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[发明专利]IGBT集电极结构-CN201210494615.5有效
发明人：陈宏;朱阳军;吴凯;徐承福;卢烁今 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的间隔分布N+型区域层，以及在N-型基区的背面，上述间隔分布N+型区域层未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层。本发明用于形成IGBT的集电极结构。
igbt 集电极结构

[发明专利]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT-CN202210480122.X在审
发明人：孙瑞泽;余丽波;刘超 -专利权人：成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属；集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极，浮空金属连接在N+集电极区，且集电极金属与浮空金属之间不接触；本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象，因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小，保证器件在反向导通时电流更均匀。
一种反向电流分布均匀逆导型 igbt

[实用新型]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT-CN202221049722.2有效
发明人：孙瑞泽;余丽波;刘超 -专利权人：成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属；集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极，浮空金属连接在N+集电极区，且集电极金属与浮空金属之间不接触；本实用新型在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象，因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小，保证器件在反向导通时电流更均匀。
一种反向电流分布均匀逆导型 igbt

[发明专利]硅化集电极结构-CN202210497145.1在审
发明人： J·P·约翰;J·A·柯奇斯纳;L·拉蒂克 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本公开涉及硅化集电极结构。一种半导体装置包括发射极、基极和集电极。所述集电极的一部分位于基板中的沟槽下方。集电极硅化物位于所述沟槽的底部部分的至少一部分和所述沟槽的侧壁的至少一部分上。集电极硅化物结构电耦合到集电极接触结构。
集电极结构

[实用新型]IGBT背面集电极结构-CN201320013251.4有效
发明人：陈宏;朱阳军;卢烁今;吴凯 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT背面集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于
igbt 背面集电极结构

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT-CN202210188984.5在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT-CN202210188969.0在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结沟槽逆导型 igbt

[发明专利]一种消除电压折回现象的逆导型IGBT-CN202210480121.5在审
发明人：刘超;余丽波;孙瑞泽 -专利权人：成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除电压折回现象的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P+导电材料、集电极金属、N型导电材料和浮空金属；N型缓冲层的其中一侧连接在耐压层结构上，P+集电极区和N+集电极区的其中一侧分别连接在N型缓冲层的另一侧，且P+集电极区和N+集电极区之间具有间隙，P+集电极区的另一侧具有集电极金属；本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，消除了snapback现象，并且反向导通电流更加均匀。
一种消除电压折回现象逆导型 igbt

[实用新型]一种消除电压折回现象的逆导型IGBT-CN202221049368.3有效
发明人：刘超;余丽波;孙瑞泽 -专利权人：成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种消除电压折回现象的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P+导电材料、集电极金属、N型导电材料和浮空金属；N型缓冲层的其中一侧连接在耐压层结构上，P+集电极区和N+集电极区的其中一侧分别连接在N型缓冲层的另一侧，且P+集电极区和N+集电极区之间具有间隙，P+集电极区的另一侧具有集电极金属；本实用新型在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，消除了snapback现象，并且反向导通电流更加均匀
一种消除电压折回现象逆导型 igbt

[发明专利]一种具有背注增强结构的IGBT及其制造方法-CN201010270911.8无效
发明人：吴海平;贾荣本 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有背注增强结构的IGBT，属于晶体管结构领域。该发明将传统IGBT均匀的P+型集电极区改为N-型漂移区与P+型集电极区相接触的面为凸凹结构，相应的P+型集电极区、集电极也为凸凹结构。另外，本发明还提供了一种具有背注增强结构的IGBT的制造方法。本发明中IGBT的N-型漂移区与P+型集电极区相接触的面为凸凹结构，相应的P+型集电极区、集电极也为凸凹结构。增大了集电极区PN结的面积，达到了减小IGBT正向导通压降的目的。
一种具有增强结构 igbt 及其制造方法

[实用新型]一种集电极带导油槽的静电式电场结构-CN201720011167.7有效
发明人：席刚;席庶 -专利权人：四川厨源不锈钢设备有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： B03C3/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集电极带导油槽的静电式电场结构，包括放电极、集电极、连接弹簧、具有多条电极支架的支架主体、电极框架，集电极为内部具有电极腔的圆形或多边形筒体结构，并在集电极上设置有至少一个导油槽，且导油槽与电极腔连通，在集电极的侧壁上对称设有四个安装孔，放电极为圆柱形杆状结构并穿设在集电极的中心，沿放电极的长度方向设有多个尖端凸起部；多个集电极呈网状结构排列在电极框架中，相邻集电极之间通过连接弹簧连接固定，每个放电极的两端分别连接在两个电极支架上，两个支架主体通过陶瓷绝缘子与电极框架相连接。本实用新型的导油槽，有利于电极腔内，放电极范围内无集油，使净化后的油液收集与排出。
一种集电极油槽静电电场结构

[发明专利]一种抑制电压回折现象的低损耗IGBT结构及制备方法-CN202310745359.0在审
发明人：付民;张潇风;刘雪峰;郑冰 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种抑制电压回折现象的低损耗IGBT结构及制备方法，属于半导体功率器件领域，其结构在现有结构的基础上，集电极N型区上侧增设P型阻隔层,二者堆叠位于所述集电极P+区右侧，集电极N型区与P型阻隔层堆叠结构中嵌有集电极梯形凸包；N型缓冲层、集电极N型区、P型阻隔层和集电极梯形凸包构成自适应类MOS结构，其中N型缓冲层构成类MOS结构的源区，集电极N型区构成漏区，P型阻隔层构成基区，集电极梯形凸包构成控制栅。本发明无需额外引入背侧栅控制电极，避免了导通初期出现的电压回折现象，在关断时提供了随集电极电压上升自适应展宽的电子抽取通路，进一步缩短关断时间，降低了导通损耗。
一种抑制电压现象损耗 igbt 结构制备方法

[实用新型]一种正八边形集电极的静电式电场结构-CN201720012271.8有效
发明人：席刚;席庶 -专利权人：四川厨源不锈钢设备有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： B03C3/41 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种正八边形集电极的静电式电场结构，包括放电极、集电极、连接弹簧、具有多条电极支架的支架主体、电极框架，集电极为内部具有电极腔的正八边形筒体结构，并在集电极上对称设置有四个连接孔，所述放电极穿设在集电极的中心，且放电极为圆柱形杆状结构，并沿放电极的长度方向设有多个尖端凸起部；多个集电极呈网状结构排列在电极框架中，相邻集电极之间通过连接弹簧插接在连接孔中连接固定，并且每个放电极的两端分别连接在两个电极支架上，两个支架主体分别通过陶瓷绝缘子与电极框架相连接。本实用新型的带有尖端凸起部的放电极与正八边形筒体结构的集电极相配合，能够保证电场强度的均匀性，从而使油烟气体电离更充分。
一种八边形集电极静电电场结构

[发明专利]BJT版图结构及BJT结构的制造方法-CN202010611417.7在审
发明人：韩晓婧 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种BJT版图结构及BJT结构的制造方法，BJT版图结构包括：衬底，位于所述衬底内的集电极，位于所述集电极上的多个对称的势阱，位于每个所述势阱上的基极，以及位于每个所述基极上的发射极；多个所述势阱映射到所述集电极同一层时，多个势阱位于所述集电极内；多个所述势阱、多个所述基极以及多个所述发射极共用一个所述集电极。在本发明提供的BJT版图结构及BJT结构的制造方法中，最终形成的版图中，多个BJT共用集电极，不像现有技术中，多个BJT都各有一个集电极，而多个集电极之间还有一定的间隙，因此，多个BJT占用的版图面积更少
bjt 版图结构制造方法

[发明专利]异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构-CN201310022558.5有效
发明人： R·卡米洛-卡斯蒂罗;何忠祥;J·B·约翰逊;刘奇志;刘学锋 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供了异质结双极晶体管（HBT）结构、其制造方法及其设计结构。所述HBT包括其中具有子集电极区域的半导体衬底。所述HBT结构还包括覆盖所述子集电极区域的一部分的集电极区域。所述HBT结构还包括覆盖所述集电极区域的至少一部分的内部基极层。所述HBT结构还包括与所述内部基极层相邻并电连接的外部基极层。所述HBT结构还包括在所述外部基极层与所述子集电极区域之间垂直延伸的隔离区域。所述HBT结构还包括覆盖所述内部基极层的一部分的发射极。所述HBT结构还包括电连接到所述子集电极区域的集电极接触。所述集电极接触有利地延伸穿过所述外部基极层的至少一部分。
异质结双极晶体管结构制造方法及其设计

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