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[实用新型]一种抗光衰的高可靠性Lamp LED-CN201620043400.5有效
发明人：陈业宁 -专利权人：江门市江海区凯辉光电器材厂有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗光衰的高可靠性Lamp LED，包括镀银铜的管体、设于管体上的LED芯片、正极铜引脚和负极铜引脚，正极铜引脚和负极铜引脚均粘合有绝缘胶固定于管体上，正极铜引脚和负极铜引脚均通过金线与LED芯片连接形成串联接线，管体的顶部设有覆盖LED芯片、金线、正极铜引脚和负极铜引脚与管体连接端面的发光层，发光层以硅胶灌封并于硅胶顶面设有防硫层。管体为镀银铜体，可作为散热体，有效减少光衰，管体可以适应不用环境直接通电发光工作，光从顶部出光，光效好，出光率达99%以上，光斑均匀，不用二次配光；正、负极铜引脚通过金线也能散走部分热量，以绝缘胶粘合正、负极铜引脚可固定正、负极铜引脚在管体上，保证ELD的正常通电工作。
一种抗光衰可靠性 lamp led

[实用新型]新型共阴二极管封装结构-CN202021163233.0有效
发明人：郑文江;许海东 -专利权人：江苏晟华半导体有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型共阴二极管封装结构，包括：基体；铜基板，所述铜基板连接于基体上；芯片，两个所述芯片并排焊接于铜基板上；阳极引脚，所述阳极引脚头部通过铜连臂焊接于芯片上；阴极引脚，所述阴极引脚头部焊接于铜基板上，所述阴极引脚位于两个阳极引脚中间；其中，所述阳极引脚头部和铜连臂一体式设置。
新型二极管封装结构

[发明专利]利用支撑工装生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法-CN202310212826.3在审
发明人：井敏;张继东;施纯锡;冯家伟 -专利权人：福建华清电子材料科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用支撑工装生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，包括以下步骤：SA、制成若干单元覆铜基板；SB、对引脚铜箔的一个表面进行氧化，在该表面形成氧化层；SC、将单元覆铜基板放置在印刷支撑工装上，将引脚铜箔具有氧化层的一个表面与单元陶瓷基板贴合，然后共烧结，冷却后得到带引脚的陶瓷覆铜基材，引脚铜箔大于单元陶瓷基板，使得引脚铜箔突出于陶瓷基板而形成引脚；SD、将带引脚的陶瓷覆铜基材放置在印刷支撑工装上，印刷支撑工装具有可升降的支撑部，引脚铜箔突出于单元覆铜基板的部分受到支撑部的支撑，贴膜曝光显影时引脚得到支撑而不会变形，进而能够生产带引脚陶瓷覆铜基板。
利用支撑工装生产引脚陶瓷覆铜基板方法

[发明专利]一种底填料填充的FCQFN封装件及其制作工艺-CN201310275256.9在审
发明人：徐召明;谌世广;钟环清;朱文辉;王虎 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种底填料填充的FCQFN封装件及其制作工艺，所述封装件主要由裸铜框架、正面铜凹槽、阻挡凸块、内引脚凸块、内引脚镍钯金、底填料、芯片、锡银凸点、外引脚凸块、塑封料和锡球组成。所述裸铜框架包括阻挡凸块、内引脚凸块和外引脚凸块，阻挡凸块和内引脚凸块之间是正面铜凹槽，内引脚凸块上镀有内引脚镍钯金，并通过内引脚镍钯金与芯片上的锡银凸点粘接；所述底填料包围了内引脚凸块、芯片的锡银凸点及芯片的下表面；所述内引脚凸块背面为外引脚凸块，外引脚凸块上有锡球，裸铜框架有背面铜凹槽，背面铜凹槽在外引脚凸块两侧，塑封料填充于背面铜凹槽中；芯片、锡银凸点、内引脚镍钯金、内引脚凸块、外引脚凸块和锡球构成了电源和信号通道
一种填料填充 fcqfn 封装及其制作工艺

[实用新型]一种底填料填充的FCQFN封装件-CN201320393209.X有效
发明人：徐召明;谌世广;钟环清;朱文辉;王虎 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种底填料填充的FCQFN封装件，所述封装件主要由裸铜框架、正面铜凹槽、阻挡凸块、内引脚凸块、内引脚镍钯金、底填料、芯片、锡银凸点、外引脚凸块、塑封料和锡球组成。所述裸铜框架包括阻挡凸块、内引脚凸块和外引脚凸块，阻挡凸块和内引脚凸块之间是正面铜凹槽，内引脚凸块上镀有内引脚镍钯金，并通过内引脚镍钯金与芯片上的锡银凸点粘接；所述底填料包围了内引脚凸块、芯片的锡银凸点及芯片的下表面；所述内引脚凸块背面为外引脚凸块，外引脚凸块上有锡球，裸铜框架有背面铜凹槽，背面铜凹槽在外引脚凸块两侧，塑封料填充于背面铜凹槽中；芯片、锡银凸点、内引脚镍钯金、内引脚凸块、外引脚凸块和锡球构成了电源和信号通道
一种填料填充 fcqfn 封装

[实用新型]一种一体化锰铜分流器-CN201921893736.0有效
发明人：袁郭竣;潘琳斌;张瑞 -专利权人：宁波泰丰源电气有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G01R11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种一体化锰铜分流器，包括锰铜分流器主体和接线柱，所述锰铜分流器主体的两端分别点焊在接线柱上，所述锰铜分流器主体中部开设有开口，所述开口两边的锰铜分流器主体上分别点焊有电流输入引脚，所述电流输入引脚左侧的锰铜分流器主体上开设有电压输入引脚，所述电流输入引脚右侧以及电压输入引脚左侧的锰铜分流器主体上分别开设有检测引脚。本实用新型所述的一种一体化锰铜分流器，电流输入引脚分开锰铜分流器开口处两边设置，抵消感应磁场，增加数据输入的准确性。
一种一体化分流器

[发明专利]一种高压芯片的封装结构-CN202210223912.X在审
发明人：张光耀;谭小春 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供的一种高压芯片的封装结构，包括高压芯片，与所述高压芯片的背面连接的第一铜垫，与第一铜垫连接的第一外引脚，与所述高压芯片的有源面连接的第二外引脚，所述高压芯片与所述第一铜垫之间设有铜薄膜层，所述高压芯片通过所述铜薄膜层与所述第一铜垫连接；设置一包封体，所述高压芯片、第一铜垫、第一外引脚、第二外引脚、铜薄膜层均设置于一包封体内，且所述第一外引脚与所述第二外引脚裸露在所述包封体外表面。
一种高压芯片封装结构

[发明专利]一种整流桥器件及其制作方法-CN201710667945.2在审
发明人：王成森;潘建英;周榕榕 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流桥器件，其基板的正面设有绝缘层，共阴极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板I，铜基板I的右侧延伸有引脚I，共阳极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板II，铜基板II的右侧延伸有引脚II，铜基板I和铜基板II的左侧设有L形的铜引脚I和铜引脚II，铜引脚I和铜引脚II的两端通过键合引线分别与共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片连接，铜基板及铜引脚均设于绝缘层上。
一种整流器件及其制作方法

[实用新型]一种整流桥器件-CN201720978573.0有效
发明人：王成森;潘建英;周榕榕 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种整流桥器件，其基板的正面设有绝缘层，共阴极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板I，铜基板I的右侧延伸有引脚I，共阳极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板II，铜基板II的右侧延伸有引脚II，铜基板I和铜基板II的左侧设有L形的铜引脚I和铜引脚II，铜引脚I和铜引脚II的两端通过键合引线分别与共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片连接，铜基板及铜引脚均设于绝缘层上。
一种整流器件

[实用新型]高散热智能功率模块-CN202120671462.1有效
发明人：林志坚;王海;曾新勇;敖利波;张华洪 -专利权人：康惠(惠州)半导体有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种高散热智能功率模块，包括绝缘胶块、陶瓷基板及功率组件，陶瓷基板包括陶瓷体、焊接铜层及散热铜层，焊接铜层设置于陶瓷体的一侧面上，且焊接铜层及陶瓷体均位于绝缘胶块内，散热铜层设置于陶瓷体的另一侧面上，且散热铜层部分位于绝缘胶块内，功率组件包括功率芯片、IC芯片、功率引脚、控制引脚及金属键合线，功率芯片及IC芯片间隔设置于焊接铜层上，功率引脚设置于焊接铜层上，且功率引脚部分位于绝缘胶块内，控制引脚部分容置于绝缘胶块外，金属键合线分别与控制引脚及焊接铜层连接，将IC芯片焊接到焊接铜层上，使得热量能够通过散热铜层散发，提高散热效果，控制引脚利用金属键合线连接至焊接铜层，避免出现脱焊问题，提高模块的质量。
散热智能功率模块

[实用新型]一种高压芯片的封装结构-CN202220506865.5有效
发明人：张光耀;谭小春 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种高压芯片的封装结构，包括高压芯片，与所述高压芯片的背面连接的第一铜垫，与第一铜垫连接的第一外引脚，与所述高压芯片的有源面连接的第二外引脚，所述高压芯片与所述第一铜垫之间设有铜薄膜层，所述高压芯片通过所述铜薄膜层与所述第一铜垫连接；设置一包封体，所述高压芯片、第一铜垫、第一外引脚、第二外引脚、铜薄膜层均设置于一包封体内，且所述第一外引脚与所述第二外引脚裸露在所述包封体外表面。
一种高压芯片封装结构

[实用新型]汇流检流排-CN201720791833.3有效
发明人：吕葵;李国亮;张磊 -专利权人：蚌埠市双环电子集团股份有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01R25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开汇流检流排，包括相连接的汇流排与检流电阻，检流电阻包含锰铜检流电阻体与四个引脚，四个引脚中第一引脚及第二引脚均是位于锰铜检流电阻体一侧长边的插针式结构，且与锰铜检流电阻体呈90°弯折；第三引脚位于锰铜检流电阻体的一侧短边，且与锰铜检流电阻体呈90°弯折；第四引脚位于锰铜检流电阻体的另一侧短边，且与锰铜检流电阻体在同一平面；第一引脚及第二引脚分别与第三引脚朝向相反，且所在平面与第三引脚所在平面相垂直；检流电阻通过第四引脚与汇流排相焊接，第一引脚及第二引脚均用于和PCB检流控制面板直接焊接，第三引脚用于和插接式接线器相插接；不会出现局部发热过高的问题，保证了产品检流精度，排线便捷整洁。
汇流检流排

[发明专利]一种MOS芯片封装结构及其封装方法-CN202310312806.3有效
发明人：张西刚 -专利权人：深圳市深鸿盛电子有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请涉及一种MOS芯片封装结构及其封装方法，封装结构包括基板、漏极引脚、源极引脚、栅极引脚、MOS芯片、源极铜夹、栅极铜夹和塑封体；MOS芯片正装地固定在基板上，使漏极与基板电连接，漏极引脚与基板一体连接，源极铜夹用于连接源极和源极引脚，栅极铜夹用于连接栅极和栅极引脚；源极铜夹为非对称结构，多个边缘通过撕裂成型有第一支撑部。本申请采用铜夹来实现芯片与引脚的电连接，铜夹面积大，更利于散热；在源极铜夹的多个边缘设置的第一支撑部能够有效防止源极铜夹倾斜，不易出现虚焊和未焊等状况，能提高焊接质量；采用撕裂成型的方式制作出第一支撑部
一种 mos 芯片封装结构及其方法

[实用新型]一种改良型大功率贴片二极管-CN202020841349.9有效
发明人：林茂昌 -专利权人：上海金克半导体设备有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种改良型大功率贴片二极管，其由芯片和两个铜引脚焊合后再采用封装料封装而成；两个铜引脚采用厚度一直的铜片按照一定的要求弯曲成形，在与芯片焊合的部位冲制有凸点以及在冲制凸点时所形成的凹坑，在所述凹坑内填充有与所述凹坑形状像适配且用于增加散热面积的铜粒，其特征在于，两个铜引脚上的凹坑的开口均朝背离重力的方向，且所述芯片上面的一个铜引脚中的凸点和所述芯片下面的一个铜引脚的凹坑内的铜粒与芯片的两极焊合本实用新型的两个铜引脚中的凹坑均朝向背离重力的方向，在封装过程中，两个铜引脚的凹坑中的铜粒不会掉出来，在封装过程中，不会因为焊锡熔化而使得铜粒掉出来，从而具有方便操作，提高生产效率。
一种改良大功率二极管

[实用新型]一种抗工频磁场影响的重叠锰铜分流器-CN201220463070.7有效
发明人：陈志忠 -专利权人：合肥和旭继电科技有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G01R15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗工频磁场影响的重叠锰铜分流器，该分流器是由两块紫铜和一块锰铜a组成，所述锰铜a的两端分别对接一块紫铜，其中一块紫铜还预留信号引脚，其特征在于：所述锰铜a上方表面黏贴有一块绝缘层，所述绝缘层上方设有另一块锰铜b；所述锰铜b设有连线；所述锰铜b的厚度小于锰铜a的厚度；所述锰铜a和锰铜b分别设有信号引脚a和信号引脚b；所述信号引脚a和信号引脚b相互垂直。本实用新型通过双层锰铜同型，同位置引出信号线，工频影响相同，其增加的电压相同，信号线采集的增量相同，可抗工频磁场影响，使其功耗小于4W，从而符合国家标准。
一种抗工频磁场影响重叠分流器

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