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[发明专利]选择性蚀刻速率监控器-CN201780069691.2有效
发明人：菲利普·艾伦·克劳斯;蒂莫西·L·富兰克林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施方式包括即时蚀刻速率传感器和使用即时蚀刻速率传感器的方法。在一个实施方式中，即时蚀刻速率传感器包括共振系统和导电壳体。
选择性蚀刻速率监控器

[发明专利]选择性视频帧速率向上转换-CN200780012584.2有效
发明人：维贾伊·马哈德万;布里杰什·皮莱;哈立德·希勒米·厄勒-马列 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H04N7/01 文献下载
摘要：本发明是针对用于视频解码器中的选择性视频帧速率向上转换(FRUC)的技术。视频解码器基于一个或一个以上适应性标准选择性地启用或停用FRUC。可选择所述适应性标准以指示FRUC是否可能引入空间假象。适应性标准可包含运动活动性阈值、模式决策阈值或两者。所述标准是适应性的而不是固定的。当所述标准指示一帧包含过量运动或新内容时，所述解码器停用FRUC。
选择性视频速率向上转换

[发明专利]半导体区的生长中的化学机械抛光-CN201310150945.7有效
发明人：林国楹;潘婉君;张翔笔;蔡腾群;陈继元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：第一平坦化步骤具有第一选择性，第一选择性是半导体区的第一去除速率与隔离区的第二去除速率的比值。在暴露隔离区之后，对隔离区和半导体区位于隔离区之间的一部分执行第二平坦化步骤。第二平坦化步骤具有低于第一选择性的第二选择性，第二选择性是半导体区的该部分的第三去除速率与隔离区的第四去除速率的比值。
半导体生长中的化学机械抛光

[发明专利]视频电话中的选择性速率适应-CN201680044640.X在审
发明人：伊布雷赫·哈吉-艾哈迈德;维克拉姆·辛格;加里·佳瑞·张;乔蒂莫伊·达斯;李天信;桑吉弗·米塔尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于视频电话VT会话的速率适应的系统和方法。在一个实例中，提供一种方法，其包含接收第一信息集合，所述第一信息集合指示装置从第一无线电接入技术RAT到第二RAT的越区移交的开始。所述方法进一步包含至少部分地基于所述第一和第二信息集合来调整用于所述VT会话的速率适应协议。
视频电话中的选择性速率适应

[发明专利]一种基于无速率码和V‑OFDM的联合编码调制方法-CN201510018418.X有效
发明人：张朝阳;付攀玉;屠坤;杨潇翔;张昱;张华滋;王献斌;张亮 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无速率码和V‑OFDM的联合编码调制方法，发送端基于无速率编码和Vector OFDM调制，其基本特征在于（1）使无速率码编码后消息比特流映射到Vector OFDM的时频域消息矩阵上，满足数据块区域度数均匀，（2）将无速率码编码后的消息比特调制到子载波时，把不同自由度消息比特映射到同一子载波上，相同自由度消息比特映射到不同子载波上。本发明通过联合编码调制，能够更加有效地对抗双选择性信道的频率选择性衰落和时间选择性衰落，克服符号间干扰和载波干扰，有效对抗双选择性衰落，获取更大的双选择信道的联合多径‑多普勒分集增益，降低误码率，提高通信质量
一种基于速率 ofdm 联合编码调制方法

[发明专利]一种高选择性锗蚀刻液-CN202211145213.4有效
发明人：彭浩;尹印;叶瑞;倪高国;余迪;万杨阳;贺兆波;张庭;王亮 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种高选择性锗蚀刻液。所述高选择性锗蚀刻液主要用于相对硅选择性蚀刻锗，组成包括氧化剂、氟离子源、添加剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将锗被氧化形成氧化物；锗的氧化物通过与氟离子源络合溶解而被去除；利用添加剂调节锗的蚀刻速率，使蚀刻液对锗相对于硅具有更快的蚀刻速率即对锗有更高的选择性。
一种选择性蚀刻

[发明专利]有机膜CMP浆料组成物的应用及使用其的研磨方法-CN201680056927.4有效
发明人：崔正敏;都均奉;姜东宪;金东珍;兪龙植;郑荣哲;赵炫洙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟本发明的有机膜CMP浆料组成物具有有机膜相对于无机膜的高选择性比。
有机 cmp 浆料组成应用使用研磨方法

[发明专利]相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物-CN201880024145.1有效
发明人： S·M·比洛迪奥 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供适用于从微电子装置中通过相对于含硅材料蚀刻含硅‑锗材料而选择性移除的组合物，所述微电子装置具有表面上含有这些材料的特征，所述组合物含有氢氟酸、乙酸、过氧化氢和至少一种额外的酸，所述酸会改良如通过蚀刻速率或选择性中的一或多者所测量且可调以获得所需Si:Ge移除选择性和蚀刻速率的性能。
相对于选择性蚀刻调配

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN201910938338.4在审
发明人： J·W·梅斯;M·吉文斯;S·豪卡;V·帕鲁丘里;I·拉伊梅克斯;S·邓;A·伊利贝里;E·托伊斯;D·朗格里 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的发明名称为选择性钝化和选择性沉积。提供了用于选择性沉积的方法。材料相对于不同材料组成的第二表面被选择性沉积在衬底的第一表面上。将抑制剂(如聚酰亚胺层)相对于第二表面由气相反应物选择性地形成在第一表面上。将目标层相对于第一表面由气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，可利用本文所述技术将材料(如介电过渡金属氧化物和氮化物)相对于电介质表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN202210891880.0在审
发明人： J.W.梅斯;M.E.吉文斯;S.P.霍卡;V.帕鲁丘里;I.J.拉伊杰马克斯;邓少任;A.伊利贝里;E.E.托伊斯;D.朗格里;C.德泽拉;M.图米恩 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供了选择性沉积的方法。材料相对于不同材料成分的第二表面选择性地沉积在基板的第一表面上。相对于第二表面，在第一表面上由气相反应物选择性地形成抑制剂，例如聚酰亚胺层。相对于第一表面，感兴趣的层从气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，诸如介电过渡金属氧化物和氮化物的材料可以使用这里描述的技术相对于介电表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]具有化合物半导体与元素半导体的单片式异质集成的结构-CN201280047838.5有效
发明人： J·R·拉罗什;T·E·卡齐奥;W·E·霍克 -专利权人：雷声公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/8258 文献下载
摘要：选择性蚀刻层布置在BOX层与用于化合物半导体器件的层之间。选择性蚀刻层实现了BOX层的选择性蚀刻，从而实现了对生长在蚀刻窗口中的化合物半导体器件的纵向和横向窗口蚀刻过程的最大程度的控制。选择性蚀刻层的蚀刻速率低于BOX层的蚀刻速率。
具有化合物半导体元素单片式异质集成结构

[发明专利]一种高选择性碱性玻璃蚀刻液及其蚀刻方法-CN202211619402.0在审
发明人：张演哲;雷康乐;秦祥;叶瑞;贺兆波;欧阳克银;钟昌东;郭岚峰;黄锣锣;黎鹏飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高选择性碱性玻璃蚀刻液及其蚀刻方法。利用无极碱、有机碱，胺类化合物，醇类化合物，非离子氟碳表面活性剂等形成的蚀刻液对金属层上的玻璃进行选择性蚀刻处理，达到环保、高选择性减薄玻璃的作用而尽可能不伤害导电金属层。通过调整蚀刻液中的组分、含量配比，以及蚀刻方法，实现玻璃表层粗糙度低，玻璃蚀刻均匀，玻璃蚀刻速率与金属蚀刻速率选择比佳的作用。
一种选择性碱性玻璃蚀刻及其方法

[发明专利]一种基于协同氧化浸出废旧磷酸铁锂正极粉末选择性提锂的方法-CN202310271675.9在审
发明人：谢耀辉;杨利明;罗旭彪;黄蕾;石慧;邵鹏辉;江家辉;袁薇涵;王华瑾;危玉焚;何婷婷 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：一种基于协同氧化浸出废旧磷酸铁锂正极粉末选择性提锂的方法，涉及一种从废旧磷酸铁锂正极粉末选择性提锂的方法。本发明是要解决目前废旧磷酸铁锂正极粉末氧化浸出法选择性提锂的过程中酸耗大、成本高、需除杂、易冒槽的技术问题。本发明基于铁元素原位价态驱动锂选择性释放机制，提出空气‑过氧化氢协同氧化新型体系，在不破坏磷酸铁锂材料橄榄石结构的前提下，将铁元素原位氧化成三价，使之占据锂的部分晶格位点，致使锂元素的嵌出。本发明探索固液比、鼓气速率、搅拌速率等氧化条件，高效清洁的选择性回收锂元素，得到富锂溶液，使得废旧磷酸铁锂电池中的锂元素选择性回用，增强国家锂金属资源供给的韧性。
一种基于协同氧化浸出废旧磷酸正极粉末选择性方法

[发明专利]一种选择性合成不同晶型啶酰菌胺的方法-CN201410026051.1有效
发明人：焦德荣;姜冉;张鹏飞;郑雨 -专利权人：泰州百力化学股份有限公司
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C07D213/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性合成不同晶型啶酰菌胺的方法，尤其是通过对搅拌形式的选取以及搅拌速率和降温速率的调节来选择性合成熔点为143～145℃(晶型I)或147～148℃(晶型II)的啶酰菌胺的方法，该方法在工业上有极大的生产价值
一种选择性合成不同晶型啶酰菌胺方法

[发明专利]肝素生物检测芯片-CN201810943015.X在审
发明人：张士伟;凌中鑫 -专利权人：安徽健朗医疗器械有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明公开了一种肝素检测芯片，包括离子选择性电极、参比电极，所述离子选择性电极、参比电极插入盛有待测样品的测量池中，离子选择性电极头上黏附的聚合物敏感膜，所述离子选择性电极、参比电极与电位测量仪连接，所述电位测量仪通过通信隔离芯片与数据处理芯片连接，所述数据处理芯片与数据库连接，所述数据库预先存储标定后的电位的变化速率与肝素浓度的对应关系曲线；所述数据处理芯片通过预先存储的电位变化速率与肝素浓度的对应曲线与检测的电位变化速率得到待测样品的肝素浓度
离子选择性电极数据处理芯片肝素参比电极电位测量仪电位变化通讯接口预先存储电位芯片聚合物敏感膜生物检测芯片数据库连接外部服务器待测样品肝素检测关系曲线减少干扰通信隔离芯片测量测量池标定云端黏附数据库测量监控检测

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