专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硅太阳能电池及其制备方法-CN201410495820.2无效
  • 张博;谢文旭;刘帅;向勇 - 电子科技大学
  • 2014-09-24 - 2014-12-10 - H01L31/05
  • 该硅太阳能电池,包括硅太阳能电池,所述硅太阳能电池的正面铺设有多条平行设置的金属纳米线,在硅太阳能电池的正面设置有用于汇集金属纳米线电流的金属电极母线,所述金属电极母线沿与金属纳米线垂直的方向设置位于硅片表面的金属纳米线可以被近似看作入射光的汇聚天线,它们将入射的光能量存储在线表面的等离子体激元中,硅片材料吸收激元能量从而激发光生载流子,从而在不影响太阳能电池迎光面对入射光吸收的情况下增大入射光的利用率
  • 一种太阳能电池及其制备方法
  • [实用新型]应力检测装置-CN202120946777.2有效
  • 曾哲 - 西安闻泰电子科技有限公司
  • 2021-05-06 - 2021-12-28 - G01L1/22
  • 本实用新型公开一种应力检测装置,应用于主板的应力检测,包括测量模块及多个应变;应变设有与主板预设位置的铜线相对应的非铜金属线;非铜金属线用于与铜线构成回路形成敏感,测量模块用于接收敏感发送的应力信号并进行解析本实用新型提供的应力检测装置,可在主板设有铜线走线的位置设置应变,通过应变的非铜金属线与主板本身的铜线形成敏感,通过测量模块接收敏感发送的应力信号来得到主板贴附有应变对应位置所受到的应力信息,
  • 应力检测装置
  • [实用新型]一种测试晶体硅太阳能电池扩散长度的探针装置-CN201620958760.8有效
  • 蒋硕;崔会英;仲崇娇 - 奥特斯维能源(太仓)有限公司
  • 2016-08-26 - 2017-02-22 - H02S50/10
  • 本实用新型公开了一种测试晶体硅太阳能电池扩散长度的探针装置,包括长方形形状的金属金属的一端电连接有探针,金属的另一端通过焊点电连接有导线,导线的长度为8‑22cm,金属的顶面靠近两端部的位置处开设有多个磁铁槽,磁铁槽中放置有磁铁;测试时,电池置于金属板上,金属通过磁铁吸附于金属板上并位于电池的侧部,探针沿着电池的主线的长度方向搭接于主线上,探针与主线电连接,金属板和导线分别连接数据采集器的正极和负极,数据采集器连接显示装置;该测试晶体硅太阳能电池扩散长度的探针装置,其能够改善探针装置的遮挡导致遮挡处产生光生载流子过少的问题,从而保证电池扩散长度的准确性与整体的平均值。
  • 一种测试晶体太阳能电池扩散长度探针装置
  • [发明专利]基于纳米堆叠场效应晶体管的生物传感器及制备方法-CN202011516842.4在审
  • 刘飞辰 - 西安国微半导体有限公司
  • 2020-12-21 - 2021-04-30 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种基于纳米堆叠场效应晶体管的生物传感器及制备方法;该生物传感器包括衬底、源区、纳米堆叠区、隔离区以及漏区;纳米堆叠区靠近隔离区的一侧被环形的金属层包围形成沟道区,另一侧与源区相接触形成源接触区;纳米堆叠区包括平行设置的多个纳米导电沟道层;最上层的纳米导电沟道层与金属层之间、每两个上下相近的纳米导电沟道层之间,以及最下层的纳米导电沟道层与金属层之间均形成腔体;每个腔体靠近隔离区一端的空间内填充有介质,另一端未填充介质的空间形成生物分子填充腔;生物分子填充腔的入口位于源接触区;本发明提供了一种高敏感度、能够克服短沟效应、工艺制造难度低且性能稳定的生物传感器。
  • 基于纳米堆叠场效应晶体管生物传感器制备方法
  • [发明专利]一种晶硅电池及晶硅电池组件及晶硅电池的连接方法-CN201510071841.6有效
  • 侯伟;王世贤;韩忠;刘杨;李红亮 - 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司
  • 2015-02-07 - 2017-06-16 - H01L31/0224
  • 本发明针对现有晶硅电池组件通过焊带串联连接,使得电池组件的成本高、有效输出功率被降低及焊接时操作难度大的不足,提供一种晶硅电池及晶硅电池组件及晶硅电池的连接方法,本电池组件的电池包括晶硅电池基体和设置在电池基体背面、作为电池正极的金属背场,所述晶硅电池基体的正面设置有多条副线,在电池的正面各条副线的两端部间均不设置电池正面主线,在金属背场上与副线两端部间相对的位置均不设置电池背面主线,采用本结构的晶硅电池和组件有效的提高了电池的输出功率,节约材料及工序,降低成本并提高了工作效率,由于电池间叠置连接,省去了焊带。
  • 一种电池组件连接方法
  • [发明专利]线偏振及其制造方法-CN202211389963.6在审
  • 赖奕志;蔡李林 - 广州立景创新科技有限公司
  • 2022-11-08 - 2023-05-02 - G02B5/30
  • 一种线偏振包含基材层、高分子线层及多个镀膜层。高分子线层设置于基材层上且高分子线层包含多个线单元。多个线单元形成于基材层的上表面且沿第一方向延伸且各线单元具有顶面且沿第一方向的二侧分别具有第一侧表面与第二侧表面。多个镀膜层个别地形成于各线单元的第一侧表面。其中多个镀膜层为金属或非金属介电材质。本发明更提供一种线偏振的制造方法。
  • 偏振及其制造方法
  • [发明专利]一种浮空T型及其制备方法-CN202210868730.8在审
  • 宓珉瀚;马晓华;王鹏飞;陈治宏;周雨威;安思瑞;龚灿;张濛;杜翔 - 西安电子科技大学
  • 2022-07-22 - 2022-10-25 - H01L29/423
  • 本发明涉及一种浮空T型及其制备方法,浮空T型包括,晶圆、刻蚀牺牲层、脚、微型场板和帽。刻蚀牺牲层位于晶圆上;刻蚀牺牲层中设置有脚凹槽,脚位于脚凹槽中。微型场板位于刻蚀牺牲层和脚上;帽位于微型场板上。本发明结合了电子束光刻与步进式光刻工艺,解决了多层光刻胶之间的互溶问题,提高了器件制备效率;采用蓝膜剥离工艺,有效解决留在金属蒸镀后,剥离过程中,由金属粘连造成的条坍塌问题,提高目前主流浮空T型技术的成品率;采用微型场板结构,明显提升了目前主流浮空T型结构在器件等比例缩小后导致的脚局部电场峰值剧增,击穿电压下降的问题。
  • 一种及其制备方法
  • [实用新型]一种多灭弧系统及断路器-CN202223395801.1有效
  • 赵晓泉;王永贤;蔡明阳 - 西安零壹智能电器有限公司
  • 2022-12-16 - 2023-07-04 - H01H73/18
  • 本实用新型公开了一种多灭弧系统及断路器,通过将多的灭弧室分为上下两个组,在两个组之间布置开口背向动静触头区域的U形引弧,当电弧接触U形引弧后,U形引弧内部的电流会驱使上下两个弧根均向灭弧室的切割部分方向运动,从而分别加速上下两段电弧进入两个金属组,显著提升电弧电压,可应用于交流微型断路器的限流需求和直流微型断路器的高电压、大电流分断需求,对塑壳断路器、框架断路器以及接触器等低压开关电器也有性能提升作用
  • 一种多栅片灭弧系统断路器

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