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[发明专利]一种长距离跨平面键合金线连接方法-CN202210321124.4在审
发明人：毛俊程;席东学;赵椿芳;黄芳;王振兴;潘祖凯;沈建宏;程顺昌;孔风连 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本申请涉及空间应用技术领域，具体而言，涉及一种长距离跨平面键合金线连接方法，包括如下步骤：步骤1：选择金线，对金线进行检验测试，选择出合适的金线；步骤2：将金线的一端在质量块中心位置进行键合，形成第一键合点；步骤3：使用牵引工装吸附牵引金线，使金线的另一端穿过上电极板的中心孔；步骤4：调整金线的长度和弧度；步骤5：将金线的另一端在固定块表面进行键合，形成第二键合点；步骤6：使用胶液对第一键合点和第二键合点的脖颈处进行加固，完成长距离跨平面键合金线连接。本申请实现了金线在静电悬浮加速度计敏感结构内高可靠连接，满足空间探测设备环境试验要求，通过静电吸附手段，达到金线无损牵引。
一种长距离平面合金连接方法

[发明专利]一种多晶串联LED用微细银金合金键合线的制造方法-CN201410530083.5有效
发明人：曹军;范俊玲;杨雪梅;李科;张跃敏;吕长春 -专利权人：河南理工大学;焦作大学;河南优克电子材料有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C22F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶串联LED用微细银金合金键合线的制造方法，该银金合金键合线材料的各成分重量百分含量是：Au35-55wt%，Ce0.3-0.5wt%，Ag余量。其制造方法包括：（1）银金合金键合线坯料的冶炼与连铸；（2）银金合金杆的拉制；（3）银金合金线的中间热处理。本发明改善普通银金合金键合线的烧球偏球及变尖现象，提高银金合金键合线的抗腐蚀性能，解决了多晶串联LED，其键合点尺寸较小，键合过程中第一焊点球形不规则极易导致焊点短路、键合强度下降等缺陷。
一种多晶串联 led 微细合金键合线制造方法

[发明专利]具有金包覆层的金镓钴合金复合键合丝及其制造方法-CN201711332221.9在审
发明人：周振基;周博轩;于锋波;彭政展;麦宏全 -专利权人：汕头市骏码凯撒有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种具有金包覆层的金镓钴合金复合键合丝，其特征在于包括芯线和包覆在芯线外面的金包覆层；所述芯线按重量计含有Ga 3‑8%，Co 0.02‑1.5%，余量为金；所述金包覆层的厚度为20‑200nm。本发明还提供上述具有金包覆层的金镓钴合金复合键合丝的一种制造方法。本发明的金镓钴合金复合键合丝提升机台适应能力，并减少打线机的调机时间，具有优异的抗氧化性能和抗硫化性能，抗拉强度高，焊点接合性好。
覆层金包复合键钴合金芯线焊点机台抗氧化性能打线机接合性抗硫化重量计包覆调机制造

[发明专利]一种封装打线的键合方法-CN201910969417.1有效
发明人：高峰;戴伟峰 -专利权人：闳康技术检测（上海）有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及芯片封装打线技术领域，公开了一种封装打线的键合方法，包括如下步骤：S1，在铝电极的待键合区域涂抹导电胶；S2，在金线的端部压设多个凹槽；S3，将金线设置有凹槽的端部埋设在导电胶内，并与铝电极抵紧；S4，通过超声波加热金线、铝电极以及导电胶，使导电胶固化，并使金线与铝电极键合；S5，截断多余的金线，采用导电胶保证铝电极与金线之间的电连接，由凹槽增加金线与导电胶之间的接触面积，从而提升金线与铝电极之间键合的稳定程度，不易脱键，可靠性高。
一种封装方法

[发明专利]一种高带宽和低反射的同轴光发射器件-CN202010638518.3在审
发明人：王昊;王昌日;张舜;袁茹月 -专利权人：大连藏龙光电子科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种高带宽和低反射的同轴光发射器件，包括同轴线型阻抗控制构造、共面波导微带线型阻抗控制构造以及二者之间的连接部分构造，所述连接部分构造包括金线键合信号路径和金线键合接地回路，金线键合信号路径位于金线键合接地回路内，金线键合接地回路将金线键合信号路径上高速信号所产生的电磁场束缚在起内部。本发明的连接部分构造可将在金线键合信号路径上传递的高速信号所产生的电磁场束缚在接地回路内，可以减少电磁场能量的外泄，并且能够在不增加零件的情况下，提高带宽和降低反射，使其在高速信号中满足带宽和反射的性能要求
一种宽和反射同轴发射器件

[实用新型]一种高带宽和低反射的同轴光发射器件-CN202021292540.9有效
发明人：王昊;王昌日;张舜;袁茹月 -专利权人：大连藏龙光电子科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种高带宽和低反射的同轴光发射器件，包括同轴线型阻抗控制构造、共面波导微带线型阻抗控制构造以及二者之间的连接部分构造，所述连接部分构造包括金线键合信号路径和金线键合接地回路，金线键合信号路径位于金线键合接地回路内，金线键合接地回路将金线键合信号路径上高速信号所产生的电磁场束缚在起内部。本实用新型的连接部分构造可将在金线键合信号路径上传递的高速信号所产生的电磁场束缚在接地回路内，可以减少电磁场能量的外泄，并且能够在不增加零件的情况下，提高带宽和降低反射，使其在高速信号中满足带宽和反射的性能要求
一种宽和反射同轴发射器件

[发明专利]一种金包银键合线的制备方法-CN202110450753.2有效
发明人：刘玉霞;赵南南;张志显;孙华雨;闫志强;苏敏 -专利权人：河南机电职业学院
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C10/20 文献下载
摘要：本发明提供一种金包银键合线的制备方法，包括以下步骤：以线径为15μm～30μm的银线坯作为坯料；将纳米金加入稳定溶剂中，超声30min～60min，制成纳米金浸镀液；将银线坯浸在纳米金浸镀液中，采用真空加热浸镀或红外加热浸镀的方式，使金银接触面形成稳定的合金层；采用真空加热烘干或真空红外烘干的方式处理上述浸镀后的银线坯，形成一体化的金包银键合线；对上述所得金包银键合线进行退火处理，即得。本发明制备方法使纳米金和银线进行纳米级别的接触，形成牢固的金银合金过渡层，制备的金包银键合线金层均匀可控、金银界面结合力强，且生产工艺环保，同时焊接性较好，抗氧化性优良，传导性优异，键合线的可靠性总体较优
一种包银键合线制备方法

[发明专利]利用大角度导线键合和非金键合线进行半导体器件封装-CN202210734699.9在审
发明人： B-H·潘;C-C·李;H-Y·周;S·M·奥康纳;B·L·威廉姆斯;J·A·韦斯特;Z-X·展;S-W·黄 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请公开了利用大角度导线键合和非金键合线进行半导体器件封装。在所描述的示例中，一种装置(图2，200)包括：封装衬底(220)，其具有管芯安装部分和与管芯安装部分间隔开的引线部分；在管芯安装部分之上的半导体管芯(105)，半导体管芯在背离封装衬底的有源表面上具有键合焊盘；非金键合线(110、109)，其形成在键合焊盘中的至少一个和封装衬底的引线部分中的一个之间的电连接；键合针脚，其位于在非金键合线(109)中的一个和半导体管芯的键合焊盘(223)之间形成的凸块连接上，包括形成在弯曲螺柱凸块(211)上的针脚键合(205)；以及电介质材料(203)，其覆盖封装衬底的一部分、半导体管芯、非金键合线、针脚键合以及弯曲螺柱凸块，从而形成封装的半导体器件。
利用角度导线非金键合线进行半导体器件封装

[实用新型]一种封装场效应管的内部引线结构-CN201020566724.X无效
发明人：段康胜 -专利权人：宁波明昕微电子股份有限公司
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种封装场效应管的内部引线结构，包括焊接在场效应管内部的芯片金属表面上的三根键合线，其特征在于：所述三根键合线中与芯片的源极相连的两根键合线采用铝线焊接，与芯片的门极相连的键合线采用金线焊接与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过将与芯片的门极相连的键合线采用金线代替铝线，金线的直径最小可以做到1mils，不仅能有效缩小芯片面积，还能保证键合线的电性能，芯片面积缩小了，产品整体成本不会受到影响
一种封装场效应内部引线结构

[实用新型]一种保护电源蓄电的瞬态系统-CN201721460476.9有效
发明人：李金涛;于海波;张承军;谢秀镯;夏小康;王椿 -专利权人：宁波尚进自动化科技有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种保护电源蓄电的瞬态系统，用以解决现有技术在金线键合机断电保护系统成本昂贵的问题。该系统包括：外部电源，用于给金线键合机供电；电源管理单元，与所述外部电源连接，用于当检测到所述外部电源停止供电时发出IO信号；蓄电单元，与所述电源管理系统连接，用于在所述外部电源停止供电时提供电能；XYZ工作平台，与所述电源管理单元连接，用于提供所述金线键合机的工作平台；软件控制平台，与所述电源管理单元和所述XYZ工作平台连接，用于根据当前状态，在完成当前焊线工作后控制XYZ工作平台推出工作区域。
一种保护电源瞬态系统

[发明专利]一种提升芯片单焊盘可通过电流的引线键合方法-CN202211669327.9在审
发明人：陈中洲;方兆国;达旭娟 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升芯片单焊盘可通过电流的引线键合方法，首先对陶瓷劈刀的预留金线进行烧球处理，将金线熔融为金焊球；在芯片焊盘表面上将金焊球压扁，使其成型，同时施加超声电流，产生促进键合的超声功率，使金焊球与芯片焊盘表面形成键合界面；将金丝沿金焊球尾部切断，在芯片焊盘表面上形成金焊球；以内引脚或载体为一焊点、芯片焊盘表面的金焊球为二焊点进行引线键合，得到键合丝；以键合丝二焊点鱼尾表面为一焊点、内引脚或载体为二焊点进行引线键合。通过在单焊盘与内引脚或载体之间引线键合多根键合丝，增加芯片焊盘与内引脚或芯片焊盘与框架载体之间键合丝的数量，通过并联分流方式，提升芯片焊盘可通过的电流，实现内外的电气互联。
一种提升芯片单焊盘可通过电流引线方法

[实用新型]一种芯片焊线机金线输送装置-CN202122492265.6有效
发明人：钟良 -专利权人：苏州斯尔特微电子有限公司
申请日： 2021-10-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片焊线机金线输送装置，涉及金线焊接技术领域，为解决现有技术中的现有的芯片焊接所使用的金线十分的细小，所以对其进线设备有着极高的要求，但依旧会出现一些丝线绷断或者撕裂的情况，而传统的机构无法针对该情况进行补救和应对的问题所述高温热熔段管与键合单元之间设置有复位套管，且复位套管的内部设置有线轮，所述高温热熔段管的上方设置有改向管道，且改向管道与高温热熔段管通过内螺纹转动连接，所述改向管道的顶部设置有进线口，且进线口的内部设置有线体张力架，所述键合单元的下方设置有出线管口，且出线管口与键合单元固定连接，所述出线管口的内部设置有金线。
一种芯片焊线机金线输送装置

[发明专利]一种基于多通道数字光收发模块的金丝键合结构-CN201911248615.5有效
发明人：张晓杰;杜茂顺;张东旭 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多通道数字光收发模块的金丝键合结构，包括：激光器、光源驱动芯片、高频热沉Ⅰ、金线Ⅰ和金线Ⅱ；激光器与高频热沉Ⅰ通过金线Ⅰ键合，光源驱动芯片与高频热沉Ⅰ通过金线Ⅱ键合，实现电信号转换为光信号本发明所述的基于多通道数字光收发模块的金丝键合结构提高了多通道数字光收发模块的耦合效果、及各项性能指标。
一种基于通道数字收发模块金丝结构

[发明专利]一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法-CN202111045874.5在审
发明人：陈中洲;张波;王子相 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法，属于半导体集成电路封装测试领域。包括：对无预镀层引线框架载体进行去氧化处理；通过电火花将金线熔融成金球；通过键合压力将金球压扁于引线框架载体表面使金焊球成型；通过超声电流使成型的金焊球与引线框架载体表面生成金属间化合物，形成键合界面；将金线沿金焊球尾部切断，在引线框架载体表面上载体地线键合点或引线框架内引脚键合点形成金焊球；在预植好金焊球的引线框架载体完成上芯固化；进行芯片焊盘、引线框架载体以及引线框架内引脚的引线键合；其中，无预镀层区域引线键合在预植的金焊球上本发明所述方法使无预镀铜引线框架表面可实现引线键合，提高塑封产品的可靠性。
一种实现镀层引线框架表面方法

[发明专利]一种银合金键合丝及其制造方法-CN202210567250.8在审
发明人：郑磊;孙君阳;陈周勇 -专利权人：宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明属于合金材料技术领域，具体涉及一种银合金键合丝及其制造方法。本发明银合金键合丝包括芯线和包覆在芯线表面的镀金层，芯线含有以下质量百分比的组分：10~30%金，0.1~5.0%钯，5~100ppm钙，5~100ppm铈，其余为银，镀金层的金含量为芯线中金含量总质量的通过熔铸、拉丝、镀金和退火工艺，得到具有良好力学性能和稳定性的银合金键合丝，可以在不更改或升级设备的情况下，直接用于中高端LED封装和IC封装。且传统中高端产品封装用的键合丝中金含量需达到60%~80%以上，而本发明银合金键合丝中的金含量降低至10~30%，大大降低了成本。
一种合金键合丝及其制造方法

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