|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1058075个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种高压驱动电路的隔离结构-CN201110242932.3有效
-
时龙兴;钱钦松;孙伟锋;祝靖;黄贤国;陆生礼
-
东南大学
-
2011-08-23
-
2012-01-04
-
H01L29/06
- 一种高压驱动电路的隔离结构,包括:P型衬底,P型外延层,在P型外延层上有高压区、低压区以及高低压结终端区,在高低压结终端区与低压区之间为第一P型结隔离区,在高压区和低压区之间存在高压绝缘栅场效应管,其两侧以及它和高侧间的隔离结构为第二P型结隔离区,第二P型结隔离区的第二P型阱区浓度通过其中N型阱区的注入变化来达到从高压区到低压区逐渐降低,高压绝缘栅场效应管和高侧之间的第二P型结隔离区仅由第二P型阱区组成,第二P型结隔离区的设计是基于不同高压下P型结隔离区的完全耗尽以及开态下P型结隔离区的非穿通。本发明解决了P型结隔离结构不完全耗尽造成的P型结隔离结构发生局部击穿问题,使被隔离区与周围有效隔离。
- 一种高压驱动电路隔离结构
- [实用新型]一种高压驱动电路的隔离结构-CN201120308546.5有效
-
时龙兴;钱钦松;孙伟锋;祝靖;黄贤国;陆生礼
-
东南大学
-
2011-08-23
-
2012-05-30
-
H01L29/78
- 一种高压驱动电路的隔离结构,包括:P型衬底,P型外延层,在P型外延层上有高压区、低压区以及高低压结终端区,在高低压结终端区与低压区之间为第一P型结隔离区,在高压区和低压区之间存在高压绝缘栅场效应管,其两侧以及它和高侧间的隔离结构为第二P型结隔离区,第二P型结隔离区的第二P型阱区浓度通过其中N型阱区的注入变化来达到从高压区到低压区逐渐降低,高压绝缘栅场效应管和高侧之间的第二P型结隔离区仅由第二P型阱区组成,第二P型结隔离区的设计是基于不同高压下P型结隔离区的完全耗尽以及开态下P型结隔离区的非穿通。本实用新型解决了P型结隔离结构不完全耗尽造成的P型结隔离结构发生局部击穿问题,使被隔离区与周围有效隔离。
- 一种高压驱动电路隔离结构
- [实用新型]隔离环组件组装用工装-CN201921368137.7有效
-
黄山;陆辉;刘韵
-
成都越凡创新科技有限公司
-
2019-08-22
-
2020-06-12
-
B23P19/04
- 本实用新型涉及工装领域,公开了一种隔离环组件组装用工装,该工装的顶部设置有第一隔离环支撑区,底部设置有与第一隔离环支撑区相对应的第二隔离环支撑区;该工装的侧面还设置有第一隔离环支柱安装区和第二隔离环支柱安装区;其中,第一隔离环支柱安装区的两端分别与第一隔离环支撑区的一端和第二隔离环支撑区的相应端相接,第二隔离环支柱安装区的两端分别与第一隔离环支撑区的另一端和第二隔离环支撑区的相应端相接。采用该工装后,可以先将两个隔离环支柱分别放于两个隔离环支柱安装区内,然后再先后将两个隔离环放置于相应的隔离环支撑区上,放置时通过螺钉使其与隔离环支柱锁紧,从而便能完成隔离环的组装,非常方便、快捷。
- 隔离组件组装用工
- [发明专利]半导体装置-CN201710211321.X有效
-
伊牧;陈柏安
-
新唐科技股份有限公司
-
2017-03-31
-
2020-08-21
-
H01L21/8234
- 半导体装置包括一基板结构,包括一高电位区、一低电位区、一电位转换区以及一隔离区,低电位区与高电位区彼此隔开,电位转换区和隔离区设置于上述高电位区与上述低电位区之间,隔离区将电位转换区与高电位区彼此隔开。隔离掺杂区,具有第一导电类型,位于隔离区中,隔离掺杂区包括第一掺杂部分以及一第二掺杂部分,第一掺杂部分的深度沿隔离区朝向电位转换区的第一方向呈线性递减。第二掺杂部分邻接第一掺杂部分,第二掺杂部分的深度沿着隔离区朝向高电位区的第二方向呈线性递减。
- 半导体装置
- [实用新型]一种电路板应力缓冲结构及电子设备-CN202221849402.5有效
-
胡鑫
-
苏州源控电子科技有限公司
-
2022-07-18
-
2022-12-20
-
H05K1/02
- 本实用新型公开一种电路板应力缓冲结构及电子设备,涉及电路板的技术领域,该电路板应力缓冲结构通过在基板设置有贯通其相对两侧的隔离槽,以将基板分隔形成隔离区和安装区,隔离槽用于阻断隔离区与安装区的应力传递,减少安装区所受冲击和隔离区所受应力的影响,有效保护安装区中的器件,基板位于隔离槽长度方向的相对两端分别形成连接部,隔离区和安装区之间通过连接部连接,隔离区和/或安装区设有加固件,加固件沿连接部长度方向延伸设置以阻挡在隔离区与安装区之间,从而阻碍隔离区与安装区之间的应力传递,避免设置有器件的安装区部分板材翘曲变形,保护器件不受应力的干扰,有利于器件的正常工作。
- 一种电路板应力缓冲结构电子设备
|