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[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用-CN201310258989.1有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
一种异质结隧道及其制备方法应用

[发明专利]一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法-CN202210609168.7在审
发明人：王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法。该极化增强的异质结型铁电神经突触器件包括：衬底；底层电极，形成在所述衬底上；无机铁电功能层，覆盖所述底层电极；有机铁电功能层，覆盖所述无机铁电功能层；顶层电极，形成在所述有机铁电功能层上，利用有机铁电功能层与无机铁电功能层形成异质结，使器件铁电极化增强，扩大突触权重调制区间。
一种极化增强异质结型铁电神经突触器件及其制备方法

[发明专利]一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件-CN201711079721.6有效
发明人：代波;李俊;任勇 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件。所述铁电异质结包括顺序接触的电极层、压电基底层、缓冲层、交换偏置多层膜和保护层，其中，所述交换偏置多层膜为[铁磁层/反铁磁层]N，N为周期数，且N≥2，所述铁磁层为磁致伸缩系数较小的铁磁性材料本发明能够提供一种新型的含有铁磁/反铁磁交换偏置多层膜的铁电异质结；还能够对磁致伸缩系数较小的磁性薄膜高频性能进行大范围调节，进而获得良好的高频磁性的铁电异质结。本发明的铁电异质结具有广泛的用途，例如，可可用于新一代的电控微波电子元器件。
一种铁电异质结及其制备方法微波电子元器件

[发明专利]基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法-CN201710313107.5有效
发明人：高兴森;姚竣翔 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层，所述铁电层为BiFeO
基于铁磁异质结电控磁型存储器及其制备方法

[发明专利]量子点异质结及其应用-CN201910694796.8在审
发明人：黄伟 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了量子点异质结及其应用。其中，量子点异质结包括量子点吸光层和多铁/铁电功能层，量子点吸光层的材料为量子点材料，多铁/铁电功能层的材料为多铁材料或者铁电材料。首先，该功能层的引入有利于提高量子点吸光层内的光生载流子的分离效率；其次，该功能层具有较高的表面电阻和介电常数，使异质结界面处电阻率极高，可以有效降低异质结界面处的电子转移，提高量子点吸光层的电子传输效率；最后，多铁材料或铁电材料内的铁电畴有残余铁电极化，可形成内部的“退极化电场”，能够提供“电子空穴对”分离的驱动力，减少载流子的复合几率，提高“光生电流”。因此应用本发明量子点异质结的光电器件的光电转化效率得到显著地提升。
量子点功能层吸光层异质结异质结界面多铁材料铁电材料铁电载流子电子传输效率光电转化效率光生载流子量子点材料电场表面电阻电子空穴电子转移分离效率复合几率光电器件光生电流介电常数铁电极化电阻率驱动力铁电畴退极化应用引入

[发明专利]选择性刻蚀铁电基光催化材料以定向构筑异质结构的方法-CN201610801007.2在审
发明人：刘岗;马丽;甄超;杨勇强;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： B01J37/10 文献下载
摘要：本发明涉及光催化领域，具体为一种选择性刻蚀铁电基光催化材料以定向构筑异质结构的方法。利用半导体铁电材料(钛酸钡、钛酸铅、铁酸铋等)中的铁电场诱导表面带电属性的差异，导致带负电性的酸根离子优先选择性地吸附在带正电荷表面，实现对铁电材料表面选择性刻蚀定向构筑异质结构光催化剂。将半导体铁电材料放入含有刻蚀性酸的水溶液中，通过水热处理过程实现铁电材料表面的选择性刻蚀，在铁电基体材料表面定向构筑异质结构，调节酸的种类、浓度以及水热处理温度获得最优光催化性能。异质结构的定向构筑有利于光生载流子的定向分离，可有效提高异质结构的光催化活性，是光催化领域的重点研究方向。
选择性刻蚀铁电基光催化材料定向构筑结构方法

[发明专利]一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管-CN201110251405.9无效
发明人：朱俊;郝兰众;李言荣;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，属于微电子技术领域。包括(0001)晶向的GaN薄膜和AlxGa1-xN(0＜x≤1)薄膜形成的GaN异质结；在AlxGa1-xN薄膜上具有栅、源、漏电极，在栅电极与AlxGa1-xN薄膜之间具有栅介质薄膜；所述栅介质薄膜或者是LiNbO3(LNO)铁电薄膜、或者是LiTaO3(LTO)铁电薄膜、或者是M元素掺杂的LNO或LTO铁电薄膜。由于LNO或LTO铁电薄膜中的C+方向铁电自发极化的作用，导致AlGaN/GaN异质结中的2DEG被完全耗尽，从而使得本发明提供的铁电薄膜栅GaN异质结场效应晶体管表现出常关特征，即形成增强型器件。本发明提供的铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管具有结构简单的特点，且实现工艺简单、重复性好、稳定性和可靠性高。
一种薄膜增强 gan 异质结场效应晶体管

[发明专利]一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法-CN201210394318.3无效
发明人：刘秋香;马才兵;唐新桂;蒋艳平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法，其低漏电流半导体薄膜异质结是在基底上沉积具有钙钛矿结构的弱铁电性薄膜层，然后在铁电薄膜层上再沉积多铁性薄膜，形成ABO3型多铁性薄膜／ABO3铁电薄膜／基底异质结薄膜结构，结合合适的气氛和退火工艺，此薄膜异质结的漏电流密度比单层ABO3型多铁薄膜的漏电流密度低约3至5个数量级。
一种漏电半导体薄膜异质结制备方法

[发明专利]一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法-CN201410098676.9在审
发明人：黄文;杨骏珏;曾慧中;高关胤;郝建华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法，属于材料技术领域。该低漏电流半导体薄膜异质结是在GaAs基片上沉积铌掺杂的钛酸锶作为缓冲层，然后在缓冲层上沉积铁电氧化物薄膜，形成铁电氧化物/NSTO缓冲层/GaAs基底异质结薄膜结构，其中缓冲层NSTO和铁电氧化物薄膜均采用激光脉冲沉积法制备本发明制得的薄膜异质结有较低的界面态密度，良好的整流特性，较低的漏电流。
一种漏电半导体薄膜异质结及其制备方法

[发明专利]一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法-CN201910374122.X在审
发明人：李效民;黎冠杰;陈永博;朱秋香;赵俊亮;高相东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法，所述异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及依次生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的MgO外延薄膜界面层和BaTiO3铁电薄膜栅介质。
一种用于铁电栅 gan 增强 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种构建二维范德华多铁性异质结器件的方法-CN202310630703.1在审
发明人：齐云飞;王汉文;韩拯;刘健鹏 -专利权人：中国科学院金属研究所;上海科技大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种构建二维范德华多铁性异质结器件的方法，以及采用该方法设计的二维范德华多铁性异质结器件。该方法以二维层状铁电材料作为铁电绝缘层，以二维层状铁磁材料作为沟道材料，以二维层状绝缘材料作为封装层，以二维层状金属材料作为栅极层和接触电极层，利用二维层状铁电材料的铁电性及二维层状铁磁材料的铁磁性，基于二维层状材料无悬挂键的特点，实现具有多铁性的二维范德华异质结器件的构建。该方法工艺简单，可以摆脱传统三维块体多铁异质结外延生长所需的晶格匹配、高温等严苛条件，能够获得性能优异、稳定可控、具有多铁性的二维范德华异质结器件。
一种构建二维范德华多铁性异质结器件方法

[发明专利]一种改性锌金属负极及其方法-CN202310541040.6在审
发明人：李爱东;昌绍忠;付丽玲;丁文娟;吴迪;矫佩杰 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性锌金属负极及其方法，属于水系锌离子电池负极技术领域，本发明使用水热方法制备异质结铁电材料，然后将铁电材料覆盖在锌金属负极上，得到铁电材料改性的锌金属负极；本发明中异质结铁电材料包括铁电材料和亲锌材料，铁电材料由于自发极化的特性，与极化方向相反的带负电的铁电体表面在镀锌过程中会吸引大量的锌离子，铁电效应改善了反应界面处电场分布和离子传输；制备的异质结铁电材料具有高介电常数、高击穿电压和良好的界面相容性
一种改性金属负极及其方法

[发明专利]一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法-CN202110756423.6在审
发明人：郑明;关朋飞;郭立童 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法，属于电子元件领域。其具有(111)取向的高性能PMN‑PT铁电单晶衬底，高性能PMN‑PT铁电单晶衬底上表面设有外延生长特性的钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜；通过控制施加在该多铁异质结构上的直流电场强度，使得高性能PMN‑PT铁电单晶衬底诱导出压电应变，该应变通过刚性的外延界面传递至钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜，从而实现当直流电场撤去时LaVO铁磁/铁电多铁异质结构方法简单，生产方便，具有广泛的实用性。
一种反铁磁铁电多铁异质结构及其制备方法

[发明专利]一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法和应用-CN202310479723.3在审
发明人：陈思怡;陈明明;朱高雅;陈思学;程培宇 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法和应用，属于信息技术领域；本发明通过在Si硅衬底表面上制备铁电薄膜材料，然后在Si硅衬底和铁电薄膜材料上沉积薄金属电极来构建硅基铁电异质结光电探测器；所述硅基铁电异质结光电探测器能够实现紫外‑可见‑近红外宽光谱和波长可选择光探测的目的，其在300‑900nm宽光谱和300‑340nm紫外/380‑900nm可见光‑近红外波长下均可进行可选择光探测，具有很强的工业实用性
一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件及制备方法-CN201210327259.8有效
发明人：朱俊;郝兰众;吴志鹏;李言荣;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件及制备方法，涉及微电子材料和异质结构半导体技术领域。本发明包括半导体衬底基片和铁电薄膜，衬底基片和铁电薄膜之间设置有纳米缓冲层。本发明具有不同ZnO缓冲层厚度的异质结构表现出不同的电容-电压回线特征。
薄膜缓冲半导体集成器件制备方法

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