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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202110588011.6在审
发明人：赵晓龙;丁梦璠;龙世兵;徐光伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底、超宽禁带层、窄禁带层以及电极层，超宽禁带层用于响应深紫外波段的光谱，窄禁带层用于响应可见、红外至太赫兹波段光谱，电极沉积于超宽禁带层和/或窄禁带层本发明提供的光电探测器制备工艺简单，响应速度快，不仅能够有效测试短波深紫外波段，还构成了一个超宽光谱响应器件，实现从深紫外到红外波段乃至太赫兹波段的超宽光谱响应。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]紫外辅助MOCVD生长超宽禁带半导体材料的方法及系统-CN202011514514.0在审
发明人：郭炜;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种紫外辅助MOCVD生长超宽禁带半导体材料的方法及系统。所述的方法包括：在以MOCVD工艺生长超宽禁带半导体材料时，以脉冲紫外光均匀照射衬底表面或者于衬底表面生长的超宽禁带半导体材料，所述紫外光的能量大于所述超宽禁带半导体材料的禁带宽度，并且所述紫外光的光照强度利用本申请的技术方案，可以降低超宽禁带半导体材料的外延生长工艺难度和能耗，并使其晶体质量、应力水平、光学透过性能和电学击穿特性均得到显著改善。
紫外辅助 mocvd 生长超宽禁带半导体材料方法系统

[发明专利]一种高阈值电压增强型功率器件-CN202310627615.6在审
发明人：易波;薛人豪;郑力天 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及宽禁带以及超宽禁带功率半导体器件，提供一种高阈值电压增强型功率器件，用以解决GaN、Ga2O3等宽禁带和超宽禁带材料制作的功率器件阈值电压低的问题。本发明提出新型的具有常开型p‑TFT钳位栅极半导体电压的P型栅宽禁带以及超宽禁带功率半导体器件，包括横向器件和纵向器件，利用P型半导体层耗尽其下方电子，获得增强型器件的同时，利用p型半导体制成的常开型TFT从而在不损耗比导通电阻的前提下，获得比常规器件更高的阈值电压；有效解决现有GaN HEMT、GaN CAVET、Ga2O3等宽禁带以及超宽禁带功率器件阈值电压低的技术难题
一种阈值电压增强功率器件

[发明专利]超宽禁带垂直共源共栅结构的场效应晶体管及其制备方法-CN202310207469.1在审
发明人：周弘;王晨璐;孙斯瀚;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽禁带垂直共源共栅结构的场效应晶体管及其制备方法，主要解决目前垂直型超宽禁带材料场效应晶体管没有有效的电学阻挡层，导致源漏间漏电的问题。其自下而上包括漏电极、超宽禁带材料衬底层、超宽禁带材料外延层、栅氧化层，栅氧化层上方设有栅电极，超宽禁带材料外延层内部外围设有SiO2电流阻挡层，其上方通过ALD
超宽禁带垂直共源共栅结构场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202010974472.2在审
发明人：张泽雨林;朱卫东;陈大正;游海龙;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中，所述钙钛矿光电探测器自下而上依次包括：衬底、TCO层、半导体层、钙钛矿层以及电极，其中，所述半导体层为超宽禁带半导体。本发明通过在钙钛矿光电探测器中引入超宽禁带半导体层，可以阻挡空穴进入电子传输层，并且可以钝化钙钛矿表面，获得更好钙钛矿光电探测器的响应，扩大了器件应用范围。
一种钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种超宽禁带氧化物合金半导体外延薄膜材料及其制备方法和应用-CN201810293211.7有效
发明人：何云斌;黎明锴;程阳;陈剑;卢寅梅;张清风;常钢;李派;陈俊年 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超宽禁带氧化物合金半导体外延薄膜材料及其制备方法和应用。该材料为Hf
超宽禁带半导体外延薄膜制备方法和应用化合物半导体氧化物合金晶格类型三元合金脉冲激光沉积法光电探测器件真空蒸镀法制合金半导体深紫外波段薄膜表面光电导性合金薄膜灵敏探测平行金属外延薄膜外延生长光波电极化合价日盲区锡离子铪离子带隙固溶跃迁制备离子

[发明专利]一种制备金属/石墨烯电极/金刚石器件的方法-CN202210366905.5在审
发明人：孙正宗;巩鹏;沈彬;袁赛霖 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法工艺简单、重复性好，通过在超宽禁带半导体金刚石材料表面生长并制备具有共价键联结的石墨烯电极，显著降低器件的欧姆接触电阻。为实现超宽禁带半导体在高功率器件、高能探测器和光电器件等方面的应用奠定了良好的基础。
一种制备金属石墨电极金刚石器件方法

[发明专利]一种超宽禁带二维半导体GaPS4-CN202110242678.0在审
发明人：闫勇;夏从新;杨珏晗;魏钟鸣 -专利权人：河南师范大学;中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种超宽禁带二维半导体GaPS4的制备方法，将镓源，磷源和硫源混合后，采用“预生长再重结晶法”得到透明的GaPS44前驱体，再通过冷热端交换的化学气相传输法提纯得到结晶质量高的GaPS4单晶材料；所述超宽禁带二维半导体
一种超宽禁带二维半导体 gaps base sub

[发明专利]一种具有P型栅的增强型MIS栅控功率器件-CN202211249368.2在审
发明人：易波;张芷宁;徐艺 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明在Fin‑gate结构的宽禁带或超宽禁带功率半导体器件中，首次采用P型宽禁带半导体区作为栅极导体，利用P型宽禁带半导体的功函数比金属高得多的特性，深度耗尽两个gate之间的半导体区，提高沟道区电子势垒
一种具有增强 mis 功率器件

[发明专利]一种太阳光谱全反射型抗静电热控涂层及其制备方法-CN202110765802.1有效
发明人：吕金鹏;文相宇;陈卓 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C09D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳光谱全反射型抗静电热控涂层及其制备方法，属于新材料领域；本发明热控涂层材料主要组成为超宽禁带氧化物颜料、无机水玻璃粘结剂和功能性助剂，本发明中超宽禁带氧化物颜料的涂层宜具有优异的防护粒子辐射稳定性
一种太阳光谱全反射抗静电涂层及其制备方法

[发明专利]一种宽波段反射镜-CN201910452121.2在审
发明人：詹耀辉;马鸿晨;姚凯强;赵海鹏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：包括从下向上依次设置的衬底层、金属反射层和光子晶体反射层，光子晶体反射层为一维光子晶体；所述光子晶体反射层包括由下至上依次排布的第一光子晶体层、第二光子晶体层和第三光子晶体层；所述第一光子晶体层的光子禁带的中心波长为300nm，所述第二光子晶体层的光子禁带的中心波长为340nm，所述第三光子晶体层的光子禁带的中心波长为380nm。其具有超宽的反射带宽，高反射率，极大的减小了镀膜层数，降低了膜层的内应力。
光子晶体层光子禁带光子晶体中心波长反射层宽波段反射镜一维光子晶体金属反射层高反射率依次设置衬底层镀膜层超宽减小膜层排布反射带宽

[发明专利]超宽禁带Zrx-CN201810293770.8有效
发明人：何云斌;黎明锴;程阳;张腾;卢寅梅;张清风;常钢;李派;陈俊年 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电材料与器件技术领域，具体涉及一种带隙可调的超宽禁带ZrxSn1‑x2和SnO2；2)采用脉冲激光沉积法将步骤1)得到的陶瓷靶材物质沉积在c面蓝宝石衬底上制备生长外延薄膜，得到超宽禁带本发明以SnO2作为探测器的基质材料，并且通过对纯的SnO2进行掺杂以调节其带隙的大小，使其带隙能够达到深紫外波长段光探测的要求
超宽禁带 zr base sub

[发明专利]一种氢终端金刚石/氧化镓异质集成互补器件及制备方法-CN202211534911.3在审
发明人：任泽阳;祝子辉;张金风;苏凯;马源辰;杨智清;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明实施例通过异质集成的方法将氢终端金刚石PMOS和氧化镓NMOS结合在一起制备超宽禁带半导体CMOS器件，有效解决了金刚石难以实现n型掺杂、氧化镓难以实现p型掺杂的关键难题，保证了器件的各自的高性能和整体的高质量，实现了适合超高温、强辐照环境应用的高性能超宽禁带半导体CMOS反相器。
一种终端金刚石氧化镓异质集成互补器件制备方法

[发明专利]一种空间电子激发的反射式深紫外光源-CN202011493581.9有效
发明人：沈岩;邓少芝;邢阳;柯彦淋;陈军 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01J61/06 文献下载
摘要：本发明提供一种空间电子激发的反射式深紫外光源，包括具有导电特性的阴极基板、隔离体、具有导电特性的阳极基板、外壳、两条电极线、石英玻璃；阴极基板设有抛物面结构，抛物面结构的底部开设有通孔，且抛物面结构上设有冷阴极结构；阳极基板上设有位置可调节的超宽禁带半导体；阴极基板与阳极基板相向设置，并通过隔离体隔开形成真空间隙结构；阴极基板、隔离体、阳极基板形成一个整体置于外壳中；外壳设有开口，开口内镶嵌石英玻璃形成石英出光口；超宽禁带半导体、通孔、石英出光口处于同一水平线上
一种空间电子激发反射深紫光源

[发明专利]一种低频段超宽频弹性波传播抑制的声子晶体-CN201910524645.8有效
发明人：徐佳文;张宇敏 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G10K11/162 文献下载
摘要：本发明公开了一种低频段超宽频弹性波传播抑制的声子晶体，包括声子晶体单元、有限长度的弹性波通道、弹性波入射接口以及弹性波出射接口，所述声子晶体单元按照一维晶格周期排列，二个及以上的不同属性的一维周期排列的声子晶体组成多个弹性波通道，每个弹性波通道内的声子晶体单元不唯一，与传统声子晶体依赖禁带抑制波传播特性不同，本发明中的二个及以上的弹性波通道的设计与参数调节使得入射的弹性波形成相互间的相位差，其特征在于使得包含禁带频率范围内外的超宽频率范围内诱导弹性波自相消而得到抑制
一种频段宽频弹性传播抑制晶体

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