“锡区”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果737255个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]防止PCB板上螺孔与铜箔氧化的装置及其方法-CN201810938095.X在审
发明人：杨红光;贺文辉 -专利权人：神讯电脑（昆山）有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：本发明揭示一种防止PCB板上螺孔与铜箔氧化的装置及其方法，所述防止PCB板上螺孔与铜箔氧化的方法包括以下步骤：(1)将镀锡隔板放置于PCB板上表面，同时使通孔组以及网孔区分别覆盖住PCB板的螺丝孔以及铜箔区；(2)在镀锡隔板的通孔组以及网孔区上均匀涂抹锡膏；(3)通过刮刀在镀锡隔板上平衡移动使锡膏注入到PCB板的螺丝孔以及铜箔区上；(4)当锡压机对PCB板进行回流焊后将镀锡隔板与PCB板分离。通过镀锡隔板将锡膏注入到PCB板的螺丝孔以及铜箔区上，使螺丝孔以及铜箔区上产生了防氧化膜，有效地避免了PCB板上裸露的螺丝孔以及铜箔区长时间暴露空气中会产生氧化现象，从而对PCB板的接地性能产生影响的问题
防止 pcb 板上螺孔铜箔氧化装置及其方法

[发明专利]用于产生固有压应变的富集半导体纳米带-CN202211233120.7在审
发明人： A·阿格拉瓦尔;A·穆尔蒂;J·T·卡瓦列罗斯;R·K·保罗;G·杜威;成承训;S·高斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本文中提供了形成具有应变沟道区的半导体器件的技术。在示例中，可形成硅锗（SiGe）或锗锡（GeSn）的半导体纳米带，并且随后退火以沿着半导体纳米带的一部分向内驱动锗或锡，从而沿着一个或多个纳米带的长度增加通过中心部分的锗或锡浓度。具体而言，纳米带可具有在纳米带一端的具有第一锗浓度的第一区域、在纳米带另一端的具有基本相同的第一锗浓度（例如，在5%内）的第二区域以及在第一和第二区域之间具有高于第一浓度的第二锗浓度的第三区域。也可使用锡产生类似的材料梯度。材料成分沿着纳米带长度的变化（梯度）赋予压应变。
用于产生固有应变富集半导体纳米

[实用新型]一种基于板间连接器实现可靠搪锡的装置-CN201920813848.4有效
发明人：唐仁杰;张丙乾;赵虹;何苗 -专利权人：四川航天燎原科技有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于板间连接器实现可靠搪锡的装置，包括金属尾罩、接插区第一保护隔板、接插区第二保护隔板、绝缘体保护隔板、金属盖板、板间连接器引线、隔热板，板间连接器引线通过环氧体连接在一起，板间连接器引线表面镀金；接插区第一保护隔板、接插区第二保护隔板和绝缘体保护隔板上均开有与板间连接器引线空间位置相匹配的通孔，接插区第二保护隔板与绝缘体保护隔板之间间隙配合，板间连接器引线裸漏在该间隙空间中，对裸漏在外板间连接器引线镀金表面通过搪锡而附着一层锡本实用新型有效防护板间连接器引线根部和接插区域沾染焊锡，保证板间连接器搪锡质量一致性。
一种基于连接器实现可靠装置

[发明专利]超厚浮法玻璃的成型装置以及生产方法-CN200910227046.6无效
发明人：伍治东;黄跃云 -专利权人：湖南兴龙科技有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C03B18/02 文献下载
摘要：一种超厚浮法玻璃的成型装置以及生产方法，它属于生产浮法玻璃的生产设备以及生产方法，其特征在于在超厚浮法玻璃成型装置的锡槽高温区设置数量为6～12对的拉边机；每对拉边机的距离间隔为1.0～3.0m；生产超厚玻璃时，每个拉边机的轴线运行方向与锡槽轴线的垂线方向形成范围为0°～-20°角度；第9～12对拉边机的角度范围为0～-3°；在锡槽的高温区，边部加热区的加热功率比次边部区电加热功率多10-50千瓦；次边部加热功率比中心区的加热功率多10-50千瓦；在锡槽出口附近边部加热功率比中间区加热功率多10-40千瓦。
超厚浮法玻璃成型装置以及生产方法

[发明专利]超厚浮法玻璃的成型装置以及生产工艺-CN02152099.2无效
发明人：卢文辉;白京华;王会文;张柏忠;刘沐阳 -专利权人：深圳南玻浮法玻璃有限公司
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： C03B18/02 文献下载
摘要：一种超厚浮法玻璃的成型装置以及生产工艺，它属于生产浮法玻璃的生产设备以及生产工艺，其特征在于在超厚浮法玻璃成型装置的锡槽高温区设置数量为6～12对的拉边机；每对拉边机的距离间隔为1.0～3.0m；生产超厚玻璃时，每个拉边机的轴线运行方向与锡槽轴线的垂线方向形成范围为0°～－20°角度；第9～12对拉边机的角度范围为0～－3°；在锡槽的高温区，边部加热区的加热功率比次边部区电加热功率多10－50千瓦，次边部加热功率比中心区的加热功率多10－50千瓦；在锡槽出口附近边部加热功率比中间区加功率多10－40千瓦。
超厚浮法玻璃成型装置以及生产工艺

[实用新型]一种双芯旁路二极管-CN202223463178.9有效
发明人：陈刚;武建国 -专利权人：常州星海电子股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双芯旁路二极管，它包括第一基板和第二基板；所述第一基板上设置有第一储锡槽、第一汇流槽和铝带键合区，所述第一汇流槽设置在第一储锡槽的右侧，所述第一汇流槽的右侧内壁上设置有锯齿边，所述铝带键合区设置在第一汇流槽的右侧；所述第二基板上设置有第二储锡槽、第二汇流槽和芯粒放置区，所述第二汇流槽设置在芯粒放置区的右侧，所述第二储锡槽设置在第二汇流槽的右侧，所述芯粒放置区设置有两颗芯粒，每个所述芯粒通过一根铝带与铝带键合区电性连接
一种旁路二极管

[发明专利]一种热蒸发法制备高质量少层氧化亚锡晶体的方法-CN201910878948.X在审
发明人：宁洪龙;邓培淼;姚日晖;袁炜健;张观广;张旭;梁志豪;梁宏富;李志航;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种热蒸发法制备高质量少层氧化亚锡晶体的方法。以锡粉作为源材料，放置于管式炉中心加热区，将洗净的表面掺二氧化硅的硅片作为衬体，放置在距源材料14～18cm处；将管式炉内抽真空，然后通入Ar气；加热管式炉中心加热区温度为500～800℃进行热蒸发沉积，在衬体上得到氧化亚锡晶体。本发明利用锡粉在高温时发生热氧化反应制得氧化亚锡(2Sn+O
氧化亚锡中心加热区管式炉源材料衬体锡粉半导体材料制备技术领域加热管式炉热氧化反应热蒸发沉积二氧化硅晶体形状抽真空晶体的热蒸发树枝形硅片少层洗净

[发明专利]锡铸造模具及锡铸造机-CN202110914045.X在审
发明人：林伟文;周建新;关铿强;黄敬文 -专利权人：佛山市承安铜业有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B22C9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡铸造模具及锡铸造机，锡铸造模具包括模具主体，模具主体呈横向设置的柱状，模具主体的外周设有多个浇注区，多个浇注区沿模具主体的周向依次设置，浇注区内设有多个浇注凹腔。锡铸造机包括基架以及上述的锡铸造模具，基架上设有浇注器，浇注器设有容纳腔和多个浇注口；其中一个凹腔组称为第一组件，第一组件设于模具主体的顶部，多个浇注口一一对应设置于第一组件的多个浇注凹腔的上方。通过设置上述的锡铸造模具，铸造过程中无需合模、分膜，能连续进行浇铸，生产效率高；使用时，可在容纳腔内加入锡液，锡液能从多个浇注口注入多个浇注凹腔内，便于对多个浇注凹腔注入锡液。
铸造模具

[实用新型]锡铸造模具及锡铸造机-CN202121864203.7有效
发明人：林伟文;周建新;关铿强;黄敬文 -专利权人：佛山市承安铜业有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B22C9/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锡铸造模具及锡铸造机，锡铸造模具包括模具主体，模具主体呈横向设置的柱状，模具主体的外周设有多个浇注区，多个浇注区沿模具主体的周向依次设置，浇注区内设有多个浇注凹腔。锡铸造机包括基架以及上述的锡铸造模具，基架上设有浇注器，浇注器设有容纳腔和多个浇注口；其中一个凹腔组称为第一组件，第一组件设于模具主体的顶部，多个浇注口一一对应设置于第一组件的多个浇注凹腔的上方。通过设置上述的锡铸造模具，铸造过程中无需合模、分膜，能连续进行浇铸，生产效率高；使用时，可在容纳腔内加入锡液，锡液能从多个浇注口注入多个浇注凹腔内，便于对多个浇注凹腔注入锡液。
铸造模具

[实用新型]新型镍片结构-CN201020588475.4有效
发明人：陈福华 -专利权人：惠州市蓝微电子有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01M2/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型镍片结构，包括设有开孔区的镍片体，开孔区上开有多个开孔，其特征在于：所述开孔之间呈球栅形阵列。所述开孔横截面呈圆形或椭圆形。所述开孔区开有15个开孔，15个开孔按照5列、3行等距排列。新型镍片结构将镍片体的开孔排列形式由“田”字型改为开孔之间呈球栅形阵列，这使得在点焊镍片工艺中可以做到焊盘锡量均衡并有足够空间使锡量扩散，有效减少单个焊盘锡量，使锡膏松香能进行有效挥发，解决点焊炸锡不良现象
新型结构

[实用新型]钼铜复合热压头-CN202020273585.5有效
发明人：唐荣开 -专利权人：苏州市美好精密机械有限公司
申请日： 2020-03-08 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B23K3/053 文献下载
摘要：本实用新型公开了锡焊技术领域的钼铜复合热压头，包括主体发热区，所述主体发热区的左侧设置热电偶，所述主体发热区的前端外壁设置感温线固定片，所述感温线固定片的内壁设置高温套管，且热电偶中热电偶线束穿过高温套管的内壁，所述主体发热区的底部设置焊锡区，主体发热区采用钼基质合金，在瞬间大电流的条件下，可以实现快速发热升温，且热变形小，频繁的快速升温下能够保持较长的使用寿命，焊锡区采用铜基质合金，良好的导热性能下能够实现快速的升温，且经过特殊的镀层处理，能够实现粘锡功能，可以实现产品焊点一致，无虚焊无拉丝，同时底部设置粘锡结构，可以更好的实现产品的满焊效果。
复合压头

[发明专利]固定晶圆的表面粘贴方法、SMT印刷钢网及晶圆固定装置-CN201710681380.3在审
发明人：林永强;艾米塔;陈勃宏;甘景文;麦子永;陈钦生;王鹏;罗尔·A·罗夫莱斯;郑瑞育;吴进瑜;商峰旗 -专利权人：乐依文半导体（东莞）有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种固定晶圆的表面粘贴方法，用于将晶圆固定粘贴于基板上，包括以下步骤在所述基板上的一次锡膏印刷区印刷锡膏以形成一次锡膏层；加热并冷却所述基板以使所述一次锡膏层中的助焊剂挥发；在冷却后的所述一次锡膏层上的二次锡膏印刷区印刷锡膏以形成二次锡膏层，所述二次锡膏层的面积小于所述一次锡膏层；将晶圆通过二次锡膏层粘贴在所述基板上，对粘贴有晶圆的基板进行回流焊接以将所述晶圆固定粘贴于所述基板上。与现有技术相比，本发明将一部分锡膏在未粘贴时加热使其助焊剂挥发，有效减少了粘贴后加热产生气泡大小数量，使得本发明可用于薄晶圆的固定粘贴。本发明还公开了一种SMT印刷钢网和SMT晶圆固定装置。
固定表面粘贴方法 smt 印刷装置

[发明专利]SMT部品的焊盘结构及实装方法和线路板-CN201410310190.7在审
发明人：高桥亘 -专利权人：广东美的集团芜湖制冷设备有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：一种SMT部品的焊盘结构及实装方法和线路板，焊盘结构包括至少两个设置于一基板表面的焊盘，所述SMT部品包括本体以及设置于该本体相对两端的第一电极和第二电极，所述焊盘上设置一用于限制液体锡流动的阻焊区，所述第一电极和所述第二电极分别焊接于两个所述焊盘上后，与所述阻焊区至少部分相对。SMT部品的焊盘结构及实装方法通过在焊盘上设置阻焊区，利用阻焊区限制融化后成为液体锡膏的流动方向，向着焊盘或者电极处移动并粘附，使得SMT部品两个相对的电极上粘附的液体锡膏相当，使得两个相对的电极间的因液体锡膏的粘附而产生应力差较小
smt 盘结实装方法线路板

[实用新型]SMT部品的焊盘结构和线路板-CN201420360979.9有效
发明人：高桥亘 -专利权人：广东美的集团芜湖制冷设备有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种SMT部品的焊盘结构和线路板，焊盘结构包括至少两个设置于一基板表面的焊盘，所述SMT部品包括本体以及设置于该本体相对两端的第一电极和第二电极，所述焊盘上设置一用于限制液体锡流动的阻焊区，所述第一电极和所述第二电极分别焊接于两个所述焊盘上后，与所述阻焊区至少部分相对。SMT部品的焊盘结构通过在焊盘上设置阻焊区，利用阻焊区限制融化后成为液体锡膏的流动方向，向着焊盘或者电极处移动并粘附，使得SMT部品两个相对的电极上粘附的液体锡膏相当，使得两个相对的电极间的因液体锡膏的粘附而产生应力差较小
smt 盘结线路板

[实用新型]半导体封装框架及结构-CN202221267194.8有效
发明人：刘必华;钟佳鑫;高红梅;朱卫华;王佐君 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：半导体封装框架包括框架本体以及位于框架本体上的溢流槽和阻流结构，框架本体上设置有用于焊接芯片的焊接区，溢流槽间隔设置于焊接区的外侧，阻流结构邻接于溢流槽背离焊接区的一端，且阻流结构的上表面高于框架本体的上表面采用本实用新型提供的半导体封装框架并利用锡膏焊接芯片时，焊接过程中熔融的多余锡膏料会向外流到溢流槽中，并被阻流结构阻挡其继续外溢，使得锡膏的溢流范围被控制在溢流槽和焊接区之间，由此可以有效缩减芯片到框架边缘的距离，有助于封装器件的进一步小型化，同时有效避免锡膏外溢导致的污染，可以有效降低封装风险。
半导体封装框架结构