“非易失性锁存器”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14750604个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于非易失性存储设备的冗余选择器电路-CN200610108021.0有效
发明人：李裕相;黄相元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G11C29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用在非易失性存储设备中的冗余选择器电路，该冗余选择器电路包括：ROM单元阵列，其中存储了有缺陷的地址，其包括以行和列的矩阵布置的多个ROM单元；ROM控制器，用于在加电时依次选择ROM单元阵列的行；读出放大器块，用于从根据ROM控制器的控制依次选择的相应行的ROM单元中读出和放大数据位；锁存块，用于通过开关电路接收由读出放大器块所读出的数据位，并且锁存所输入的数据位作为有缺陷的地址；以及比较器块，用于检测在正常操作中输入的地址是否与存储在锁存块中的一个有缺陷的地址匹配。随着依次选择了行，通过串行传送方式将ROM单元阵列的有缺陷地址经读出放大器块传送至锁存块。
用于非易失性存储设备冗余选择器电路

[发明专利]双模式铁电存储器单元的操作-CN201880038287.3在审
发明人： D·维梅尔卡蒂 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明描述用于双模式铁电存储器单元的操作的方法、系统及装置。存储器阵列或所述阵列的部分可以易失性模式及非易失性模式不同地操作。例如，存储器单元可以非易失性模式操作且接着在所述单元以所述非易失性模式操作时通过控制器起始的命令之后以易失性模式操作。所述存储器单元可以所述易失性模式操作且接着在后续命令之后以所述非易失性模式操作。在一些实例中，所述存储器阵列的一个存储器单元可以所述非易失性模式操作而所述存储器阵列的另一个存储器单元以所述易失性模式操作。
模式操作非易失性存储器单元易失性存储器阵列铁电存储器单元系统及装置后续命令控制器双模式

[发明专利]一种基于非易失存储器的前向梯度回归加速器及操作方法-CN202210841387.8在审
发明人：李祎;吴晨旭;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06T1/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非易失存储器的前向梯度回归加速器及操作方法，该前向梯度回归加速器包括控制模块、存内处理模块和运算模块；控制模块，包括DRAM存储器，用于保存运算数据，并向存内处理模块和运算模块传输相应指令和数据；存内处理模块，包括非易失存储器阵列，用于为前向梯度回归计算残差向量和回归变量之间的余弦相似度，并将运算结果传输给控制模块；运算模块用于接收控制模块的指令和数据，完成数据映射的运算并用于更新回归系数和残差向量本发明采用非易失存储器阵列以0(1)的方式执行大规模矩阵向量乘法运算，配合DRAM存储器备份数据执行数值迭代算法，在实现加速求解前向梯度回归问题的同时，可确保计算精度。
一种基于非易失存储器梯度回归加速器操作方法

[发明专利]页面缓冲电路和非易失性存储装置-CN201010004065.5无效
发明人：许晃 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种页面缓冲电路和非易失性存储装置，该页面缓冲电路包括：感测放大单元，其配置成将参考电压与选择的存储块的位线的位线电压相比较，并且将感测节点的电压电平增加所述参考电压与所述位线电压之间的差，其中所述位线电压根据选择的存储单元的编程状态而经历改变；以及若干锁存电路，其配置成根据所述感测节点的电压电平来锁存编程验证数据。
页面缓冲电路非易失性存储装置

[发明专利]一种存储装置-CN201410766201.2有效
发明人：骆建军;王时 -专利权人：杭州华澜微科技有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置，其包括与外部控制器电性相连的存储器接口、通过第二总线与所述存储控制器相连的易失性存储器、通过第三总线与所述存储控制器相连的非易失性存储器。所述易失性存储器包括有非易失映射区，所述非易失性存储器包括与所述易失性映射区具有对应关系的非易失备份区，在所述存储控制器的控制下，该非易失备份区对所述非易失映射区内的数据进行备份。对于计算机系统来说，所述存储装置由两部分形成，一部分是作为易失性内存使用的易失性存储区，另一部分为作为非易失性内存使用的非易失映射区，这样可以使得部分内存中的数据可以实现掉电保护，提高了数据安全性。
一种存储装置

[发明专利]存储器装置、存储器系统及用于复制数据的方法-CN201710082951.1在审
发明人：克里希纳·T·马拉丁;郑宏忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开一种存储器装置、存储器系统及用于复制数据的方法。一种存储器装置包括多个易失性存储器，用于存储数据；非易失存性存储器缓冲器，被配置为存储与从主机计算机接收的工作负荷关联的数据；存储器控制器，被配置为将数据存储到所述多个易失性存储器和非易失性存储器缓冲器两者非易失性存储器缓冲器被配置为在包括由远程节点置位的确认位的表中存储数据。
存储器装置系统用于复制数据方法

[发明专利]使用纳米管开关的非易失性阴影锁存器-CN200680024940.8有效
发明人： C·L·伯廷;F·郭;T·鲁克斯;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德;M·斯特拉斯伯格;R·斯瓦拉贾;X·M·H·黄 -专利权人：南泰若股份有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元包括：易失性存储器件，响应于电刺激而存储对应逻辑状态；以及阴影存储器器件，耦合于易失性存储器件。阴影存储器器件响应于电刺激而接收和存储对应逻辑状态。阴影存储器器件包括存储阴影器件的对应状态的非易失性纳米管开关。
使用纳米开关非易失性阴影锁存器

[发明专利]一种非易失性内存储器页分配方法与装置-CN201811165929.4在审
发明人：郭美思 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性内存储器页分配方法与装置，包括：使用分配页标识设定模块为非易失性内存储器分配标识；使用分配页标识设定模块向非易失性内存储器的所有区域的所有页中添加标识；使用缺页异常处理模块将需求非易失性内存储器的进程分配到具有标识的页中本发明的技术方案能够针对不同非易失性内存储器或不同类型的非易失性内存储器进行页分配，使得非易失性内存储器和易失性内存储器能够根据进程的需求而共用于页分配，进而提高大数据处理性能。
内存储器非易失性分配标识设定数据处理性能异常处理模块分配标识进程分配添加标识进程

[发明专利]死机状态数据恢复处理的方法和装置-CN201710974288.6在审
发明人：高劲松;胡德才;赵修齐;袁涛;姜黎 -专利权人：湖南国科微电子股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本发明提供一种死机状态数据恢复处理的方法，包括如下步骤CPU按照预设的时间在程序中定期执行喂狗操作，避免watchdog超时；监测watchdog是否超时；watchdog发出信号脉冲，触发写操作；将CPU内部数据编码并写入到非易失性存储设备；若CPU正常工作，CPU读取存储在非易失性存储设备中的数据；若CPU未正常工作，将所述非易失性存储设备从PCB板上取下并读取在所述非易失性存数设备中数据。
死机状态数据恢复处理方法装置

[发明专利]非易失静态随机存取存储器电路-CN201410647788.5有效
发明人：金宁泰;谢明辉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失静态随机存取存储器电路，其包括第一与第二开关以及栓锁电路。第一开关具有耦接第一位线的第一端且具有第二端。第二开关具有耦接第二位线的第一端且具有第二端。栓锁电路耦接第一开关的第二端以及第二开关的第二端，且具有第一非易失存储元件。当非易失静态随机存取存储器电路处于写入模式时，在第一位线上的第一数据写入至栓锁电路，且第一非易失存储单元具有对应第一数据的第一状态。当非易失静态随机存取存储器电路处于读取模式时，第一读出数据根据第一非易失存储单元的第一状态而产生且提供至第一位线。本发明实施例，通过非易失存储元件的阻抗状态的行程将位线上的数据记录在栓锁电路，不需要现有的传统模式。
非易失静态随机存取存储器电路

[发明专利]由NAND闪存控制器实现的电镜像-CN202011378509.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：英韧科技（上海）有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：提供通过非易失性存储系统中的存储控制器实现的电镜像的系统、装置和方法。在一个实施例中，非易失性存储系统可以包括多个非易失性存储设备和一个存储控制器。存储控制器可以被配置为执行电镜像配置过程，该过程包括：确定非易失性存储系统的系统拓扑和哪些目标位于镜像非易失性存储设备中；在存储控制器中为所述多个非易失性存储设备中的所有镜像非易失性存储设备中的所有目标设置相应的寄存器位
nand 闪存控制器实现电镜像

[发明专利]多位非易失性随机存取存储器单元-CN201680066177.9有效
发明人： J.坦定甘;J.艾伦;D.斯蒂尔;J.阿肖克库马尔 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：公开了多位非易失性随机存取存储器单元。该多位非易失性随机存取存储器单元可以包括易失性存储元件和非易失性存储电路。该非易失性存储电路可以包括连接到易失性存储元件的数据真值(DT)节点的至少一个第一通路晶体管和连接到易失性存储元件的数据补码(DC)节点的至少一个第二通路晶体管。该非易失性存储电路还可以包括多个非易失性存储元件。每个非易失性存储元件可以被配置为选择性地可经由该至少一个第一通路晶体管连接到易失性存储元件的DT节点，并且选择性地可经由该至少一个第二通路晶体管连接到易失性存储元件的DC节点，允许多位非易失性随机存取存储器单元每单元存储
易失性存储元件非易失性随机存取存储器通路晶体管多位非易失性存储电路非易失性存储元件单元存储补码配置

[发明专利]可规划的非易失性算术存储器运算子-CN202010099030.8有效
发明人：王立中 -专利权人：芯立嘉集成电路（杭州）有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F7/575 文献下载
摘要：本发明提供了可规划的非易失性算术存储器运算子用来对非易失性数据及易失性数据进行算术操作，且包含非易失性存储器装置，用以存储非易失性数据。本发明非易失性算术存储器运算子减少从存储器单元撷取数据的总量，以节省算术运算的功率，另外，本发明非易失性算术存储器运算子允许被多次规划以进行新的算术运算。位于算术逻辑单元的非易失性算术存储器运算子的架构可应用于数字信号处理器的运算以及深度神经网络的运算。
规划非易失性算术存储器运算子

[发明专利]一种内存备份装置和方法-CN200510112507.7有效
发明人：李众庆 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明提供一种内存备份装置和方法，该内存备份装置中包括内存和内存控制器，内存控制器利用内存总线对内存进行读写，其特征在于，包括：等待存储控制器和非易失存储器，该等待存储控制器与内存相连，其中，等待存储控制器对内存的地址总线和数据总线进行锁存，在内存总线处于空闲状态时，等待存储控制器将内存内容拷贝到与该等待存储控制器相连的非易失存储器中，进行内存备份，该等待存储控制器与内存在内存总线上相连，其中，内存控制器的操作优先于等待存储控制器。
一种内存备份装置方法

[发明专利]非易失性静态随机存取存储器元件-CN200910170438.3有效
发明人：施秉嘉;石忠勤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：非易失性静态随机存取存储器元件包含一易失性电路和一非易失性电路。在电源持续供应的一般操作环境下，易失性电路能提供高速数据读取；在外部电源因故中断和重新恢复的期间，非易失性电路利用一反向电路和一非易失性可抹除可编程存储器电路来提供数据备份，因此能保存先前易失性电路内存的数据
非易失性静态随机存取存储器元件