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[发明专利]含氧单晶薄膜的制备方法-CN201910537310.X在审
发明人：黄凯;欧欣;赵晓蒙;李文琴;李忠旭;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种含氧单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供含氧化合物衬底；对含氧化合物衬底进行氢离子注入，以于含氧化合物衬底内预设深度形成缺陷层，缺陷层内形成有氢‑氧化学键；提供键合衬底，将键合衬底与氢离子注入后的含氧化合物衬底进行键合，以得到异质键合结构；对异质键合结构进行红外照射处理，以使得异质键合结构自缺陷层发生剥离而得到含氧单晶薄膜。本发明的含氧单晶薄膜的制备方法中，采用红外照射对含有氢‑氧化学键的缺陷层进行处理，红外会引起氢‑氧化学键的振动，可以在异质键合结构具有较低温度状态下实现自缺陷层发生剥离，热应力较小，不会发生异质键合结构解键合的情况，更不会存在异质键合结构碎裂的问题。
键合结构异质缺陷层含氧化合物单晶薄膜衬底含氧化学键制备氢离子红外照射键合剥离温度状态碎裂热应力预设

[发明专利]具有阻挡结构的存储器件及其制备方法-CN201911147935.1有效
发明人：王永庆;陈赫;董金文;王博;伍术;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种具有阻挡结构的存储器件及其制备方法，该方法包括：提供第一晶圆及第二晶圆，第一晶圆包括第一晶圆键合面，第一晶圆包含存储单元阵列，存储单元阵列包括至少一个沟道柱，第二晶圆包括第二晶圆键合面，第二晶圆包含外围电路；于第一晶圆中和/或第二晶圆中嵌入氢阻挡层，其中，氢阻挡层形成于靠近第一晶圆键合面和/或靠近第二晶圆键合面；通过第一晶圆键合面及第二晶圆键合面键合第一晶圆及第二晶圆；在氢气氛下进行退火。该氢阻挡层可有效阻挡退火时产生的游离氢扩散进入所述第二晶圆内的外围电路结构中，降低对外围电路结构的不良影响，提高外围电路结构的可靠性。
具有阻挡结构存储器件及其制备方法

[发明专利]硅橡胶组合物-CN01111604.8无效
发明人：宅万修;新见英雄;西海航 -专利权人：陶氏康宁东丽硅氧烷株式会社
申请日： 2001-03-16 - 公布日： 2001-09-26 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：一种硅橡胶组合物,包含(A)100重量份在各分子中含至少2个与硅键合的链烯基的有机聚硅氧烷,(B)仅在其两个分子链端部具有与硅键合的氢的SiH官能的二有机聚硅氧烷,其量对每摩尔组分(A)中与硅键合的链烯基提供0.01－10摩尔与硅键合的氢,(C)在各分子中含至少3个与硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷,其量对每摩尔组分(A)中与硅键合的链烯基提供0.5－20摩尔与硅键合的氢,(D)0.01－20重量份的环碳氮硅氧烷衍生物
硅橡胶组合

[发明专利]乙烯基氢聚硅氧烷粘合剂组合物-CN201080019734.4无效
发明人： N·格里尔;M·肖普;须藤通孝;B·钟;朱弼忠 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C08G77/12 文献下载
摘要：提供了一种乙烯基氢聚硅氧烷。所述乙烯基氢聚硅氧烷包含具有至少两个与硅键合的氢原子和至少两个与硅键合的乙烯基的有机基聚硅氧烷。作为乙烯基氢聚硅氧烷中硅原子总数的分数，约25％-约90％的硅原子键合至氢原子，约10％-约45％键合至乙烯基。与硅键合的氢基的数量和与硅键合的乙烯基的数量的比为约1.3-约6。还提供了一种硅氧烷组合物，其包含至少一种乙烯基氢聚硅氧烷和氢化硅烷化催化剂；一种硅氧烷粘合剂，其包含至少一种乙烯基氢聚硅氧烷的固化产物；和一种层压体，其包括至少一种所述硅氧烷粘合剂。当经受高温或直接燃烧时，所述乙烯基氢聚硅氧烷形成保持对各种基底的粘合性的炭。
乙烯基氢聚硅氧烷粘合剂组合

[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法-CN202210850359.2有效
发明人：陶磊;王厚有;王棒 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，器件晶圆包括第一衬底和位于第一衬底上的第一键合层，所述承载晶圆包括第二衬底和位于第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层之间键合；对晶圆键合结构进行气泡检查并判断气泡是否合格；若不合格，对晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆，再对解键合处理后的器件晶圆进行氢退火工艺处理，以去除第一键合层中的水分子，然后对器件晶圆和承载晶圆进行重新键合。在返工流程中，通过氢退火工艺降低了器件晶圆第一键合层中的水分子，降低了重新键合后的气泡。
晶圆键合方法以及背照式图像传感器形成

[发明专利]硅酮组合物-CN201910827083.4有效
发明人：松本诚;安廷谟;姜承铉;郑印洪 -专利权人： KCC有机硅株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：其中所述有机聚硅氧烷混合物含有：在其分子中包括具有至少一个烯基的单元和至少一个SiO4/2单元的第一有机聚硅氧烷(a)、在其分子中具有至少两个烯基的第二有机聚硅氧烷(b)、以及有机氢聚硅氧烷(c)，其中所述有机氢聚硅氧烷(c)包含高反应性有机氢聚硅氧烷和直链有机氢聚硅氧烷，其中所述高反应性有机氢聚硅氧烷包含第一有机氢聚硅氧烷(c‑1)或第二有机氢聚硅氧烷(c‑2)，所述第一有机氢聚硅氧烷(c‑1)在其分子中包括具有与至少一个硅直接键合的氢基团的单元和至少一个SiO4/2单元，所述第二有机氢聚硅氧烷(c‑2)在其分子中包括与至少两个硅直接键合的氢基团和与以介于中间的氧原子邻接至上述硅基团的硅原子直接键合的至少一个芳基或卤代烷基，并且所述直链有机氢聚硅氧烷包含第三有机氢聚硅氧烷(c‑3)，所述第三有机氢聚硅氧烷(c‑3)在其分子中包括与至少一个硅直接键合的氢基团。
硅酮组合

[发明专利]用于封装材料的透明树脂、封装材料和包含其的电子器件-CN201110456968.1无效
发明人：车承桓;高尚兰;金龙国;金佑翰;金哈尼;安治垣 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于封装材料的透明树脂、封装材料和包含其的电子器件，所述透明树脂包含第一聚硅氧烷和第二聚硅氧烷，所述第一聚硅氧烷在其末端包含与硅键合的氢(Si-H)，所述第二聚硅氧烷在其末端包含与硅键合的烯基基团(Si-Vi)，其中所述与硅键合的氢(Si-H)和所述与硅键合的烯基基团(Si-Vi)以约1至约1.2的比率(Si-H/Si-Vi)存在。
用于封装材料透明树脂包含电子器件

[发明专利]可固化有机聚硅氧烷组合物、其用途以及由该组合物制备的层合体-CN201580078291.9在审
发明人：日野贤一;田中尚子;水野春奈;远藤修司;田中英文;霍俊平;杨云罗 -专利权人：道康宁东丽株式会社;道康宁（中国）投资有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的可固化有机聚硅氧烷组合物，其包含(A)每分子具有至少两个烯基基团的有机聚硅氧烷；(B)有机氢聚硅氧烷，所述有机氢聚硅氧烷的量足以使所述有机氢聚硅氧烷中的硅键合的氢原子与所述组分(A)中的烯基基团的摩尔比的值为1.11至101(SiH烯基基团)，其中所述组分(B)由下列组分(B1)和(B2)以在100/0至15/85范围内的(B1)/(B2)质量比组成(B1)每分子具有至少三个硅键合的氢原子并且硅键合的氢的含量[Si‑H]质量％满足以下公式的有机氢聚硅氧烷0<[Si‑H]质量％<5/(DP)0.5，其中DP指定通过组分(B1)的数均分子量计算的每分子中的硅氧烷单元的平均数，并且所述DP在5至1000的范围内；(B2)每分子具有至少一个硅键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷，其不同于组分(B1)；以及(C)催化量的硅氢加成反应催化剂。
固化有机聚硅氧烷组合用途以及制备合体

[实用新型]一种半导体用键合丝-CN201420460269.3有效
发明人：周振基;周博轩;任智 -专利权人：汕头市骏码凯撒有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体用键合丝，该键合丝采用双层涂覆的铜线，其中核心层采用铜线，核心层外第一涂覆层为银涂覆层，第一涂覆层外的第二层涂覆层为吸附有氢的钯涂覆层。所吸附的氢按重量比计算在键合丝中的含量为20-30ppm。本实用新型改善了键合丝的材料性能，提升了线材抗硫化、氧化的能力，提高在N₂气氛下的球焊时的结合面积和结合强度，从而提高了线材的导电能力和可靠性。
一种半导体用键合丝

[实用新型]一种半导体用键合丝-CN201420459737.5有效
发明人：周振基;周博轩;任智 -专利权人：汕头市骏码凯撒有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体用键合丝，该键合丝采用双层涂覆的银线，其中核心层采用银线，核心层外第一涂覆层为吸附有氢的钯涂覆层，第一涂覆层外的第二层涂覆层为金涂覆层。所吸附的氢按重量比计算在键合丝中的含量为5-10ppm。本实用新型改善了键合丝的材料性能，提升了线材抗硫化、氧化的能力，提高在N₂气氛下的球焊时的结合面积和结合强度，从而提高了线材的导电能力和可靠性。
一种半导体用键合丝

[发明专利]可通过点击反应交联的多组分硅氧烷组合物-CN200910165409.8无效
发明人： S·里特;F·西格胡博 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：其可通过点击反应交联，并且在各个组分混合之后，硬化得到弹性体型材料，其包含至少一种化合物(A)或(B)，至少一种化合物(B)或(C)，和至少一种Cu催化剂(D)，其中(A)是拥有至少两个具有末端脂肪族碳碳叄键的部分的有机化合物或有机硅化合物，所述碳碳叄键具有末端键合氢；(B)是拥有至少两个具有末端脂肪族碳碳叄键的部分，并同时拥有至少两个具有碳键合叠氮基团的部分的有机化合物或有机硅化合物，所述碳碳叄键具有末端键合氢；(C)是拥有至少两个具有碳键合叠氮基团的部分的有机化合物或有机硅化合物
通过点击反应交联组分硅氧烷组合

[发明专利]用于跨越键合界面传输电荷的结构、系统和方法-CN201780011255.X在审
发明人：汉斯·凡肯尼尔 -专利权人： G射线瑞士公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：当界面缺陷被从浅注入扩散到界面的氢钝化时，不含氧化物的低温晶片键合准许电流穿过共价键合界面，而不受陷阱、复合中心和无意的缺陷引起的阻隔屏障的阻碍。包括与钝化界面状态的不含氧化物的低温共价晶片键合的系统和方法用于需要减少界面散射和载流子捕获以及跨越键合界面的有效电荷收集的各种应用中。
含氧化物载流子低温晶片键合传输电荷钝化界面复合中心共价键合键合界面界面缺陷晶片键合有效电荷氢钝化散射共价键合捕获准许阻隔陷阱穿过屏障扩散阻碍应用

[发明专利]可固化的有机聚硅氧烷组合物-CN201180010240.4有效
发明人：约翰·米勒;马库斯·梅格特;克劳斯·施尼泽尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及可交联硅酮组合物，其通过Si-键合氢加成至脂族多重键可交联的并且包含硅烷化柠檬酸。
固化有机聚硅氧烷组合

[发明专利]溶剂型形成防粘涂层的有机基聚硅氧烷组合物和防粘膜或防粘片-CN200880114726.0无效
发明人：山田修司;山田高照 -专利权人：道康宁东丽株式会社
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：该有机基聚硅氧烷组合物包含(A)具有两个链烯基的有机基聚硅氧烷，(B)具有至少三个键合在分子链侧链位置的与硅键合的氢原子的有机基氢聚硅氧烷，(C)在25℃下的粘度为2.5-2,000mpas并在分子链两末端均具有与硅键合的氢的直链有机基氢聚硅氧烷
溶剂形成涂层有机基聚硅氧烷组合粘膜防粘片

[发明专利]新的芳基－{4－卤素－4－[(杂芳基甲氨基)甲基]－哌啶－1－基}甲酮衍生物、制备方法及其作为药物的用途-CN03818604.7有效
发明人： B·瓦谢;B·博诺;J－L·莫雷尔;F·科尔帕特 -专利权人：皮埃尔法博赫药品公司
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明涉及通式(1)化合物，其中，X和 Y＝键合了氢原子的碳(CH)或氮原子，A＝甲基、氟甲基、氰基、羟基、甲氧基或氯或氟原子(条件是当A＝甲基(CH₃)，并且X和Y都＝键合了氢原子的碳时，那么B＝氯原子)，B＝氯或氟原子，D＝氢、氯、氟原子，或氰基或三氟甲基，并且E＝氢、氟或氯原子。
卤素杂芳基甲氨基甲基哌啶衍生物制备方法及其作为药物用途

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