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[发明专利]一种n型太阳能电池制备方法-CN201811125494.0在审
发明人：左严严;包健;徐冠群;廖辉;李明;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型太阳能电池制备方法，在制作完成选择性发射极之后，会在设置有选择性发射极的n型掺杂层表面设置第一标记图案，并在设置第一栅线时，先将预设在印刷网板的第二标记图案与第一标记图案对位，从而将印刷网板与选择性发射极对位；再通过对位好的印刷网板在选择性发射极表面设置与选择性发射极对位的第一栅线，从而通过上述第一标记图案与第二标记图案实现选择性发射极与第一栅线的精确定位，即通过设置第一标记图案与第二标记图案提高栅线与选择性发射极之间对位的精度
选择性发射极标记图案对位栅线印刷网板表面设置制备制作

[发明专利]发射极、选择性发射极电池的制备方法及选择性发射极电池-CN202111238759.X在审
发明人：刘成法;陈艺绮;邹杨;刘志远;王尧;陈达明;张学玲;陈奕峰;冯志强 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了发射极、选择性发射极电池的制备方法及选择性发射极电池，所述发射极的制备方法包括：采用至少两种不同波长的激光依次照射富硼层，依次将所述富硼层中的硼原子激光掺杂至硅片的同一区域，得到所述发射极。本发明采用至少两种波长的激光对硅片表面进行硼掺杂，可以有效调节硅片表面的硼掺杂浓度和深度；并且在制备选择性发射极电池的过程中，采用至少两种不同波长的激光依次进行图案化激光掺杂时，可以对激光区域的表面浓度及结深进行精准调控得到重掺杂选择性发射极，从而在提高重掺杂选择性发射极的表面浓度的同时，增加结深。
发射极选择性电池制备方法

[发明专利]一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法-CN201811511719.6有效
发明人：黄海龙;赵增超;周子游;刘文峰 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极和选择性发射极电池的制备方法，该选择性发射极的制备方法包括以下步骤：将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散和低掺杂浅扩散，在硅片电极区域和非电极区域分别形成高掺杂深扩散区和低掺杂浅扩散区选择性发射极电池的制备方法包括上述选择性发射极的制备步骤。本发明选择性发射极的制备方法，无需额外增加工序和设备，也不需对现有设备和工艺进行较大规模的改造和调试，可以兼容现有产线设备实现选择性掺杂，具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，对于制备低成本、高光电转换效率的选择性发射极电池具有十分重要的意义。
一种选择性发射极制备方法电池

[发明专利]一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法-CN202310480213.8在审
发明人：任常瑞;符黎明;董建文 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法，属于光伏技术领域；所述选择性发射极中采用耐腐蚀接触材料来制备选择性发射极的掩膜，使得重掺区和接触区的宽度一致，能够解决现有SE技术的重掺复合缺陷；所述选择性发射极的制备方法简单，不受扩散类型影响，适用于不同结构的电池。
一种采用接触浆料选择性发射极制备方法

[发明专利]选择性发射极及其制备方法、选择性发射极电池-CN201910758360.0有效
发明人：张子森;王伟;董建文;吕加先;沈贞东;叶权华;魏文文;盛健;张淳 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;徐州鑫宇光伏科技有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性发射极及其制备方法、选择性发射极电池。选择性发射极的制备方法包括如下步骤：将导热板覆盖在表面含有磷源或硼源的硅片上；采用激光扫描导热板，以使硅片在激光作用下形成轻掺区和重掺区。
导热板硅片制备选择性发射极激光扫描磷源硼源激光选择性发射极电池创新性地激光作用能量转移转化效率产业化掺和辅材覆盖损伤电池

[发明专利]一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法-CN201310097455.5无效
发明人：廖明墩;吴晓钟;沈艳;王学林;刘自龙 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法，包括预沉积、去除需轻掺杂区域磷硅玻璃层和推进三个步骤，其中：通过预沉积，在p型硅片表面形成一层磷硅玻璃和磷含量低的n+型发射极；再通过化学腐蚀的方法，将需轻掺杂区域的磷硅玻璃层去除；最后通过高温推进，去除磷硅玻璃层区域发射极完成磷原子再分布，实现轻掺杂，而保留磷硅玻璃层区域发射极完成磷原子继续推进，实现重掺杂，从而形成选择性发射极结构。本发明通过化学腐蚀只将轻掺杂区域的磷硅玻璃层去除，而不破坏发射极，易于控制，而且保证发射极的均匀性好，形成的选择性发射极结构完美，有利于稳定获得效率高的选择性发射极电池。
一种晶体太阳电池选择性发射极实现方法

[发明专利]一种选择性发射极电池的制备方法-CN201911382032.1在审
发明人：赵小平;杨二存;夏利鹏;李吉;刘海泉;高丽丽;郭星妙 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种选择性发射极电池的制备方法,包括掺杂源扩散形成PN结和激光掺杂制作选择性发射极的步骤，其特征在于，所述激光掺杂制作选择性发射极的步骤中通过改变照射在硅片上欲金属化的区域激光的能量和光斑大小，使区域内所掺杂的元素富集，形成选择性发射极。本发明选择性发射极电池的制备方法,通过调整激光的能量和光斑大小，减小激光对电池片的损伤面积，实现SE在栅线接触区域和非接触区域实现不同的掺杂区，同时提升电池效率。
一种选择性发射极电池制备方法

[发明专利]一种选择性发射极太阳电池及其制造方法-CN201210091891.7在审
发明人：杨健;陈如龙;周杰;刘强;王玉林;蔡昭;耿聪 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性发射极太阳电池及其制造方法。现有技术采用多次高温热处理形成选择性发射极易使硅片出现退化。本发明的选择性发射极太阳电池的制造方法先在硅片上制作绒面并清洗，再在硅片正面的非电极区域涂敷扩散掩模浆料并烘干，之后将所述硅片置入扩散炉中通入扩散源在其正面扩散形成选择性发射极，接着在所述硅片背面形成背场和背面电极，最后在所述选择性发射极上形成正面栅极。
一种选择性发射极太阳电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池掺杂及选择性发射极及制备方法、设备和应用-CN202310297564.5在审
发明人：王树林;李鹏飞;王英杰 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提出一种太阳能电池掺杂及选择性发射极及制备方法、设备和应用，其中太阳能电池掺杂及选择性发射极的制备方法包括：将硅片清洗制绒后，在硅片表面依次形成硼硅玻璃和掩膜层，获得含有硼硅玻璃、掩膜层的硅片；将所述含有硼硅玻璃、掩膜层的硅片于第一温度进行硼扩散，形成硼掺杂发射极；将含有硼掺杂发射极的硅片于第二温度退火处理，获得产品；所述第二温度小于所述第一温度；所述第一温度大于1150℃且小于1300℃。本申请所述太阳能电池掺杂及选择性发射极的制备方法，所获得的太阳能电池掺杂及选择性发射极硼原子浓度高，且缺陷少。
太阳能电池掺杂选择性发射极制备方法设备应用

[发明专利]一种N型晶体硅TOPCon电池结构及其制备方法-CN202211182768.6在审
发明人：任常瑞;孙海杰;杨松波;李金;董建文;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型晶体硅TOPCon电池结构及其制备方法，结构包括硅衬底、正面金属电极、背面金属电极，以及沿所述硅衬底正面方向依次设置正面选择性发射极、正面减反钝化层，沿所述硅衬底背面方向依次设置TOPCon钝化接触结构、背面选择性发射极、背面减反钝化层。本发明硅衬底正面具备选择性发射极结构，背面具备TOPCon钝化接触结构和选择性发射极结构，TOPCon钝化接触结构加双选择性发射极结构结合，可明显降低正背面的金属接触电阻及光生载流子在电池正背面的复合损失
一种晶体 topcon 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法-CN200910264504.3无效
发明人：屈盛 -专利权人：欧贝黎新能源科技股份有限公司
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法，它涉及的是一种晶体硅太阳电池生产的技术领域，具体涉及的是一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法。它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂，并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀，在硅片正表面其它区域形成轻掺杂，从而获得选择性发射极结构。它既具有选择性发射极结构带来的较高的光电转换效率，又具有工艺简单、成本较低的特点，具有较好的实用价值。
一种选择性发射极晶体太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种新型激光掺杂选择性发射极图案-CN201921272061.8有效
发明人：杨飞飞;鲁贵林;赵科巍;张波;张尧;吕爱武;杜泽霖;李陈阳;郭丽;郭卫;董建明;邓铭 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光掺杂选择性发射极领域。一种新型激光掺杂选择性发射极图案，正面激光图栅线数量为106，其中相邻线距为1.4762mm，每根线为镂空虚线，其中实线部分长为0.6mm,虚线部分长为0.12mm，另外相邻两根图栅线的镂空虚线之间交错相间通过优化正面激光图案，改善制作碱抛选择性发射极时激光掺杂区容易被刻蚀的问题，保证碱抛选择性发射极的工艺稳定，效率提升0.2%。
一种新型激光掺杂选择性发射极图案

[发明专利]一种选择性发射极激光制造装置-CN202010713269.X有效
发明人：凌步军;朱鹏程;袁明峰;吕金鹏;赵有伟;滕宇;孙月飞;冷志斌;冯高俊 -专利权人：江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性发射极激光制造装置，包括：激光发射部、光转换部、偏光镜、光束扩大部、控制器。激光发射部发射激光束；光转换部将激光束转换成相应的偏光；偏光镜允许未经偏光的激光束和经过偏光的激光束中的一种透射通过；光束扩大部将经由偏光镜透射的激光束扩大至设定倍数；熔融激光发出器接受扩大后的激光束并发射出熔融激光束至基板上设定位置；控制器与光转换部电性连接；其中控制器控制光转换部开启或关闭，以使熔融激光束在到达预设选择性发射极以外区域时关闭，在到达预设选择性发射极区域时开启。本发明选择性发射极激光制造装置，不需要掩膜即可形成选择性发射极，可以改善生产收率，显著节省装置的维持费用。
一种选择性发射极激光制造装置

[发明专利]一种选择性发射极黑硅电池及其制作方法-CN201611035207.8在审
发明人：李化阳;张良;李良;王霞;姚玉;任海兵 -专利权人：镇江大全太阳能有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性发射极黑硅电池，包括电池银栅线、氮化硅膜、黑硅绒面、选择性发射极、硅衬底及铝背场，该选择性发射极黑硅电池的制作方法包括如下步骤：1硅片去损伤层/抛光工艺；2正面PN结工艺；3发射极掩膜形成该选择性发射极黑硅电池及其制作方法将黑硅工艺放置在扩散工艺后，使用抛光技术，有效避免由于RIE绒面形貌导致的扩散PN掺杂浓度不均的问题，减少干法制绒后绒面形貌对扩散后PN结深的影响，改善PN结的均匀性，提高产品的质量，同时将选择性发射极技术与黑硅制绒工艺结合在一起，进一步提高电池片转换效率。
黑硅选择性发射极电池绒面形貌掩膜制作反应离子刻蚀磷硅玻璃层扩散氮化硅膜减反射膜扩散工艺浓度不均抛光工艺抛光技术去损伤层烧结工艺丝网印刷修复工艺正面PN结制绒工艺转换效率电池片发射极硅衬底均匀性铝背场银栅线硅片后绒去除掺杂

[发明专利]一种太阳能电池选择性发射极的制备方法-CN201811270526.6在审
发明人：张俊兵;张峰;周艳方 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，该方法可获得更低表面浓度、更浅结深、更高方阻的发射极轻掺杂区域，从而获得更好性能的发射极。本发明所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法包括以下步骤：（1）提供硅基体，所述硅基体的表面包括用于与金属接触电极接触的金属接触区域和位于所述金属接触区域以外的非金属接触区域；（2）在所述硅基体表面的非金属接触区域上设置掺杂过滤层，所述掺杂过滤层包括硅薄膜；（3）对硅基体进行掺杂，在硅基体表面设置有掺杂过滤层的非金属接触区域形成选择性发射极的轻掺杂区域，在硅基体表面未设置掺杂过滤层的金属接触区域形成选择性发射极的重掺杂区域。
硅基体选择性发射极过滤层掺杂金属接触区域非金属接触太阳能电池制备轻掺杂区域发射极金属接触电极重掺杂区域表面设置区域形成低表面硅薄膜方阻浅结

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