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[发明专利]一种高介电常数的纳米叠层介电薄膜及其制备方法-CN202311181156.X在审
发明人：林全;王锋;苏子生;潘淼 -专利权人：泉州师范学院
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数的纳米叠层介电薄膜及其制备方法，属于介电薄膜材料技术领域。本发明纳米叠层介电薄膜其结构包括自下而上设置的硅基底、底电极保护层和过渡金属硫族化合物纳米叠层以及顶电极，硅基底与底电极保护层之间设置有底电极，过渡金属硫族化合物纳米叠层设置在底电极保护层的上方，过渡金属硫族化合物纳米叠层与顶电极之间设置有顶电极保护层；该过渡金属硫族化合物纳米叠层由两种或者三种过渡金属硫族化合物堆叠而成；顶电极保护层和底电极保护层的材料均采用硅铝混合物薄膜，过渡金属硫族化合物纳米叠层材料采用原子层淀积方法制备。
一种介电常数纳米叠层介电薄膜及其制备方法

[发明专利]布料和纤维制品-CN200480042401.8无效
发明人：岛崎佐太郎 -专利权人：日本望兴株式会社
申请日： 2004-02-12 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： D03D15/02 文献下载
摘要：布料(A)含有第一叠层线(1)和第二叠层线(2)作为原纱的一部分。并且，通过在合成树脂薄膜的一面蒸镀金属层，以上述金属层为内侧的方式，将蒸镀有上述金属层的合成树脂之间互相粘结，制造夹层状结构体，将上述夹层状结构体切断为线状，形成第一叠层线(1)。此外，除了其金属层是由与构成上述第一叠层线的金属层的金属有电位差的金属构成外，采用与第一叠层线(1)相同的方法，形成第二叠层线(2)。并且，作为另一实施方式的布料(B)，是将在布料(A)的制造中使用的2个夹层状结构体粉碎，形成第一叠层体和第二叠层体，将该第一叠层体和第二叠层体附着在原线上形成的布料。
布料纤维制品

[发明专利]聚酰亚胺薄膜、聚酰亚胺金属叠层体及其制造方法-CN200680019625.6有效
发明人：川口将生;大坪英二;津田武;田原修二;饭田健二 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明涉及金属层的密合性高、适用于高密度电路基板材料的聚酰亚胺金属箔叠层体。具体地说，提供一种聚酰亚胺薄膜，其特征是利用含有高锰酸盐的碱性水溶液进行表面处理。优选该碱性水溶液包含氢氧化物。另外，提供聚酰亚胺金属叠层体及该聚酰亚胺金属叠层体的制造方法，所述聚酰亚胺金属叠层体的特征是，在该聚酰亚胺薄膜的表面形成热塑性聚酰亚胺层及金属层。
聚酰亚胺薄膜金属叠层体及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件中缺陷的检测结构及检测方法-CN201310024232.6有效
发明人：甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件中缺陷的检测结构及检测方法，包括半导体衬底以及位于所述衬底中的二极管；第一金属叠层，位于所述二极管上方，以施加二极管电压，所述第一金属叠层包括第一顶部金属层以及位于所述二极管和所述第一顶部金属层之间的若干金属层和通孔；第二金属叠层，环绕设置于所述第一金属叠层的外侧，以施加栅极电压，所述第二金属叠层包括第二顶部金属层、位于第二顶部金属层和衬底之间的若干金属层和通孔。本发明所述检测结构和方法不仅可以检测单层金属层而且可以检测多层金属层，所述方法简单易行，准确性高，确保了所述超低K材料的稳定性和制备得到器件的性能。
一种半导体器件缺陷检测结构方法

[发明专利]金属玻璃叠层体、其制造方法及其应用-CN201310115990.9有效
发明人：井上明久;大原正树;五十岚贵教;杉山雅治;山田清二;高桥健一;望月淳夫;本江克次;木村久道 -专利权人：都美工业株式会社;东北泰克诺亚奇股份有限公司
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C24/08 文献下载
摘要：本发明涉及金属玻璃叠层体、其制造方法及其应用。本发明的金属玻璃叠层体，其是在基材表面上形成无定形相的金属玻璃层而得到的金属玻璃叠层体，其特征在于，所述金属玻璃层中不存在连续孔隙(针孔)。该金属玻璃叠层体是通过金属玻璃粉末的至少一部分以熔融状态或过冷液体状态在基材表面上凝固以及叠层来合适地形成的。金属玻璃层是致密且均一的无定形相，可以充分地发挥耐腐蚀性、耐摩耗性等金属玻璃的功能性。也可以进行厚膜化、大面积化，此外，可以在过冷液体温度区域中将金属玻璃层加工成各种形状。此外，若除去基材，则可以得到金属玻璃体材。金属玻璃叠层体或金属玻璃体材可以用于燃料电池隔板、氢气分离膜、氢气传感器、耐钎焊料侵蚀用构件等。
金属玻璃叠层体制造方法及其应用

[实用新型]叠构结构及触控感应器-CN202021748050.5有效
发明人：蔡宜珍;方玮嘉;朱俊鸿;萧仲钦;吴孟芸;赖姿璇;徐暐程 -专利权人：天材创新材料科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种叠构结构，包含：基材；金属层，其设置于该基材之上，其中该金属层包含：金属导线；金属网格，其与该金属导线连接；及金属板，其与该金属网格连接；以及纳米银线层，其设置于该基材之上，其中该纳米银线层至少部分与该金属层重叠一种触控感应器，其特征在于，包含：上述的叠构结构；以及覆盖层，其设置于上述的叠构结构中的金属层或纳米银线层之上。上述叠构结构可应用于触控感应器。
结构感应器

[发明专利]栅叠层结构、栅极、DRAM及其制造方法-CN202011550472.6在审
发明人：安重镒;李相遇;李东根;刘金彪;杨涛;李俊峰;王文武;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种栅叠层结构、栅极、DRAM及其制造方法，包括以下步骤：提供一种半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅叠层结构以及其上的盖层，所述栅叠层结构的中部包括栅金属层；在所述栅金属层的侧壁形成氧化层；对所述栅金属层执行离子注入；对所述栅叠层结构进行热处理。通过对栅金属层进行处理，以在栅金属层的侧壁形成氧化层，避免后续的热处理工艺对栅金属层造成损伤，提高了栅金属层的良率，避免栅极漏电的问题。
栅叠层结构栅极 dram 及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202111554046.4有效
发明人：常红燕;李振亚;王光加;韩丙;黄世帅;王晓洁;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请公开了阵列基板及其制备方法、显示面板，其中，层叠且贴合设置的衬底基板与第一金属层，第一金属层远离衬底基板上贴合设置有第一层叠部和第二层叠部，第一层叠部包括层叠且贴合设置的第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层以及第一导电层，第一层叠部上设置有第一过孔，第二层叠部包括层叠且贴合设置的第三绝缘层以及第二导电层，第二层叠部上设置有第二过孔，第一过孔和第一导电层连接，第二过孔和第二导电层连接，第一导电层和第二导电层连接，以连通第一金属层和第二金属层；其中，第二层叠部延伸至第一金属层的边缘。通过上述结构，本实施例的阵列基板能够提高第二过孔与第一金属层的接触效果，进而提高第二过孔的导通性。
阵列及其制备方法显示面板

[实用新型]功率器件的金属焊盘结构-CN201922344184.4有效
发明人：王鹏;徐大鹏;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率器件的金属焊盘结构，金属焊盘结构包括：位于功率器件表面的铝焊盘；以及覆盖于铝焊盘表面的金属叠层，金属叠层包括依次层叠的钛层、镍层及银层。本实用新型在铝焊盘上沉积金属叠层，所述金属叠层包括依次层叠的钛层、镍层及银层，可以大大增加金属焊盘的厚度，从而使得在封装打线可以大大加粗，保证封装打线的强度。本实用新型可保证金属焊盘的导电性以及耐腐蚀，并提高铝焊盘与银层之间的应力的匹配性，提高金属焊盘的稳定性。
功率器件金属盘结

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202011068430.9在审
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一衬底、一叠层、一导电柱、一存储层以及一金属硅化物层。叠层设置于衬底上，其中叠层包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。导电柱沿着第一方向穿过叠层。存储层环绕导电柱。金属硅化物层环绕导电柱，其中存储层设置于导电柱与金属硅化物层之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]叠构结构的制备方法、叠构结构及触控感应器-CN202010841879.8在审
发明人：蔡宜珍;方玮嘉;朱俊鸿;萧仲钦;吴孟芸;赖姿璇;徐暐程 -专利权人：天材创新材料科技（厦门）有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种叠构结构的制备方法，包含：提供基材；于该基材上方设置金属层及纳米银线层；应用柔版印刷技术，将抗蚀刻层印制于该金属层或该纳米银线层的表面，以使该抗蚀刻层部分覆盖该金属层或该纳米银线层；应用蚀刻技术，以蚀刻液去除该金属层及该纳米银线层中未被该抗蚀刻层覆盖的部分及其下方的金属层或纳米银线层，借此使该金属层包含：金属导线；金属网格；及金属板；以及去除该抗蚀刻层。一种叠构结构，包含：基材；金属层；以及纳米银线层。上述叠构结构的制备方法及叠构结构可应用于触控感应器。
结构制备方法感应器

[发明专利]基板结构及其制作方法-CN201410246628.X有效
发明人：王朝民 -专利权人：旭德科技股份有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：基板包括支撑层、两离型层及两基底金属层。两离型层分别设置于支撑层的相对两表面上。各基底金属层覆盖于各离型层上。各形成第一图案化防焊层于各基底金属层上。各压合叠构层于各基底金属层上，且各叠构层覆盖对应的第一图案化防焊层。各叠构层包括介电层及金属箔层。各介电层位于对应的基底金属层及金属箔层之间。令各基底金属层与支撑层脱离。对各基底金属层进行图案化制作工艺，以各形成图案化金属层于各该叠构层上。各图案化金属层暴露对应的第一图案化防焊层。
板结及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910817749.8有效
发明人：韩亮;王海英 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有分立的第一栅极叠层结构；在第一栅极叠层结构露出的衬底上形成覆盖所述第一栅极叠层结构部分侧壁的单元介质层，第一栅极叠层结构和单元介质层围成单元凹槽；在单元凹槽的侧壁上形成隔离侧墙层，隔离侧墙层与单元介质层接触；形成保形覆盖隔离侧墙层、第一栅极叠层结构以及单元介质层的金属层；对金属层进行退火处理，形成金属硅化物层。本发明通过隔离侧墙层将金属层与单元凹槽底部拐角处的第一栅极叠层结构相隔离，避免在单元凹槽的底部拐角处形成金属硅化物层，使得金属硅化物层不易出现突出尖角，从而使得单元存储器区的击穿电压提高，进而优化了半导体结构的电学性能
半导体结构及其形成方法

[发明专利]磁性体-CN200580030037.8有效
发明人：王人杰 -专利权人：王人杰
申请日： 2005-01-17 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01F7/00 文献下载
摘要：一种“磁性体”主要是包含有金属层、绝缘层、滤布层、吸光体层、绝缘包覆体所组成，其中，金属层是以具导电性(或称顺磁性)之金属元素高温气化后涂覆于一绝缘体全部表面，使之成带负电荷之金属层，并且使用二种以上不同金属原料制成不同金属层，绝缘层则为一般绝缘性物质如PU、PV、PVC等，滤布层是以绝缘材质以至少144,000,000孔/平方英寸编织为网状，吸光体层则为可吸收光能源之吸光布，磁性体组成为，以一金属层设为中心金属层，于中心金属层之上、下两面各别叠设一绝缘层，于上、下二片绝缘层之外面层，再分别叠设二片相同之第二金属层，于上、下二片第二金属层之外面层，各别叠设网状滤布层，于上、下二片网状滤布层之外面层，再各别叠设一绝缘层，于此绝缘层之外面层，再分别叠设二片相同之第三金属层，于上、下二片第三金属层之外，再各别叠设吸光体层，整体各叠层以绝缘包覆体完全包覆，构成本“磁性体”，而具有不同于传统磁力线局限于N、S级之方向性及范围，得以与各种物质或大地成全方位方向之磁性力场作用者
磁性

[发明专利]用于基于石墨烯和碳纳米管晶体管的集成的先多层互连集成方案-CN201280010619.X有效
发明人： Z·刘;G·G·沙希迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-02-25 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：在所述衬底上形成被设置成叠层的多个互连层，每一个互连层包括一条或多条金属线，其中如果在所述叠层中在一个给定互连层上方存在互连层，则该给定互连层中的金属线大于在所述叠层中位于该给定互连层上方的互连层中的金属线，并且其中如果在所述叠层中在该给定互连层下方存在互连层，则该给定互连层中的金属线小于在所述叠层中位于该给定互连层下方的互连层中的金属线。在所述叠层的最顶层上形成至少一个晶体管。
用于基于石墨纳米晶体管集成多层互连方案