专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数字电位系统-CN200910106076.1有效
  • 邓锦辉;刘桂云;胡小波;施爱群 - 辉芒微电子(深圳)有限公司
  • 2009-03-19 - 2010-09-22 - H01C1/16
  • 一种数字电位系统,由采用不同工艺在不同半导体基板上制成的至少一个数字电位单元(1)和一个存储单元(2)互连而成。所述存储单元(2)通过接口总线(3)与微控制(4)、数字电位单元(1)连接。由于本发明从工艺上把数字电位系统分为两个部分,分别做在至少2个芯片上,有利于在系统设计中集成和组合各种不同的电位,如不同阻值或分辨率的,也可以一个非易失性存储对应多个分立的数字电位,使用户使用更灵活;其次,因其中的数字电位单元可用简单工艺流程,从而降低了整体成本。
  • 非易失性数字电位器系统
  • [发明专利]一种创建虚拟存储介质的方法、系统及管理系统-CN201510120673.5有效
  • 周远清 - 华为技术有限公司
  • 2015-03-18 - 2018-03-02 - H04L29/08
  • 本发明公开了一种创建虚拟存储介质的方法、系统及管理系统该方法为CPU接收客户端发送的创建与物理存储介质对应的虚拟存储介质的创建请求消息,创建请求消息中携带刀片服务标识;CPU将创建请求消息转发至刀片服务标识所标识的目标刀片服务;CPU接收目标刀片服务发送的属性信息,并将属性信息发送至客户端,以使得客户端根据属性信息创建能够被目标刀片服务唯一访问的虚拟存储介质,由于该方案提出了一种创建虚拟存储介质的方案,这样,多个刀片服务就可以同时访问同一U盘、移动硬盘等存储介质,提高了访问效率。
  • 一种创建虚拟非易失性存储介质方法系统管理
  • [发明专利]一种提升Oracle数据库性能的装置及数据读写方法-CN202010250410.7有效
  • 张一可;段利宁;张远斌 - 苏州浪潮智能科技有限公司
  • 2020-04-01 - 2023-03-14 - G06F3/06
  • 本发明公开一种提升Oracle数据库性能的装置及数据读写方法,Oracle数据库配置于服务,服务的CPU上连接至少一个HDD磁盘和至少一个内存;HDD磁盘与内存一一对应,数量相同;一个HDD磁盘和一个内存配置成为一个块设备;内存上创建有内存块设备,该内存块设备被配置为对应HDD磁盘的缓存设备。写数据时,Oracle数据首先写到内存上,再以writeback方式回写到HDD磁盘上;读数据时,首先检测数据是否在内存上,若在,则直接从内存上读取数据,否则继续从HDD磁盘上读取数据本发明可有效提升数据库的读写能力,且降低服务成本。
  • 一种提升oracle数据库性能装置数据读写方法
  • [发明专利]存储系统及其操作方法-CN201810347995.7有效
  • 李峻瑞 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-04-18 - 2022-03-18 - G06F11/10
  • 本发明的一个实施例涉及一种存储系统以及存储系统的操作方法,该存储系统包括具有储存区和储存区的存储器件。该存储系统包括:存储器件,其包括储存区和储存区;以及控制,其包括用于在存储系统与主机之间传输数据的第一接口和第二接口,并且控制适用于通过第一接口在储存区与主机之间传输数据,以及通过第二接口在储存区与主机之间传输数据,其中控制还适用于在正常操作模式下,判断从储存区读取的数据中是否发生错误,并且当确定从储存区读取的数据中发生错误时,将储存区的全部数据转储至储存区的预定第一位置中。
  • 存储系统及其操作方法
  • [发明专利]半导体集成电路-CN200480043669.3无效
  • 品川裕;片冈健;石川荣一;田中利广;柳泽一正;铃川一文 - 株式会社瑞萨科技
  • 2004-08-30 - 2007-07-04 - G06F12/00
  • 一种具有中央处理和被安置在该中央处理的地址空间中的可重写存储区的半导体集成电路。该存储区具有第一存储区和第二存储区,它们根据阈值电压的差别来记忆信息。该第一存储区具有大于第二存储区的用于记忆信息集的阈值电压的最大变化宽度。第一存储区可以被优先考虑以加快存储信息的读取速度并且第二存储区可以被优先考虑以保证更多的存储信息的重写操作次数。
  • 半导体集成电路

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