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- [发明专利]金属箔层叠体的制造方法-CN201080042629.2无效
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莇昌平;沈昌补
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住友化学株式会社
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2010-09-24
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2012-06-20
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B29C43/20
- 本发明的目的在于提供金属箔层叠体的制造方法，其可以得到具有良好的外观的金属箔层叠体，同时可以提高金属箔层叠体的平面度。金属箔层叠体的制造方法的优选实施方式为在绝缘基材的两侧具备金属箔的金属箔层叠体的制造方法，其包括制造具有依次用一对金属板和一对第二缓冲材料夹持第一层叠体的层结构的第二层叠体的第二层叠体制造步骤、和对该第二层叠体在其层叠方向上用一对热板进行加热加压的第二层叠体加热加压步骤，所述第一层叠体是依次用一对第一金属箔、一对第一间隔体、一对第二间隔体和一对第一缓冲材料夹持绝缘基材而成的。
- 金属层叠制造方法
- [实用新型]重新布线层-CN202020183381.2有效
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尹佳山;王荣荣;周祖源;吴政达
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中芯长电半导体（江阴）有限公司
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2020-02-19
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2020-12-22
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H01L23/498
- 本实用新型提供一种重新布线层，该结构包括：扩散阻挡层；位于扩散阻挡层的第一面的金属种子层；位于金属种子层上的金属线层；位于金属线层上的缓冲层，缓冲层的表面具有延伸至其内部的多个第一孔隙；位于缓冲层上的叠层结构，叠层结构包括至少两层保护层，其中，第一层保护层的表面具有与第一孔隙连通的第二孔隙，最外层保护层覆盖第一孔隙及第二孔隙；将金属线层电引出的键合线。通过设置叠层结构，在叠层结构与缓冲层之间没有贯通的孔隙，有效提高了保护层结构的连续性，因此可提高缓冲层与叠层结构之间的粘合力，改善重新布线层的稳定性能，在后续的WB工艺中，缓冲层与叠层结构之间不易出现剥离现象，从而有效提高重新布线层的产品良率。
- 重新布线
- [实用新型]芯片导电柱-CN202223400104.0有效
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张义帆;田佳佳
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江苏芯德半导体科技有限公司
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2022-12-16
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2023-05-05
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H01L23/488
- 本实用新型公开了一种芯片导电柱，包括：第一I/O引脚、第二I/O引脚、叠层金属、第一铜柱、导电柱a组件和导电柱b组件，第一I/O引脚和第二I/O引脚连接芯片，第一I/O引脚顶部连接叠层金属，第二I/O引脚顶部连接叠层金属，第一I/O引脚顶部的叠层金属固定连接导电柱a，第二I/O引脚顶部的叠层金属固定连接第一铜柱，第一铜柱的顶部固定连接导电柱b组件，本实用新型提供了一种导电柱高度相等且与互联载体连接良好同时保证了芯片封装的电气可靠性的芯片导电柱
- 芯片导电
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