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[发明专利]半导体存储装置-CN202210320860.8在审
发明人：矢野胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明的非易失性半导体存储器包含存储胞元阵列，存储胞元阵列在基板上形成着具有NOR型快闪存储器结构的NOR型阵列与具有电阻变化型存储器结构的电阻变化型阵列。在NOR型阵列与电阻变化型阵列之间形成有进入栅，进入栅在NOR型阵列受到存取时，使电阻变化型阵列从NOR型阵列分离。
半导体存储装置

[发明专利]透视式近眼显示器-CN201380055971.X有效
发明人： J·J·马;J·H·洪;T·Y·常;C·U·李;R·S·戴利;F·D·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：各个实施例包括一种具有透射型显示器和衍射型微透镜阵列的近眼显示器。透射型显示器可以相对于衍射型微透镜阵列设置，使得在透射型显示器和衍射型微透镜阵列之间的距离大约等于衍射型微透镜阵列的焦距。透射型显示器还可以向对于衍射型微透镜阵列设置，使得从透射型显示器发出的光的一百分比被微透镜阵列衍射并准直到人眼的视网膜上的焦点中。透射型显示器还可以相对于衍射型微透镜阵列设置，使得来自真实世界场景的光穿过透射型显示器的透明部分并被微透镜阵列衍射到人眼的焦点之外。
透视式近眼显示器

[发明专利]Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法-CN201610635841.9在审
发明人：刘斌;张荣;何国堂;谢自力;陈鹏;修向前;赵红;陈敦军;陆海;韩平;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、In_xGa_1‑xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si‑CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si‑CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。本发明通过将Si‑CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。
si cmos 阵列驱动电路控制 gan 可见光微米 led 器件及其制备方法

[发明专利]一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法-CN201611245848.6有效
发明人：董培涛;吴学忠;张晨煜;曾学盛;王朝光;王俊峰;陈剑 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法。该表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱包括衬底，衬底上设有阵列型银纳米柱，阵列型银纳米柱的表面包覆有金膜；阵列型银纳米柱的柱长为400nm～800nm，阵列型银纳米柱的柱直径为80nm～100nm，相邻银纳米柱之间的距离70nm～80nm，阵列型银纳米柱表面的金膜厚度为20nm～30nm。制备方法包括：（1）倾斜镀膜法在衬底上制备阵列型银纳米柱；（2）纳米电镀金膜，得到表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱。本发明的阵列型银纳米柱表面包覆金膜技术具有结构稳定、与生物样品之间亲和性好等优点，该制备方法操作安全便捷、成本低廉、效率高、且对环境友好。
一种表面包覆有金膜阵列纳米及其制备方法

[发明专利]一种用于无线充电的自适应嵌套型谐振和感应阵列技术-CN201510859288.2在审
发明人：刘跃进 -专利权人：刘跃进
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H02J50/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于新能源汽车无线充电的自适应嵌套型谐振和感应线圈阵列技术与方法，所述自适应嵌套型谐振和感应线圈阵列技术与方法包括自适应嵌套型谐振线圈或感应线圈阵列和阵列组技术与方法、自适应嵌套型谐振或感应线圈阵列或阵列组分层排列和分层错位排列的技术与方法、用印刷电路板制作超薄型自适应嵌套型谐振或感应线圈阵列或阵列组的技术和方法、对自适应嵌套型谐振或感应线圈阵列进行电磁屏蔽的技术方案、用自适应嵌套型谐振或感应线圈阵列和阵列组制作的能够嵌入在新能源汽车底盘装甲护板中的无线充电系统的技术与方法
一种用于无线充电自适应嵌套谐振感应阵列技术

[实用新型]具有混合型DAC电容阵列结构的SAR ADC-CN201520075639.6有效
发明人：李龙;吴高林;王国兴;杨雁;伏进;王谦;孟晓旭;籍勇亮;李勇;耿文良 -专利权人：国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网公司;上海交通大学
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有混合型DAC电容阵列结构的SAR ADC，包括比较器和混合型DAC电容阵列结构；混合型DAC电容阵列结构包括：n个C2C电容阵列单元、m个二进制电容阵列单元、以及一个冗余电容，所述混合型DAC电容阵列结构的输出端与比较器的输入端相连接；本实用新型具有混合型DAC电容阵列结构的SAR ADC，其混合型DAC电容阵列结构将C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元相结合，从而兼有了二进制权重电容阵列结构(CBW)精度高、带衰减电容阵列结构(BWA)功耗低的优点，从而使SAR ADC能更好的满足各种模拟电子设备对低功耗、高精度的需求。
具有混合 dac 电容阵列结构 sar adc

[发明专利]C型组串的串线方法、设备及介质-CN202310619999.7在审
发明人：邹绍琨;李伟 -专利权人：阳光新能源开发股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F30/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种C型组串的串线方法、设备及介质，属于组串串线的技术领域。在本申请中，在预设方向上以C型组串的最大组件个数对组件编码映射矩阵进行子阵列采样，得到待定子阵列，将大规模组件方阵转换为小规模的待定子阵列，基于小规模的待定子阵列确定可能的C型组串，降低串线处理的复杂度；基于待定子阵列中的组件编码确定待定子阵列中的合格子阵列，快速定位出合格子阵列中的C型组串；基于合格子阵列的组件编码进行组件拼接得到C型组串，快速输出符合C型组串开口需求的正确开口方向的C型组串以及组件的连线方式
型组串串线方法设备介质

[发明专利]电压缓冲装置-CN201210239055.9有效
发明人：洪俊雄;蒋汝安 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压缓冲装置，用于对芯片提供带隙缓冲电压，包含：运算放大器，具有输出端以及接收输入带隙电压的输入端；共享源极晶体管，具有连接于输出端的栅极端与对芯片提供带隙缓冲电压的漏极端；以及开关元件阵列，其包含具有多个第一型晶体管的第一型晶体管子阵列与具有多个第二型晶体管的第二型晶体管子阵列，其中第一型晶体管子阵列的共享源极端被耦接于共享源极晶体管的漏极端，第一型晶体管子阵列的漏极端被耦接于第二型晶体管子阵列的漏极端，第二型晶体管子阵列的多个源极端则接地，第一型晶体管子阵列的多个栅极端以及第二型晶体管子阵列的多个栅极端分别用于接收多个外部控制信号。
电压缓冲装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202211024699.6在审
发明人：矢野胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明的非易失性存储器包括形成有或非型阵列及电阻变化型阵列的存储单元阵列。在向或非型阵列的写入过程中电源电压下降到断电电平的情况下，读写控制部将未写入数据写入电阻变化型阵列中。之后，在检测到电源电压的通电时，读写控制部从电阻变化型阵列读取未写入数据，并将未写入数据写入或非型阵列中，由此使中断的写入复位。
半导体存储装置

[发明专利]三维(3D)打印的柔性支撑装置-CN201610438193.8有效
发明人： S·齐奥雷克 -专利权人：现代自动车美国技术研究所;现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B29C64/40 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成三维(3D)打印的柔性支撑装置的方法，其包括：使用3D打印系统生产V型弹簧元件的阵列，每个阵列包括布置成预定义阵列形状的多个V型弹簧元件，并且每个V型弹簧元件具有预定义的坚固度和滞后性特性；使用3D打印系统将V型弹簧元件的阵列布置在至少一个二维(2D)阵列网格中，使得每个阵列的至少一个V型弹簧元件附接到至少一个相邻阵列的V型弹簧元件；以及根据预定义的体积对至少一个阵列网格成型，以形成支撑装置
三维打印柔性支撑装置

[发明专利]SiC纳米阵列-CN201510404917.2有效
发明人：王霖;陈善亮;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开的SiC纳米阵列，包括基体和形成于基体表面的纳米阵列，纳米阵列为SiC纳米线排列，其中SiC纳米线中SiC晶型为C型或者H型或者R型；SiC纳米阵列中纳米线的阵列密度为(5.0-6.0)×10本发明公开的纳米阵列工艺简单，生产方便，产品质量稳定性好，性能稳定。
sic 纳米阵列

[实用新型]一种用于光缆分纤的线束分支装置-CN202222186251.6有效
发明人：杨如军;李玲;朱庆锋;张臣 -专利权人：南京全信传输科技股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于光缆分纤的线束分支装置，包括集束光缆阵列、壳体、C型灌胶腔盖板、单芯光缆阵列与沉头螺钉，其中壳体内侧设有一C型灌胶腔，该C型灌胶腔两端分别装有集束光缆阵列、单芯光缆阵列；所述C型灌胶腔盖板设于壳体的C型灌胶腔上端，C型灌胶腔盖板靠近集束光缆阵列、单芯光缆阵列的两端设有沉头孔，沉头孔内装有沉头螺钉，沉头螺钉可将C型灌胶腔盖板与单芯光缆阵列、集束光缆阵列连接固定。本实用新型采用C型灌胶腔，其能够有效的保证灌胶时胶水的充分填充，装置能够满足抗振动、抗机械冲击及抗加速度等机械环境要求。
一种用于光缆分支装置

[发明专利]一种可见/近红外波段多模式微纳光栅阵列排布结构-CN202210041863.8有效
发明人：赵永强;汤超龙;刘芯羽;龙华宝 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见/近红外波段多模式亚波长光栅阵列排布结构，包括纵向交叉排布的第一类型行阵列和第二类型行阵列，第一类型行阵列为超像素马赛克型光栅片行阵列，第二类型行阵列为线型光栅片行阵列；第一类型行阵列包括M个间隔设置的超像素马赛克光栅片阵列，每个超像素马赛克光栅片阵列均由S*S个第一微纳光栅单元构成；第二类型行阵列包括N个间隔设置的第二微纳光栅单元，且该N个微纳光栅单元的中心波长均不相同；当第一微纳光栅单元与第二微纳光栅单元的中心波长相同时
一种可见红外波段模式光栅阵列排布结构

[发明专利]一种DAC电流源阵列的排列方式及共源电流源阵列版图-CN201711316470.9有效
发明人：韩特;乔峻石;赖玠玮 -专利权人：北京紫光展锐通信技术有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G06F30/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种DAC电流源阵列的排列方式及共源电流源阵列版图，用于改善DAC线性度及相关性能。该排列方式包括：确定共源电流源阵列的行数R以及列数C；将共源电流源阵列划分为M个子阵列；对N比特DAC进行分段，以得到2X‑1组温度计型编码电流源以及Y组二进制型编码电流源；将2X‑1组温度计型编码电流源分布至M个子阵列中，并使得每个子阵列中的温度计型编码电流源与其他子阵列中的温度计型编码电流源对称排列；基于Y组中的各组中二进制型编码电流源的个数将Y组二进制型编码电流源排列至M个子阵列中；将偏置电流源均匀排列至共源电流源阵列；将共源电流源阵列中除二进制编码电流源、温度计型编码电流源以及偏置电流源之外的其余部分排列冗余电流源。
一种 dac 电流阵列排列方式版图

[发明专利]基于III族氮化物半导体的Micro-LED阵列器件及其制备方法-CN201911334325.2有效
发明人：陶涛;王轩;许非凡;刘斌;智婷;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于III族氮化物半导体的Micro‑LED阵列器件，刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式扇形台面结构，p型阵列电极，蒸镀在扇形阵列的p型GaN层上，n型阵列电极，蒸镀在n型GaN层上，且n型阵列电极形成挡墙，将各扇形台面相互隔离。本发明通过在Micro‑LED扇形台面阵列的发光单元之间增设n型电极所做的挡墙，挡墙宽度仅为6‑10μm，在不显著增加器件尺寸的前提下，有效解决了器件各发光单元之间相互串扰的问题，有利于实现单独控制；利用n型电极金属做挡墙以及采用网状结构的p型电极，增加了电流扩展范围，有效提高了发光效率。
基于 iii 氮化物半导体 micro led 阵列器件及其制备方法

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