感磁芯的制备方法，步骤包括：S1、对铁基纳米晶磁芯的带材进行卷绕处理，得第一磁芯；S2、对第一磁芯进行热处理，得第二磁芯；S3、对第二磁芯进行沉积处理，得铁基纳米晶磁芯；S4、对铁基纳米晶磁芯进行浸漆固化以及防护喷涂，得第三磁芯；S5、将第三磁芯转移至陶瓷护盒内，于陶瓷护盒相对的两侧上分别绕设一线圈，两线圈间设有导磁体，即得共差模电感磁芯；本发明的制备方法在热处理步骤中向第一磁芯的表面形成顺磁层，以提高纳米晶特性同时降低损耗；在浸漆固化步骤中通过聚氨酯与硅树脂的复合固化剂改善固化收缩对磁性能造成的降低；本发明的共差模电感磁芯具有直流与交流下优异的性能，同时具有良好的耐温性和韧性。
一种共差模电感及其制备方法

[发明专利]一种基于定向凝固获得伪共晶组织的高熵合金及其制备方法-CN202310824465.8在审
发明人：何佳华;张研覃;王建树;卢帅丹;邵文婷;陈建 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料及其制备技术领域，具体涉及一种基于定向凝固获得伪共晶组织的高熵合金及其制备方法，本发明先采用电弧熔炼再熔模浇铸的方法制备亚共晶高熵合金板材，然后采用电火花切割的方法从板材中切出适用于定向凝固的合金棒，最后采用高梯度定向凝固技术，得到具有伪共晶组织的高熵合金，其抗拉和屈服强度相比于铸态合金分别提高了319和155MPa，该制备技术工艺简单，操作方便，适于推广和应用。
一种基于定向凝固获得伪共晶组织合金及其制备方法

[发明专利]一种纳米复合超硬薄膜的制备方法-CN201110237494.1无效
发明人：张玉娟;杨莹泽;翟玉浩;张平余 -专利权人：河南大学
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：具体涉及一种纳米复合超硬薄膜的制备方法，该方法先采用磁过滤电弧离子镀的方式向基底上沉积MeN形成50纳米厚的MeN薄膜作为过渡层，然后继续采用磁过滤电弧离子镀的方式沉积MeN，同时采用离子束溅射的方式向基底上共沉积Si3N4，共沉积过程中对基底施加-100V直流负偏压，从而制得纳米晶MeN/非晶Si3N4纳米复合超硬薄膜。本发明将磁过滤电弧离子镀与离子束溅射相结合，利用二者的工作气压相近的特点，相互弥补不足，获得膜基结合力良好纳米晶MeN/非晶Si3N4纳米复合超硬薄膜。
一种纳米复合薄膜制备方法

[发明专利]熔盐之控制冷却纯化法及杂质去除剂-CN201210493578.6无效
发明人：金禾山 -专利权人：艾力创新有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C01D1/28 文献下载
摘要：本发明揭露从共晶系熔盐去除杂质的控制冷却之法；及对非共晶系熔盐则添加杂质去除剂使之与熔盐内的杂质生成可与本体盐共晶的化合物，而可以控制降温纯化。控制降温法系将熔盐自高于本体盐熔点上方至少20℃的温度，降温到共晶温度以上2～5℃以内，则本体盐凝固、纯化，杂质化合物被驱赶进入共晶液体内、倾倒移除。以碳酸氢铵添加到含钠杂质之高温硝酸钾盐浴内，将该盐浴在328+2℃恒温中冷却，完成时已凝固者为纯硝酸钾，杂质Na₂CO₃及K₂CO₃被收纳于共晶液体而排出
控制冷却纯化杂质去除

[发明专利]共晶装置及晶体管封装共晶系统-CN202110176456.3有效
发明人：胡靖;温永阔;黄黎明;谢少华;刘盼 -专利权人：深圳市东飞凌科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种共晶装置及晶体管封装共晶系统，该共晶装置包括晶圆吸取结构、待共晶产品吸取结构、预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构，晶圆吸取结构用于吸取晶圆，待共晶产品吸取结构用于吸取待共晶产品，预热结构用于预热待共晶产品，共晶加热平台用于加热晶圆和待共晶产品，共晶识别结构用于在共晶过程中进行拍照，预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构的数量均为两个，两个预热结构分别与两个共晶加热平台对应设置，两个共晶识别结构对应设置于两个共晶加热平台的上方该共晶装置能够提升共晶效率，两个预热结构的结构相同，极大地减少了预热结构加工与装配公差的影响，使得两个共晶加热平台共晶精度与共晶效果基本一致。
装置晶体管封装晶系

[发明专利]一种真空共晶工艺中钎缝尺寸的控制方法-CN202210441128.6在审
发明人：潘玉华;文泽海;向伟玮;季兴桥;曹雪姣;贾斌;高明起;杜荣富;李文;许冰 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空共晶工艺中钎缝尺寸的控制方法，该方法包括将成型的金属引线设置于共晶基板的共晶区域；将共晶钎料放置于共晶基板的共晶区域，压覆金属引线；将共晶模组放置于共晶基板的共晶区域，压覆共晶钎料；在共晶模组上放置配重块，并将共晶基板放入真空共晶炉；在预设共晶加热曲线下执行真空共晶，以使共晶钎料在真空共晶炉内溶化后，共晶模组与金属引线形成标准的钎缝。本发明通过在共晶时将引线放入共晶区域来限制钎缝的尺寸，然后通过增加原有的压力，以使钎料在共晶炉中溶化后，芯片或者模组压住引线，形成一个标准的钎缝，进而钎料在标准缝隙里润湿达到良好的共晶效果，解决共晶压力与钎料张力难平衡的问题
一种真空工艺中钎缝尺寸控制方法

[发明专利]非晶氧化铝改性天然石墨负极材料及其制备方法和应用-CN202310150577.X在审
发明人：白玉俊;陈创 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶氧化铝改性天然石墨负极材料及其制备方法和应用。本发明的制备方法为：将乳酸铝溶于水中，与天然石墨混合均匀后好，烘干后在空气气氛中进行烧结。非晶氧化铝改性天然石墨负极材料加工过程和采用的设备简单、操作方便、绿色环保、改性剂乳酸铝用量少、成分可控性高、改性效果好。非晶氧化铝不仅可以保护天然石墨免受电解液的作用和溶剂分子共嵌入，而且非晶氧化铝可以作为人工SEI膜，具有高的机械模量，提高电解液对天然石墨的润湿性，促进表面处锂离子传输，避免石墨表面产生锂沉积而引发锂枝晶非晶氧化铝改性天然石墨负极材料表现出优异的电化学性能。
氧化铝改性天然石墨负极材料及其制备方法应用

[发明专利]用于差分双工器的共模信号衰减-CN200880106396.0有效
发明人： J·卡瓦尼利亚斯;P·S·古德姆;S·C·夸克;D·洛夫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H04B1/52 文献下载
摘要：本发明描述了用于衰减来自差分双工器的非所需信号分量的技术。差分双工器在RX+和RX-端口提供差分接收信号。差分接收信号包括非所需共模信号，其可能来自发射信号。利用耦合到RX+和RX-端口的阻抗匹配网络中的共模陷波器衰减共模信号。匹配网络包括耦合在RX+端口和第一节点之间的第一无源电路、耦合在RX-端口和第二节点之间的第二无源电路，以及耦合在第一和第二节点之间的共模陷波器。在一个设计中，共模陷波器包括耦合在第一节点和公共节点之间的第一电感、耦合在第二节点和公共节点之间的第二电感，以及耦合在公共节点和电路接地点之间的电容。
用于双工器信号衰减

[实用新型]一种抑制光伏漏电流的有源共模噪声抑制器-CN201420454710.7有效
发明人：苏娜;王玉华;陈跃 -专利权人：台州学院
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：一种抑制光伏漏电流的有源共模噪声抑制器，能够抑制电网和滤波电感不平衡造成的漏电流，也具有抑制功率器件高频开关造成漏电流的一般功能。该装置由共模电压检测网络、共模电压跟随、电网电压检测网络、电网电压跟随和共模变压器五部分组成。电网电压检测网络检测电网电压，共模电压检测网络检测器件高频开关产生的共模电压，通过电压跟随，叠加到共模变压器原边；共模变压器副边串入单相非隔离逆变器的输出侧，实现总共模电压的抵消，达到抑制光伏逆变器漏电流的目的
一种抑制漏电有源噪声抑制器

[发明专利]共模扼流圈-CN202110149341.5有效
发明人：松浦耕平;比留川敦夫;植木大志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供层叠型的共模扼流圈，在例如25GHz～30GHz这样的高频带中，能够使差模信号透过并且抑制共模噪声成分。共模扼流圈具备：层叠体(2)，具有被层叠的多个非导电体层(3)；和第一线圈(11)以及第二线圈(12)，内置于层叠体(2)，第一线圈(11)具有第一线圈导体(17)，第二线圈(12)具有第二线圈导体(18)，上述第二线圈导体(18)沿着与配置有第一线圈导体的非导电体层(3b、3c)间的界面不同的非导电体层(3c、3d)间的界面配置，在上述共模扼流圈中，当在层叠体(2)的层叠方向上俯视第一线圈导体(17)
共模扼流圈

[发明专利]电荷耦合流水线模数转换器的共模误差校准电路-CN201010220516.9有效
发明人：吴俊;陈珍海;季惠才;黄嵩人;于宗光 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种对电荷耦合流水线模数转换器中共模误差进行校准的电路，该电路包括共模误差检测模块、误差量化模块、误差纠正模块和控制器模块。该共模误差校准电路能够自动检测全差分结构电荷耦合流水线模数转换器中由于非理想特性而引起的共模误差，并对该共模误差进行校准，将该共模误差的影响控制在模数转换器的最低分辨率要求以内，以克服工艺波动带来的共模误差对现有电荷耦合流水线模数转换器的精度限制的问题
电荷耦合流水线转换器误差校准电路

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制备方法-CN201910399400.7在审
发明人：董学;袁广才;关峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在形成有源层的图形之前还形成导向结构和催化剂颗粒，利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅的吉布斯自由能为驱动力、通过熔融的催化剂颗粒吸收非晶硅形成过饱和硅共熔体，使硅成核生长成为硅基纳米线并且在生长过程中，非晶硅薄膜在催化剂颗粒的作用下沿着导向结构线性生长，从而获得高密度、高均一性的硅基纳米线。另外，通过对催化剂颗粒的尺寸以及非晶硅薄膜的厚度进行控制还可以实现对硅基纳米线的宽度进行控制。从而实现尺度均一可控的硅基纳米线薄膜晶体管的制备。
一种薄膜晶体管阵列相关制备方法

[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示面板-CN201910392488.X在审
发明人：袁广才;董学;关峰;高宇鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在形成第一薄膜晶体管的有源层时，利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅(硅基纳米线)的吉布斯自由能为驱动力、通过熔融的催化剂颗粒吸收非晶硅形成过饱和硅共熔体，使硅成核生长成为硅基纳米线并且硅基纳米线在生长过程中，非晶硅薄膜在催化剂颗粒的作用下沿着导向结构线性生长，从而获得高密度、高均一性的硅基纳米线。另外，通过对催化剂颗粒的尺寸以及非晶硅薄膜的厚度进行控制还可以实现对硅基纳米线的宽度进行控制。从而实现尺度均一可控的硅基纳米线薄膜晶体管的制备。
一种阵列制备方法显示面板

[发明专利]一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜的制备方法-CN202111019565.0有效
发明人：周兵;刘竹波;王永胜;马永;吴艳霞;高洁;黑鸿君;于盛旺 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜的制备方法，首先将基体材料用金刚石微粉超声预处理后固定在真空镀膜室的旋转样品台上，调节基体与溅射靶之间距离；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对基体表面进行离子溅射清洗然后以高纯铬或硅靶作为脉冲直流磁控溅射的阴极靶材，在基体表面制备铬或硅薄膜缓冲层；最后以高纯钛柱、硅柱和石墨盘镶嵌组成的复合靶作为射频磁控溅射的阴极靶材，同时通入氩气、甲烷和氮气，在缓冲层表面制备钛硅共掺杂的非晶碳氮复合薄膜本发明实现了非晶碳氮薄膜中的钛硅含量可调、非晶碳氮相、氮化硅相以及纳米晶石墨相和氮化物相的结构可控，得到的复合薄膜具有高硬度、高模量和低磨损率。
一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜制备方法