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- [发明专利]具有非易失性逻辑阵列备份相关应用的处理装置-CN201811580481.2有效
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S·C·巴特林;S·卡纳
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德克萨斯仪器股份有限公司
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2013-09-10
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2023-08-15
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G11C16/06
- 本发明提供具有非易失性逻辑阵列备份相关应用的处理装置。一种处理装置(100),使用多个易失性存储元件(120)操作。多个易失性存储元件(120)的N组的每组的M个易失性存储元件通过使用多路复用器(212)被连接到多个非易失性逻辑元件阵列中的N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)。多路复用器(212)连接N组中的一组到N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)以一次将来自M个易失性存储元件(120)的数据存储到N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)的一行中,或者一次将来自N乘M大小的非易失性逻辑元件阵列(110)的一行的数据写入到M个易失性存储元件(120)。相应的非易失性逻辑控制器(106)控制多路复用器(212)关于易失性存储元件(120)和非易失性存储元件(110)之间的连接的操作。
- 具有非易失性逻辑阵列备份相关应用处理装置
- [发明专利]一种存储芯片-CN201510289518.6有效
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景蔚亮
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上海新储集成电路有限公司
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2015-05-29
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2020-01-07
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G06F15/78
- 本发明充分利用了3D存储阵列下面的硅片未利用空间,同时也将南桥及其IO设备功能模块和/或可信平台模块/可信密码模块(TPM/TCM)芯片功能集成在内,同时也可将3D新型非易失性存储器芯片的一部分作为基本输入输出系统(BIOS)功能,而3D新型非易失性存储芯片还可作为混合内存或混合缓存器的非易失性部分。通过多芯片封装技术将本发明3D新型非易失性存储芯片与处理器、片外最后一级易失性高速缓芯片存封装在一个封装体内,从而大大减少了母板面积和走线,有益于节省功耗和成本,同时由于本发明3D新型非易失性存储器与处理器封装在同一个封装体内
- 一种存储芯片
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