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[实用新型]一种半导体外延结构及其应用-CN202023135186.1有效
发明人：陈卫军;刘美华 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板；第一氮化铝层，形成于所述基板上；第一氮化镓层，形成于所述氮化铝层上；第二氮化铝层，形成于所述第一氮化镓层上；以及第二氮化镓层，形成于所述第二氮化铝层上
一种半导体外延结构及其应用

[发明专利]定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构-CN201410469535.3有效
发明人：金宇中;黄朝兴;曾敏男 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构，是直接或间接成长在(100)朝向(111)B面倾斜的砷化镓基板上，包含在基板上由下而上依序堆栈的次集极层、集极层、基极层、射极层，射极盖层及欧姆接触层，其中射极层为此外，还可进一步包含夹在集极层及基极层之间的穿隧集极层，是由磷化铟镓(InGaP)或砷磷化铟镓(InGaAsP)形成。本发明是在(100)朝向(111)B面倾斜的砷化镓基板上成长，倾斜的角度为0.6°～25°，皆能在一般制程范围内轻易达成，使铟与镓在<111>方向上达到很有序的排列，缩小基极‑射极接面与基极
定向异质接面双极性晶体管结构

[发明专利]半导体照明外延结构形成方法-CN202010154491.0有效
发明人：孙蕾蕾 -专利权人：孙蕾蕾
申请日： 2020-03-07 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体照明外延结构形成方法，包括提供一基板，依次在所述基板上形成半结晶性层、3D未掺杂层，形成3D未掺杂层后排出腔体内氮源，接着通入镓源且不通入氮源，通入镓源后通入氮源，通入氮源后形成N本发明在形成3D未掺杂层后将腔体内氮源排出，此时岛状结构表面没有气体保护，腔体内的高温对岛状结构顶部氮化镓进行烘烤并产生一相对粗糙表面，通入镓源后分解产生液态金属镓覆盖在粗糙表面上对缺陷位错进行填充并得到一相对平整表面，再通入氮源，氮源与液态金属镓表面接触形成氮化镓，晶格重新排序并阻断前面形成的位错缺陷，提高了晶体质量。
半导体照明外延结构形成方法

[发明专利]氮化镓系发光二极管的制造方法-CN200910057027.3无效
发明人：蓝文厚;杨光能;简奉任 -专利权人：山东璨圆光电科技有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓系发光二极管的制造方法。首先，提供一成长基板；然后，在基板上形成一氮化镓系半导体外延层，此氮化镓系半导体外延层依次层叠有一N型氮化镓系层、一发光层及一P型氮化镓系层，在P型氮化镓系层上形成一数码穿透层。接着，再以干法刻蚀工艺依次刻蚀数码穿透层、P型氮化镓系层并终止于发光层，以在发光层形成N-金属形成区。本发明可大幅增加氮化镓系发光二极管的发光效率。
氮化发光二极管制造方法

[实用新型]一种p型增强型氮化镓芯片封装器件及装置-CN202320215882.8有效
发明人：窦娟娟;李成 -专利权人：青岛聚能创芯微电子有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种p型增强型氮化镓芯片封装器件及装置，应用于氮化镓芯片封装领域，该器件中绝缘基板一侧与p型增强型氮化镓芯片的基底连接，对侧与TO引线框架中的基岛连接；p型增强型氮化镓芯片中的栅极焊盘与TO引线框架中的栅极引脚相连，p型增强型氮化镓芯片中的漏极焊盘与TO引线框架中的基岛相连，p型增强型氮化镓芯片中的源极焊盘与TO引线框架中的源极引脚相连；绝缘基板与p型增强型氮化镓芯片的基底相连的一侧与TO引线框架中的源极引脚相连，TO引线框架中的基岛与漏极引脚为一体，实现了与硅基器件相同的引脚定义，使得该p型增强型氮化镓芯片封装器件能够直接替换硅基器件使用，无需重新排布电路板。
一种增强氮化芯片封装器件装置

[发明专利]含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片及其制造方法-CN201510505780.X有效
发明人：胡晓龙;王洪;刘丽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-08-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明在该衬底上利用外延沉积技术生长氮化镓外延层；在上述氮化镓外延层上沉积一反射电极层，然后沉积一电镀种子层；在上述电镀种子层上地涂覆一种非导电物质；在上述种子层上区域选择性地生长金属基板，形成第二衬底；利用激光剥离或湿法腐蚀技术使蓝宝石衬底与氮化镓外延层的分离，漏出N极性氮化镓；在N极性氮化镓表面制备复合微结构；干法选择刻蚀N极性氮化镓，刻蚀至n‑GaN，并在n‑GaN上制作n型电极本发明采用区域性电镀复合金属基板
垂直结构LED芯片氮化镓外延层螺旋状环形衬底电镀种子层蓝宝石氮化镓电极沉积制备复合金属基板氮化镓表面反射电极层非导电物质复合微结构表面复合衬底剥离电极制备激光剥离技术生长金属基板湿法腐蚀外延沉积选择刻蚀区域性上区域微结构种子层电镀干法刻蚀漏出涂覆制造生长制作

[实用新型]含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片-CN201520620704.9有效
发明人：胡晓龙;王洪;刘丽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-08-15 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型在该衬底上利用外延沉积技术生长氮化镓外延层；在上述氮化镓外延层上沉积一反射电极层，然后沉积一电镀种子层；在上述电镀种子层上地涂覆一种非导电物质；在上述种子层上区域选择性地生长金属基板，形成第二衬底；利用激光剥离或湿法腐蚀技术使蓝宝石衬底与氮化镓外延层的分离，漏出N极性氮化镓；在N极性氮化镓表面制备复合微结构；干法选择刻蚀N极性氮化镓，刻蚀至n-GaN，并在n-GaN上制作n型电极本实用新型采用区域性电镀复合金属基板
螺旋状环形电极垂直结构 led 芯片

[实用新型]具金属氧化导电层的发光二极管-CN200520015868.5无效
发明人：王瑞瑜;方博仁;洪详竣;苏崇智;郑维昇;古肇明;陈建翰 -专利权人：南亚光电股份有限公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具金属氧化导电层的发光二极管，该发光二极管的晶片具有一透光基板，该透光基板上形成有一半导体堆叠层，该半导体堆叠层具有一n型氮化镓半导体层与一p型氮化镓半导体层，且该半导体堆叠层具有外露的N极金属垫与P极金属垫分别与n型氮化镓半导体层与p型氮化镓半导体层相互导通，该p型氮化镓半导体层与P极金属垫间形成有一金属氧化导电层。从而，使p型氮化镓半导体层与金属氧化导电层形成良好的导电接触，且能大幅提升生产良率及元件可靠度，并同时达成简化制程步骤，降低生产成本而达经济效益。
金属氧化导电发光二极管

[发明专利]氮化镓器件-CN202311156996.0在审
发明人：文豪;庞振江;洪海敏;周芝梅;温雷;顾才鑫;廖刚 -专利权人：深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了氮化镓器件。该氮化镓器件包括：第一介质层设置在基板的一侧；第一钝化层设置在第一介质层远离基板的一侧，第一钝化层具有第一通孔；栅极填充在第一通孔中，多层第二钝化层均具有第二通孔，相邻两个第二通孔连通且在基板上的正投影有部分交叠区域，第二通孔与第一通孔连通，且在基板上的正投影与第一通孔在基板上的正投影有部分交叠区域；多层场板分别填充在第二通孔，以及设置在与第一钝化层距离最远的第二钝化层远离基板的表面上，与第一钝化层接触设置的第二钝化层中的第二通孔中填充的场板与栅极接触设置通过设置多层场板，可以降低氮化镓器件漏极附近的电场峰值，提高氮化镓器件的击穿电压。
氮化器件

[发明专利]制造氮化物电子设备的方法-CN201180069623.9无效
发明人：斋藤雄;冈田政也;木山诚 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-04-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：在时刻t0将基板产物配置到生长炉后，将基板温度上升到摄氏950度。在基板温度充分稳定的时刻t3，将三甲基镓及氨提供到生长炉，生长i-GaN膜。在时刻t5，基板温度达到摄氏1080度。在基板温度充分稳定的时刻t6，将三甲基镓、三甲基铝及氨提供到生长炉，生长i-AlGaN膜。在时刻t7，停止三甲基镓及三甲基铝的供给并停止成膜后，迅速停止对生长炉提供氨及氢，并且开始氮的供给，在生长炉的炉膛中，将氨及氢的气氛变更为氮的气氛。形成了氮的气氛后，在时刻t8开始基板温度的降低。
制造氮化物电子设备方法

[发明专利]具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板-CN201711043946.6有效
发明人：李昭珩;金圣起;李永镇;金敏澈;梁晸硕;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板。本公开提供了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在所述基板上，其中，所述氧化物半导体层包括：具有铟、镓和锌的第一氧化物半导体层；和具有铟、镓和锌的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层层叠在所述第一氧化物半导体层上，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中的任一层具有1:1:1的铟、镓和锌的第一组成比；并且其中，另一层具有铟比率高于锌比率的铟、镓和锌的第二组成比。
具有双层氧化物半导体薄膜晶体管

[实用新型]一种氮化镓芯片在TO-220中的封装结构-CN202020511635.9有效
发明人：梅宇峰 -专利权人：品捷电子（苏州）有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓芯片在TO‑220中的封装结构，包括一TO‑220框架，所述TO‑220框架的上端为散热片，下端为第一引脚、第二引脚和第三引脚，其还包括一氮化镓芯片、一D‑MOSFET芯片和一氧化铝绝缘基板，所述氧化铝绝缘基板安装在所述散热片上；所述氮化镓芯片安装在所述氧化铝绝缘基板的右边，所述D‑MOSFET芯片安装在所述氧化铝绝缘基板的左边；本实用新型的结构通过高温焊料一次性烧结完成，使所有的焊盘电极完整结合
一种氮化芯片 to 220 中的封装结构

[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法-CN201310259080.8在审
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，包括：基板；形成在基板上的第一导电层，所述第一导电层为交替层叠的P型氮化铝铟镓层以及石墨烯层；依次形成在第一导电层上的P型氮化铝铟镓层、发光结构层、N型氮化铝铟镓层；以及第二导电层，形成在N型氮化铝铟镓层上。
发光二极管晶粒及其制造方法

[发明专利]垂直结构发光二极管的制造方法-CN200910156998.3有效
发明人：田红涛 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了垂直结构发光二极管的制作方法，包括如下步骤：在氮化镓外延层上沉积接触、反光层金属；在基板上沉积金属焊料；将氮化镓外延层与基板键合；去除蓝宝石衬底；外延层表面粗化，露出外延层中的N型氮化镓；去除划片槽区域的氮化镓外延层；沉积钝化层保护膜；露出沉积电极窗口，腐蚀去除电极窗口下的钝化层，蒸镀与N型氮化镓接触的金属薄膜，然后使用剥离工艺制作N电极28；划片切割垂直结构发光二极管。
垂直结构发光二极管制造方法

[发明专利]磊晶用碳化硅基板及半导体芯片-CN201710812888.2有效
发明人：吴耀铨;陈柏霖;吴佩瑜;郭彦廷;庄志远;刘哲铭;施英汝;李奇泽 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明提供一种磊晶用碳化硅基板及半导体芯片，其中碳化硅基板具有一表面及自所述表面凸起形成的多个图案化结构，所述表面的晶面为(0001)面；所述图案化结构的宽度由下往上逐渐减小且形成倾斜的至少一侧面，侧面的晶面为碳化硅基板的顶部设置有一氮化镓磊晶层以构成所述半导体芯片。因此，氮化镓磊晶层的底部形成侧向延伸的差排缺陷，不易形成往上延伸的穿透差排缺陷，让氮化镓磊晶层具有良好的磊晶品质。
磊晶用碳化硅半导体芯片